Установка для высокочастотной сушки диэлектрических материалов Советский патент 1987 года по МПК F26B3/347 

Изобретение относится к высокочастотной сушке диэлектрических материалов и может быть использовано в химической и других отраслях промышленности, связанных с непрерывными процессами тепловой обработки диэлектриков.

Цель изобретения - повышение надежности и качества сушки.

На чертеже показана установка, общий вид.

На раме 1 смонтирована низкопотенци- 10 минимальной напряженности электромагнит- альная пластина 2, ленточный конвейер 3, кого поля, а на выходе, в зоне минимальной

экранированная камера 4 с секциями высокопотенциальных пластин 5-7. Нзкопотен- циальная пластина 2 выполнена выпуклой и секционной так, что секции 8-10 установлены под углом друг к другу и к горизонту. Секция 8, расположенная в начале рабочего конденсатора, образует с горизонтом угол сС, не превышающий угла естественного откоса транспортируемого материала, а секция 10, расположенная в конце ра- бочего конденсатора, горизонтальна. Транспортерная лента И конвейера 3 скользит по секциям 8-10 низкопотенциальной пластины 2. Зонты 12 соединены с вытяжной системой вентиляции.

Установка работает следующим образом.

Высушиваемый материал, уложенный на транспортерную ленту 11 конвейера 3, перемещается внутри экранированной камеры 4

между высокопотенциальными пластинами зо низкопотенциальнои пластине и венти5-7 и низкопотенциальной пластиной 2. Регулирование скорости сушки по длине рабочего конденсатора осуществляется перемещением высокопотенциальных пластин 5- 7 по высоте и за счет автоматического

ляционную систему, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности и качества сушки, низкопотенциальная пластина выполнена выпуклой в сторону высокопотенциальных пластин конденсатора с углом наклоуменьщения расстояния между высокопо-35 на ее касательной к горизонту, уменьшаютенциальными пластинами 5-7 и секциямищимся по ходу движения конвейера и не

8-10 заземленной пластины 2 вследствиепревышаюшим угла естественного откоса

выпуклой формы последней, когда перемен-обрабатываемого материала.

Составитель В. Вакар

Техред И. ВересКорректор ,д. Патай

Тираж 635Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по де.пам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

ный угол наклона секций 8-10 меняется от максимального значения на входе материала до нулевого значения па выходе из рабочего конденсатора. В результате создаются благоприятные условия нагрева и сушки материала в рабочем конденсаторе, иск- лючаюш,ие пробои, так как на входе, в зоне наибольшей влажности, зазор в рабочем конденсаторе между пластинами 5 и 8 максимален, и сушка производится в условиях

влажности, зазор может быть снабжен, и напряженность поля увеличена до максимума (в зоне между пластинами 7 и 10). Кроме того, при такой конструкции заземленного электрода влага, конденсирующаяся на электроде, стекает от зон с меньшей влажностью в зону сырого материала. Образующиеся в процессе сушки пары удаляются через вытяжные зонты 12.

Формула изобретения

Установка для высокочастотной сушки диэлектрических материалов, содержащая экранированную камеру, рабочий конденсатор с высоко- и низкопотенциальными пластинами, размещенный в камере ленточный конвейер для перемещения обрабатываемого материала, скользящий верхней ветвью

ляционную систему, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности и качества сушки, низкопотенциальная пластина выполнена выпуклой в сторону высокопотенциальных пластин конденсатора с углом накло

Изобретение относится к сушке и м.б. использовано в химической промышленности. Изобретение позволяет повысить надежность и качество сушки. Низкопотенциальная пластина (П) 2 выполнена выпуклой и секционирована так, что секции 8, 9, 10 установлены под углом друг к другу и к горизонту. Секция 8 образует с горизонтом угол ОС., не превышающий угла естественного откоса транспортируемого материала. Последний перемещается между высокопотенциальными П 5, 6, 7 и низкопотенциальной П 2. Регулирование скорости сущки по длине конденсатора осуществляется перемещением П 5, 6, 7 по высоте и за счет автоматического уменьшения расстояния между П 5, 6, 7 и секциями 8, 9, 10 заземленной П 2. 1 ил. (Л ю СХ5 00 4;: СД