Способ определения униполярности сегнетоэлектрических кристаллов Советский патент 1986 года по МПК G01N22/00 

1

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам определения степени и знака преимущественного направления поляризации (униполярности) в сегнетоэлектрических кристаллах, и может быть использовано в пирометрии.

Цель изобретения - расширение класса исследуемых сегнетоэлектри- ческих кристаллов.

Способ определения униполярности сегнетоэлектрических кристаллов заключается в следзтощем.

Прикладывают вдоль сегнетоэлект- рического направления сегнетоэлектрических кристаллов квазистационарное электрическое поле одного направления, регистрируют интенсивность собственного электромагнитного излучения, возникающего при переполяризации всех доменов, ориентированных противоположно приложенному квазистационарному электрическому полю, затем изменяют направление квазистационарного электрического поля, регистрируют интенсивность собственного электромагнитного излучения, возникающего при переполяризации всех доменов и по величине отношения пер вого сигнала к второму определяют степень униполярности и знак преимущественного направления поляризации который соответствует направлению первого из приложенных квазистационарных электрических полей при отношении интенсивностей собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов больше 0,5%, и второго - при отношении интенсивностей собственного электроманитного излучения при различной ориентации доменов меньше 0,5%,

Редактор В.Ковтун Заказ 6659/35

Составитель Е.Адамова Техред А.Кравчук

Корректор

Тираж 778Подписное

ВНШШ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4

5

0

5

0

5

0

Способ определения униполярности сегнетоэлектрических кристаллов позволяет определить степень и знак униполярности в сегнетоэлектрических кристаллах независимо от оптической различимости их доменной структуры.

Формула изобретения

Способ определения униполярности сегнетоэлектрических кристаллов, заключающийся в определении отношения собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов, отличающийся тем, что, с целью расширения класса исследуемых сегнетоэлектрических кристаллов, для определения интенсивностей собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов, вдоль сегнетоэлектри- ческого направления кристалла прикладывают квазистационарное электрическое поле одного направления, а затем другого, по амплитуде не меньше коэрцитивного, и по величине отношения интенсивностей собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов определяют степень униполярности и знак преимущественного направления поляриза- ции, который соответствует направлению первого из приложенных квазистационарных электрических полей при отношении интенсивностей собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов больше 0,5, и второго - при отношении интенсивностей собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов меньше 0,5.

Корректор О.Луговая

Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения расширение класса исследуемых сегне- тоэлектрич. кристаллов. Для определения интенсивностей собственного электромагн, излучения при различной ориентации доменов вдоль сегнето- электрич. направления кристалла прикладывают квазистапионарное электрич. поле одного направления, а затем др., по амплитуде не меньше коэрцитивного. По величине отношения интенсивностей определяют степень унипо- лярности и знак преимущественного направления поляризации, к-рый соответствует направлению 1-го из приложенных, квазистационарных электрич. полей при отношении интенсивностей больше 0,5 и 2-го при отношении интенсивностей меньше 0,5. ё (Л G to j О) со 05 ел