Способ контроля качества наклеивания тензорезисторов Советский патент 1991 года по МПК G01B7/16 

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к тензометрии.

Целью изобретения является повышение точности контроля путем уменьшения погрешности, обусловленной различиями температурных характеристик сопротивления сравниваемых тензорезисторов

Способ осуществля ют следующим образом.

Исходя из условия сохранения работоспособности и метрологического качества тензорезистора, выбирают величину тестового электрического тока с постоянной мгновенной амплитудой, в качестве которого может рассматриваться либо постоянный, либо знакопеременный ток, амплитуда которого мгновенно возрастает в момент включения от нуля до максимума, модуль которого далее остается неизменным. Предварительно определяют постоянную времени нагрева таким током (током постоянной мгновенной мощности и скачком подводимой к проводнику) полностью неприклеенного тензорезистора из контролируемой партии, т е. тензорезистора, окруженного со всех сторон воздухом. Для этого подают тестовый ток на неприклеенный тензорезистор и фиксируют зависимость (T) временного изменения приращения сопротивления неприклеенного тензорезистора, по которой определяют постоянную времени нагрева Тип неприклеенного тензорезистора, т.е время, за которое произойдет основное температурное изменение сопротивления его ( 63% от максимальной величины) Далее на образец материала конструкции, подлежащей тензометрии, наклеивают тензорезистор из выбранной контролируемой партии и при действии тестового импульса тока с постоянной мгновенной амплитудой и длительностью Т,,н записывают график зависимости ДНг у ( г) временного изменения приращения сопротивления тензорезистора. который потом подвергают проверке на качество наклеивания одним из известных разрушающих методов например, токовым нагревом до обугливания его

сл

Ьь

о

ю

XI

Ы

основы. Если разрушающий метод показывает высокое качество наклеивания, зависимость ДЯа (т) принимают за эталонную для данной партии контролируемых тензо- резисторов и для данного материала KOMCI- рукции, по которой определяют посточнную времени нагрева Ти эталонного, качественно наклеенного тенэорезистора. На каждый контролируемый i-й тензорезистор той же партии, наклеенный на конструкцию из того же материала, подают тестовый импульс тока с постоянной мгновенной амплитудой и длительностью Тин и при этом записывают временную зависимость ARi fy (т), которую сравнивают с эталонной AR2 р(т). Независимо от температурной характеристики сопротивления все тензорезисторы контролируемой партии, не имеющие дефекта наклейки, будут иметь одинаковые посто- янные времени нагрева, равные Тн, и за время действия тока с постоянной мгновенной амплитудой, равное ЗТН, произойдет примерно 97% температурного приращения их сопротивления. Для некачественно наклеенных тензорезисторов, т.е. имеющих непроклеи основы, характерно увеличенное по сравнению с Тн значение постоянной времени нагрева, стремящегося к Тик-в пределе по мере роста площади непроклея. Поэтому для оценки качества наклеивания сравнивают не полностью зависимость

$ (г) с зависимостьюД ф (г ). а лишь приращения сопротивления каждого 1-го тензорезистора и эталонного в интервале времени ЗТц - ТНн. В результате такою сравнения контролируемого тензорезисто- ра с эталонным остаточная систематическая погрешность определения качества наклеивания не превысит 3% от величины максимального разброса температурных характеристик сопротивления тензорезисторов в партии. Формула изобретения Способ контроля качества наклеивания тензорезисторов, заключающийся в том, что на контролируемый и эталонный качественно наклеенные тензорезисторы подают тестовый импульс электрического тока, в течение которого регистрируют изменения сопротивления тензорезисторов, по результатам сравнения которых определяют качество наклеивания контролируемого тензорезистора, отличающийся тем. что, с целью повышения точности контроля путем уменьшения погрешности, обусловленной различиями температурных характеристик сопротивления сравниваемых тензорезисторов. на тензорезисторы подают импульс тока с постоянной мгновенной амплитудой и длительное ью, равной предварительно определенно постоянной времени нагрева этим током г -лностью неприклеенного течзорезистора.

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к тензометрии. Цель изобретения - повышение точности контроля качества наклеивания путем уменьшен1/- погрешности, обусловленной различиями тем пературных характеристик сопротивлений сравниваемых тензорезисторов, Для этого контролируемый и эталонный (качественно наклеенный) тензорезисторы подвергают тестовому нагреву током с постоянной мгновенной мощностью скачком подводимым током с постоянной мгновенной мощностью и сравнивают при этом приращения их сопротивлений в интервале времени 3 Тн - ТНн, где Тн - постоянная времени нагрева эталонного наклеенного тензорезистора, а ТНц - постоянная времени нагрева полностью неприклееного тензорезистора той же партии