Способ контроля качества наклеивания тензорезисторов Советский патент 1987 года по МПК G01B7/16 

1 12

Изобретение относится к измерительной технике и является усовершенствованием известного способа, описанного в авт.св. № 724919.

Цель изобретения - повышение точности контроля качества наклеивания за счет устранения влияния окружаю- .щих УСЛОВИЙ при одновременном упрощении и сокращении продолжительности контроля.

Устранение влияния окружающих условий достигается определением длительности тестового импульса тока, исходя из условия, что система тен- зорезистор - клей - объект находится в режиме адиабатического нагрева, т.е. теплота, вьщеляемая в тензоре- .зисторе при пропускании через него тестового импульса, расходуется только на нагрев тензорезистора и слоя клея, н тепловой поток за время действия импульса только успевает подойти к поверхности объекта, но не успевает распространиться в нем. При это условии тестовое приращение электрического сопротивления тензорезнстора в момент окончания тестового импульса полностью и однозначно характеризует качество наклеивания.

Способ осуществляют следующим образом.

Выбирают длительность тестового соотношения

импульса тока из

с . С

/V

и

кл

а,(0,415-0,2591п 9)2

о

где

5клтолщина слоя клея;

кл удельная теплоемкость клея;

Ри - плотность кЯея. Эквивалентный ко-эффидиент теило проводности Л участка тензорезис- тор - объект определяют по формуле

R + - tTP-K 71кл

+ R

i-06

где

R и t тр-к

R

t к-08

50

тепловые сопротивления зон контакта между тен- зорезистором и клеем и соответственно между клеем и объектом-, rt- коэффициент тепло-

проводности клея. ВНИИПИ Заказ 370/41

толщина слоя кл удельная теплое плотность клея; эквивалентный к теплопроводност тензорезистор - коэффициент, вы ходя из допусти отклонения проц системы тензоре клей - поверхно от адиабатическ определяют и сравнивают сопротивлений контролиру либровочного тензррезист в момент окончания тесто са тока.

Тираж 678 Подписное

Произв.-полигр. пр-тие г. Ужгород, ул. Проектная, 4

0

5

0

5

0

35

Коэффициент 0 , определяющий степень отклонения процесса нагрева системы тензорезистор - клей - поверхность объекта от адиабатического выбирают не более 5%. Коэффициент 9 . характеризует относительный перегрев t. на границе клей - объект по сравнению с перегревом тензочувствитель- ного элемента тензорезистора ut Э t у t

Выбирают амплитуду тестового им- йульса тока из условия получения желаемого тестового перегрева тензорезистора, при котором сохраняется работоспособность тензорезистора.

Пропускают тестовый импульс тока через контролируемый тензорезистор и через калибровочный тензорезистор, сравнивают их приращения электрического сопротивления в момент окончания тестового импульса. По результату сравнения судят о качестве наклеивания контролируемого тензорезистора. Формула изобретения

Способ контроля качества наклеивания тензорезисторов по авт.св. № 724919, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля за счет устранения влияния окружающих условий при одновременном упрощении и сокращении продолжительности, длительность тестового импульса тока выбирают из соотношения

КЛ

л,.Si- Jivi-

(0,415-0,2591пё)2

0

5

0

где

толщина слоя клея; удельная теплоемкость клея; плотность клея; эквивалентный коэффициент теплопроводности участка тензорезистор - объект коэффициент, выбираемый исходя из допустимой степени отклонения процесса нагрева системы тензорезистор - клей - поверхность объекта от адиабатического; определяют и сравнивают приращения сопротивлений контролируемого и калибровочного тензррезисторов только в момент окончания тестового импульса тока.

Изобретение относится к способам к онтроля качества наклеивания тензорезисторов и является усовершенствованием изобретения по.авт. св. № 724919. Целью дополнительного изобретения является повышение точности контроля качества наклеивания за счет исключения влияния окружающих условий при одновременном упрощении процесса контроля и сокращений его продолжительности. Для этого длительность тестового импульса тока определяют по формуле 1 кА-J KA fw/