Способ лазерного разделения материалов Советский патент 1992 года по МПК B23K26/00 B23K26/38 

Описание патента на изобретение SU1319430A1

Изобретение относится к лазерной обработке материалов и может быть использовано при разделении материалов, Прозрачных для лазерного излучения..

Целью изобретения является повышение качества обработки за счет получения раздела с требуемой глубиной, рельефа.

На фиг. 1 представлено пространственное изображение кристалла нио- бата лития с выполненными в нем микроразрушениями, на фиг. 2 - вид микроразрушений в кристалле в плоскости XOZi на фиг, 3 - пластина ниоба- та лития после разламывания.

Концентрирование энергии лазерного излучения внутри объема материала с различных направлений и оп-. ределение зависимости направления распространения микротрещин и размеров разрушений от условий облучения (направления, параметров излучения и т.п.) позволяет образовывать мик- рораз5эушения вдоль направления раздела так, что каждое микроразруше-,. ние содержит по крайней мере одну мнкротрещину, расположенную под углом Ы О к микротрещине соседнего микрораз рутения, обеспечивая пересечение микротрещии соседних микрораз- ру1иен 1Й при развитии микротрещин под действием механических напряжений, например, при последующем разламьша- нии. Выполнение условия 1 d обеспечивает сохранение локальных дискретных разрушентлй до окончания процесса лазерной обработки, что позволяет набежать неуправляемого развития тре Щ1Щ за соединения соседних микроразрушений до окончания процес- га лазерной обработки. В некоторых с-.тучаях целесообразно расстояние между соседними микроразрушениями устанавливать из соотношения , что позволяет обеспечить соединение микротрещин соседних микроразрушений в процессе лазерной обработки в макроразрушение, образуемое в направлении разделения материала. В этом случае усилие, которое необходимо приложить для разделения материала на модули, уменьшается и процент выхода годных изделий на операции разделении повышается. Выполнение условия 1 h (ctg РЛ) обеспечивает разделение материала с глубиной ре.т1ьефного слоя по границе раздела меньше h,

5

0

что позволяет получить требуемый рельеф поверхности раздела.

Выполнение всех указанньпс признаков в совокупности позволяет разделить на части любой прозрачный материал независимо от ориентации трещин, плоскостей скола кристаллов относительно поверхности раздела, что позволяет повысить качество обработки прозрачных материалов и уменьшить ко- личество брака при разделении заготовок на модули.

В качестве примера конкретного выполнения способа рассмотрим процесс разделения пластины из ниобата лития при изготовлении з Вукопроводов для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Излучение лазера ЖИПЧ-6 с длительностью импульсов 10 НС, длиной волны 1,06 мкм и максимальной импульсной мощностью 0,5 МВт фокусируется в пятно диаметром 8-10 мкм внутри пластины из нио- Зата лития. Исходя из требований кон- 5 струкции приборов на ПАВ, для которых изготавливались звукопроводы, выбраны пластины, вырезанные так, что нормаль к поверхности пластин совпадает с осью Y.

Направление разделения пластин на модули совпадает с плоскостью ZOY. Используя излучение с параметрами, получали плотность мощности в . зоне обработки до 10 Вт/см, достаточную для образования внутри пластины 1 микроразрушений, представляющих Собой микротрещины, образованные вокруг центров микроразрушений, и расположенных под различными углами. Q В кристалл 1 ниобата лития в каждом микроразрушении при направлении лазерного излучения соосно с осью Y кристалла имеется по две основные (главные) микротрещины, существенно большие остальных микротрещин и поэтому определяющие глубину рельефа поверхности раздела. Основные (главные) микротрещины распространяются под углами й,(, 30° и 40 к. 0 плоскости ZOY в направлении OZ и под углами /ь, р О к плоскости ZOY в направлении PY. Размер микроразрушений UD в направлении OZ равен 0,15 мм, а аоч в направле- J2 нииOY равен 0,20мм. Максимально допустимая глубина рельефного слоя вдоль поверхности раздела составляет 0,7 мм. Исходя из приведенных данных и в соответствии с соотношением

0

5

5

3131

а 1 h (ctg, + ctg )

устанавливали (определяли) расстоя- ния между центрами соседите микро- разрушений в направлении OZ и OY (1р и 1о)

0,13 ctg 30 - - ctg 40) 0,15 I, 2

0,20 4 IQ 0,7 (ctgO + ctgO) 0, CO

2oz 0,30, toy 0.0

После образования микроразруше- иий по всей поверхности раздела дискретно .на указанных вьше расстояниях друг от друга к пластине прикладывали механическое напряжение в зоне раздела, в результате чего трещины развивались до взагмного перекрытия (штриховые линии на фиг, 1 и 2) , и пластина разлатозгналась по направлению раздела (а4, фиг. 3).

f

о р м у л а и 3 о б р е т е н и я

Способ лазерного разделения материалов 5 при котором задают направление раздела, лазерны т излучением создают концентраторы напряжения к разрушс ъ от мат р 2ал с при.пожен: ем fse- ханичесгой нагрузки, о г л н ч & г- щ и и с я TSMs чтоэ с uej-bK) noBfcSis- нгля качестза обработки за спет Полу- ченкч раздагш с требуемой глубиной рельефа, предварительно концептриру, ют-лазерное изт ченке с разньп сто рон образца внутри его объема, ссзда9430. -4

ют микроразругаемия и определяют направление .главных микротрёщин по отношению к линии раздела и зависимость размеров мгжроразрушений от

5 энергетическ{1Х параметров резю;я-1а, из возможных вариантов микроразрушений выбирают такие, направления микротрещин которых обеспечивает их пересечение в соседних зонах микрдШ разрушений3 выбирают режим,

исходя из требуемой глуб1ты рельефа рассчитьшают расстояния между центрами соседних микроразрушений, как вдоль линии раздела, так и по щине разделяемого материала, в соот ветстзии с формулой i

а .h ( ,

20 где .а расстояние между центрами соседних микроразрушений,, 1 - размер зоны микроразрушения

в направленш разделения, h - максимальнодо1тустимая глуTir

бнна рельефа по грантще раздела 5

/i.. И /i углы наклона пересекающихся при развитии мнкротрещгш соседнш: микроразрушенш к :,аправлен№а порерхпости раз, дела,

и на полученньпч расчетньи расстояниях облз пают разделяемьп мате- рмал в тpeбye & : направлениях вдоль 35 Л1--П1Ш1 раздела на расчетных уровнях по тотцш е разделяемого материала,

А use оное иълучение

фиг. 2

Фиг. 5

Составитель Е.Сомова Редактор М.Памфиловекая Техред Н.Глущенко

Заказ 571Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, А

Корректор М.Демчик

Похожие патенты SU1319430A1

название год авторы номер документа
Пьезоэлектрическое устройство на поверхностных акустических волнах 1985
  • Лакиза Ю.В.
  • Малащенко А.А.
  • Мезенов А.В.
  • Овсищер И.П.
  • Шепшелей В.И.
SU1316533A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАДАННОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ ВНУТРИ ПРОЗРАЧНОГО ТВЕРДОГО МАТЕРИАЛА ПОСРЕДСТВОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ЛУЧА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ 2000
  • Калинин В.В.
  • Антонюк А.С.
  • Воропинов А.В.
  • Бурлакова М.Ю.
  • Дехтяр А.В.
RU2177881C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКИ ПОЛЯРИЗОВАННОГО НИОБАТА И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ ДЛЯ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛОКАЛЬНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ НИОБАТА И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ 2009
  • Борисов Евгений Николаевич
  • Грунский Олег Сергеевич
  • Курочкин Алексей Викторович
  • Поволоцкий Алексей Валерьевич
RU2425405C2
Способ лазерной обработки прозрачного хрупкого материала и устройство его реализующее 2019
  • Алиев Тимур Алекперович
  • Евтихиев Николай Николаевич
  • Каптаков Михаил Олегович
  • Обронов Иван Владимирович
RU2720791C1
Способ изготовления одномерной дифракционной фазовой решетки с синусоидальным профилем 2016
  • Коваль Владислав Вячеславович
  • Костюк Галина Кирилловна
  • Заколдаев Роман Алексеевич
  • Сергеев Максим Михайлович
  • Яковлев Евгений Борисович
  • Рымкевич Владимир Сергеевич
  • Вейко Вадим Павлович
RU2626734C1
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ХРУПКИХ ПРОЗРАЧНЫХ И ПОЛУПРОЗРАЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ 2022
  • Токарев Владимир Николаевич
RU2806353C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛИДОМЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ С ЗАРЯЖЕННОЙ ДОМЕННОЙ СТЕНКОЙ 2011
  • Шур Владимир Яковлевич
  • Батурин Иван Сергеевич
  • Негашев Станислав Александрович
  • Аликин Денис Олегович
RU2485222C1
СПОСОБ КОММУТАЦИИ N×N ОПТИЧЕСКИХ КАНАЛОВ И МНОГОКАНАЛЬНЫЙ КОММУТАТОР 2012
  • Компанец Игорь Николаевич
  • Компанец Сергей Игоревич
  • Неевина Татьяна Александровна
RU2504812C2
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ТЕРМОУПРУГИХ НАПРЯЖЕНИЙ 2011
  • Сердюков Анатолий Николаевич
  • Шалупаев Сергей Викентьевич
  • Никитюк Юрий Валерьевич
  • Шолох Владимир Федорович
RU2497643C2
Оптико-терагерцовый преобразователь 2019
  • Бакунов Михаил Иванович
  • Сычугин Сергей Александрович
RU2724974C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 319 430 A1

Реферат патента 1992 года Способ лазерного разделения материалов

Изобретение относится к лазерной обработке и может быть использовано при разделении материалов, прозрачных для лазерного излучения. Целью изобретения является повышение качества обработки за счет получения раздела с требуемой глубиной рельефа. Для достижения цели в толще материала вдоль линии раздела и на разных уровнях по толщине сбздают микроразрушения. В результате этого развиваются трещины с заранее выбранным - направлением, обеспечивающим пересечение трещин соседних микррразруше- ний, из-за чего исключается их неуправляемое развитие. Расстояние меязду соседними микроразрушениями как вдоль линии раздела1, так и по толщи не материала, выбираются расчетным путем, исходя из заданной глубины рельефа. 3 ил. S 00 ;о 4 00

Формула изобретения SU 1 319 430 A1

SU 1 319 430 A1

Авторы

Лакиза Ю.В.

Малащенко А.А.

Мезенов А.В.

Овсищер И.П.

Шепшелей В.И.

Даты

1992-12-30Публикация

1984-11-26Подача