Изобретение относится к области микрозрндовой техники, в частности к растровой электронной микроскопии, и может быть использовано при анализе микропотенциалов на поверхности объектов.
Целью изобретения Является повышение точности измерения микропотенциалов поверхности объектов за счет обеспечения коррекции погрешностей при отклонении зонда и при изменении расстояния от исследуемой поверхности до вытягивающего электрода.
На фиг.1 показана схема растрового электронного микроскопа (РЭМ); на фиг.2 - зависимость вторично-эмиссионного сигнала 1 от положения зонда на поверхности объекта (D диаметр отверстия вытягивающего электрода) для ряда значений переднего рабочего отрезка формирующей линзы РЭМ.
РЭМ содержит (фиг.1) электронно-оптическую систему (ЭОС) 1, отклоняющую систему 2, энергоанапизатор с тормозящим 3 и вытягивающим 4 электродами, которые соединены с регулируемыми источниками 5 и 6 напряжения соответственно. Схема визуализации изображения включает noc5ieдовательно соединенные преобразователь 7 тока вторичных электронов, усилитель 8 и индикаторный блок 9. Выходы задающего генератора О соединены с отклоняющей системой 2, усилителем 8 и индикаторным блоком 9. Блок 11 питания ЭОС соединен с третьим входом усилителя 8, а второ выход последнего соединен с входом источника 5 регулируемого напряжения тормозящего электрода 3. На элетронно-оптической оси РЭМ установлен объектодержатель 12. В качестве усилителя 8 может быть использован цифровой измерительньй блок ВР5521 с программируемым устройством, например, типа Электроника-60.
Устройство работает следующим образом.
Электронный зонд, сформирован - ньй ЭОС, воздействует на исследуемы объект. Вытягивающим электродом 4 формируется поток вторичных электронов. С помощью тормозящего электрода 3 вторичные электроны фнпьтруются по энергиям с разрешением 0,01-0,2 эВ. Прощедщие электроны
попадают на преобразователь 7, сигнал с которого усиливается и поступает на индикаторный блок 9. Задающий генератор 10 синхронизирует отклонения электронного зонда и электронного луча трубки индикаторного блока.
При отклонении зонда величины Ig, вторично-эмиссионного сигнала имеет характерную зависимость от величины переднего рабочего отрезка Е и от положения зонда на поверхности объекта относительно электронно-оптической оси. Для коррекции
этой зависимости, которая должна иметь вид прямоугольника, на дополнительные второй и третий входы усилителя 8 подаются корректирующие сигналы от блока 11 питания ЭОС дпя
компенсации изменения сигнала от величины Р и от задающего генератора 10 дпя компенсации изменения сигнала от положения X зонда. Корректирующие сигналы заносятся в память программируемого устройства в виде табличных данных, получаемых экспериментальным путем. В результате обеспечивается повьшзение точности измере. НИИ микропотенциалов поверхности объекта.
Формула изобретения
Растровый электронный микроскоп,
содержащий соосно установленные электронно-оптическую систему с блоком питания, отклоняющую систему и энергоанапизатор с кольцевым вытягивающим и тормозящим электродами, злектрически соединенными с регулируемыми источниками напряжения, и схему визуализации изображения, включающую последовательно соединенные преобразователь тока вторичных электронов,
усилитель, второй выход которого соединен с источником напряжения тормо. зящего электрода, и индикаторный блок, а также задающий генератор, выходы которого соединены с откпоняющей .системой и индикаторным блоком, отличающийся тем, что, с целью повьшения точности измерения микропотенциалов поверхности объектов, выход задающего генератора соединен с вторым входом усилителя, а второй выход блока питания электронно-оптической системы соединен с третьим входом усилителя.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для измерения потенциала поверхности в растровом электронном микроскопе | 1982 |
|
SU1058006A1 |
Устройство для измерения потенциала поверхности в растровом электронном микроскопе | 1985 |
|
SU1274028A1 |
Устройство для контроля поверхностных микропотенциалов | 1985 |
|
SU1582226A1 |
Растровый электронный микроскоп | 1983 |
|
SU1153370A1 |
Растровый электронный микроскоп | 1974 |
|
SU535626A1 |
Способ настройки электронно-оптической системы растрового микрозондового прибора | 1986 |
|
SU1465922A1 |
Способ локального катодолюминесцентного анализа твердых тел и устройство для его осуществления | 1988 |
|
SU1569910A1 |
Растровый электронный микроскоп | 1976 |
|
SU693483A1 |
Растровый электронный микроскоп | 1977 |
|
SU682967A1 |
Анализатор энергий электронов | 1988 |
|
SU1661869A1 |
Изобретение относится к области микрозондовой техники. Может быть использовано при анализе микропотенциалов на поверхности объектов. Цель изобретения - повышение точности измерения микропотенциалов достигается путем обеспечения коррекции погреш- ностей при отклонении зонда и при изменении расстояния от исследуемой поверхности до вытягивающего электрода. Микроскоп содержит электронно-оптическую систему 1 с блоком питания II, отклоняющую систему 2, соосный электроанализатор с тормозящим 3 и вытягивающим 4 электродами, регулируемые источники 5 и 6 напряжения. Схема визуализации изображения содержит преобразователь 7 тока вторичных электронов, усилитель 8, индикаторный блок 9, а также синхрос низирующий задающий генератор 10. На электронно-оптической оси установел лен объектодержатель 12. Усилитель выполнен с возможностью коррекции ;вторично-эмиссионного сигнала. 2 ил.
Растровый электронный микроскоп | 1976 |
|
SU693483A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Фазекас П | |||
Исследование кристаллов СБИС с помощью РЭМ | |||
- Электроника, 1981, № 14, с | |||
Пишущая машина для тюркско-арабского шрифта | 1922 |
|
SU24A1 |
Авторы
Даты
1986-12-07—Публикация
1983-10-27—Подача