Криостат Советский патент 1987 года по МПК F25D3/10 

состояние (He-ll) на стенках сосуда 3 и его горловины А образуется пленка Не-11. В случае, когда внутренняя поверхность сосуда 3 и горловины покрыты слоем диэлектрика 5, толщина гелиевой пленки и высота ее подъема значительно меньше, чем в отсутствии покрытия, при этом участок горловины 4 сосуда 3 между местом ее контакта с корпусом 1 и уровнем подъема гелиевой пленки увеличивается, и в

J

Изобретение относится к криогенной технике, а именно к криостатам для хранения жидкого гелия Не-11.

Цель изобретения - уменьшение испарения Не-11 путем снижения тепло- притоков в Криостат.

На чертеже схематически изображен предлагаемый криостат, разрез.

Криостат содержит корпус 1 с высо ковакуумной изоляцией 2, сосуд метал лический 3 для жидкого гелия с горловиной 4, покрытые слоем 5 из диэлектрического материала, преимущественно из фторопласта бакелита или эпоксидной смолы, входной патрубок 6 для жидкого гелия и выходной патрубок 7 для откачивания гелиевых паров

Принцип действия предлагаемого устройства заключается в следующем. В сосуд 3 через патрубок 6 заливают жидкий гелий, после чего через патрубок 7 производят откачку паров гелия из сосуда 3 для понижения температуры гелия. После перевода гелия в сверхтекучее состояние (Не-Ц) на стенках сосуда 3 и его горловины 4 образуется пленка Не-Ц. В случае, когда внутренняя-поверхность сосуда 3 и горловина 4 покрыты слоем диэлектрика 5, толщина гелиевой пленки и высота ее подъема значительно меньше, чем в отсутствии покрытия, при этом участок горловины 4 сосуда 3 между местом ее контакта с корпусом 1 и уровнем подъема гелиевой пленки увеличивается, и в результате эффективная величина термосопротивления горловины 4 повышается. Различие в тол- ВНИИПИ Заказ 1615/35

Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

результате эффективная величина термосопротивления горловины 4 повьппает- ся. Это приводит к снижению количества испаряющегося гелия и, следовательно, к увеличению продолжительности его хранения. При одинаковой скорости откачивания образовавшихся паров предлагаемый криостат позволяет достичь более низкой температуры гелия по сравнению с прототипом. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

щине гелиевой пленки на поверхности стали и диэлектрика определяет коэффициент Ван-дёр-Ваальсовых сил, имеющий большее значение при взаимо- 5 действии Не-11 с проводником по сравнению с взаимодействием Не-11 с диэлектриком.

Снижение теплопритока по горловине 4 приводит к уменьшению количества испаряющегося гелия и, следовательно, к увеличению продолжительности его хранения в. криостате. При одинаковой скорости откачивания образовавшихся паров предлагаемый крио стат позволяет достичь температуры- гелия более низкой по сравнению с прототипом.

to

15

20

Ф о р м ула изобретения

5

0

1.Криостат, содержащий корпус с высоковакуумной изоляцией и размещен- ньй в нем металлический сосуд для Не-11, отличающийся тем, что, с целью уменьшения испарения Не-11 путем снижения теплопритоков, на внутреннюю поверхность сосуда нанесено покрытие из диэлектрического материала.

2.Криостат по п. 1, о т л и- ча ющийс я тем, что покрытие выполнено из фторопласта.

3.Криостат по п. 1, отличающийся тем, что покрытие

5 выполнено из бакелита.

4.Криостат по п. 1, отличающийся тем, что покрытие выполнено из эпоксидной смолы.

Тираж 476 Подписное

Изобретение относится к области криогенной техники, а Т1менно к крио- статам для хранения жидкого гелия Не-11 и позволяет уменьшить испарение последнего путем снижения тепло- притоков в криостат. В сосуд 3 через патрубок 6 заливают жидкий гелий, после чего через патрубок 7 производят откачку паров гелия из сосуда 3 для. понижения температуры гелия. После перевода гелия в сверхтекучее (Л с