Способ изготовления фотошаблона на галогенсеребряной фотопластине Советский патент 1987 года по МПК G03C5/00 

Описание патента на изобретение SU1325396A1

Изобретение относится к технологи изготовления металлизированных фотошаблонов на стеклянной подложке,

Цель изобретения - повышение износостойкости фотошаблона,

Фотошаблон изготавливают следующим образом. Оригинал, нарезанный на прозрачной основе в большом масштабе по отношению к требуемому изображению, снимают на репродукционной ка- мере с необходимым уменьшением на фотографическую пластину, например, ВР-П. Фотопластину проявляют, например, в проявителе fl-19, в течение 4 мин при 21°С, промывают в проточно воде и фиксируют, например, в кислом фиксаже в течение 10 мин.

Фотопластина имеет прозрачные и непрозрачные участки,, повторяющие рисунок фотошаблона. Затем проводят операцию отбеливания с травле-, нием, в результате которой происходит удаление серебра вместе с желатиной из негативного иепроз }ачного изображения. Травяще-отбеливающий раствор состоит из двух отдельных растворов.

Раствор А:

Хлорная медь, г 10 Уксусная кислота

(ледяная), мл 50 Вода дистиллированная, млДо 900 Раствор Б: 30%-ньй раствор-перекиси водорода - 100 мл,

Эти два раствора готовят отдельно и смешивают непосредственно перед травлением. Травить фотопластину необходимо до стеклянной подложки, При этом на участках фотоплЗстины, на которые не было оказано светового воздействия, остается рельефное изображение из прозрачных участков желатинового слоя, После этого напыляют со стороны желатинового слоя хром толщиной, обеспечивающей оптическую плотность не менее трех. Возможны несколько вариантов напьшения хрома толщиной, удовлетворяющей данному условию,

еры

220110

4-5

() -10-2

Температура камеры напьшения, с190tlO

Время напьшения, мин 5-6 Вакуум в камере,

Па(1,33-1,5)-10

Вариант 3: Температура камеры напыления, с 190 ±10 Время напыле- . ния, мин 9-10 Вакуум в камере. Па (6,6-8).10-5 Наиболее быстро можно получить заданную толщину хрома по первому варианту. Однако в зтом случае требуется стро;го контролировать температуру в камере напыления, так как. превьшгение температуры 230°С приводит к потере растворимости желатины, Снижение температуры до (вариант 3) приводит к увеличению времени напьшения почти в 2 раза. Поэтому оптимальным можно считать напьше- ние хрома по варианту 2,

Затем удаляют желатиновый слой , обрабатывая пластину водным раствором щелочи, например NaOH. Возможны несколько вариантов удаления желатинового слоя .

Вариант 1:

Концентрация, % 18-22 Температура раствора, °С . 35-40 Время, мин4

Вариант 2:

Концентрагдия, % 28-32 Температура раствора, °С35-40 Время, мин1 Вариант 3;, Концентрация, % 28-32 Температура раствора, °С 20-21 Время, мин 3

При удалении желатины удаляются и участки пленки хрома, лежащие на желатиновом слое. При этом на прозрачной подложке останутся участки из хрома, повторяющие рисунок.

По предлагаемому (вариант 2) и известному способам было изготовлено по пять фотошаблонов, у которых определяли оптические, размерные и копировальные свойства. Результаты определений сведены в табл, I,

Таблица 1

Максимальная

оптическая

плотность

инимальный воспроизводимый элемент,

мкм

Резкость края, мкм

Количество контактных совмеений

Более 4

14,8

t2,l

4-15

3,2-3,6

15,2

±2,4

50-70

Оптическую плотность определяли в проходящем свете на денситометре СР-25М, практически воспроизводимый элемент и резкость края - на микро- ЗО скопе МБИ-8м, количество возможных контактных совмещений - многократным совмещением фотошаблона с подложкой, имеющей на контактирующей поверхности слой фоторезиста ФП-383 толщиной эс 2 мкм. При этом после каждого совмещения подсчитывалось число проколов, превышающих размер 0,5 мкм на 1 см,

Элементы на фотошаблоне

Фоторезистивных изображений

;Резкость края.

Как видно из табл. 1 и 2, использование предлагаемого способа позво

Совмещения продолжали до тех пор, пока число проколов не превьшало допустимую величину - 10 на см,

С целью проверки работоспособности предлагаемого фотошаблона было выполнено копирование его на подложку, покрытую фоторезистом ФП-383, причем одновременно на эту же подложку копировали фотошаблон, изготовленный по известному способу.

В центрифуге 1Ш-5 закрепляли обезжиренную спиртом ситалловую пластину. После центровки пластины между пластиной и вращающимся столиком создали вакуум. Кисточкой удалили пьшинк 1 с поверхности пластины и нанесли фоторезист. Включили привод вращения столика.

Режим нанесения фоторезиста Ф11-383: скорость вращения столика 2500 об/мин (данная скорость обеспечивается при напряжении 8,5 В на индикаторе источника постоянного то- 5 ка установки KII-5), время нанесения 110,1 мин. Пластину сушат в термошка5

0

фу при 90 С в течение 25 мин в темноте или при красном свете. После этого выполняют экспонирование на копировальной установке УПСЭ-3 (лампа ДРШ) в течение 20 с. Пластину проявляют в 0,5%-ном растворе КОН при 19-21 с в течение 20-30 с. После промывки и сушки сравнивают фоторезис,- тивные изображения, полученные при копировании фотошаблонов, изготовленных по известному и предлагаемому способам (табл. 2).

Таблица 2

260 97 19 260 96 19

260 96 17 260 96 18

+ 7 2

-t-yt±2,8

ляет изготавливать фотошаблоны, име- технологические параметры не ху51325396-6

же, чем при известном способе, при-включающий экспонирование, проявлечем износостойкость фотошаблонов,кие, травление в растворе, содержаизготовленных по предлагаемому спосо-щем хлорную медь, перекись водорода,

бу, примерно в 4-5 рааа вьше, чем фо-уксусную кислоту и воду, о т л и ч а

тошаблонов, изготовленных по извест- ю щ и и с я тем, что, с целью повыному. Это позволяет снизить расходшения износостойкости фотошаблона,

фотопластин и серебра,после проявления проводят фиксирование а после травления фотопластину

Формула изобретен.и явысупгавают, со стороны желатинового

10слоя на нее напыляют хром, после чеСпособ изготовления фотошаблонаго обрабатывают водным раствором щена галогенсеребряной фотопластиие,лрчи до полного удаления желатины.

Похожие патенты SU1325396A1

название год авторы номер документа
Фотошаблон и способ его изготовления 1978
  • Гунина Нина Максимовна
  • Поярков Игорь Иванович
  • Логутова Людмила Викторовна
  • Степанов Валерий Васильевич
  • Лаврентьев Константин Андреевич
  • Черников Анатолий Михайлович
SU938338A1
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПРЕЦИЗИОННОГО ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОГО РИСУНКА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ОПТИЧЕСКОЙ ДЕТАЛИ И ПРИСПОСОБЛЕНИЕ ДЛЯ КОНТАКТНОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2012
  • Петров Сергей Николаевич
  • Решетников Геннадий Иванович
  • Савицкий Виталий Николаевич
RU2519872C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ В ПЛЕНКЕ ХРОМА 2010
  • Ратушный Владислав Петрович
  • Корешев Сергей Николаевич
  • Белых Анна Васильевна
  • Дубровина Татьяна Григорьевна
RU2442239C1
Способ устранения проколов в маскирующем слое фотошаблона 1982
  • Логинов Анатолий Викторович
  • Яковлев Владимир Александрович
  • Кузьмин Геннадий Арсентьевич
  • Шагисултанова Гадиля Ахатовна
SU1075229A1
КОМПОЗИЦИЯ АДГЕЗИОННОГО ПОДСЛОЯ ДЛЯ ФОТОМАТЕРИАЛОВ 1980
  • Дубровин А.В.
  • Петров С.А.
  • Савенкова Е.А.
  • Семененко Т.В.
  • Абрамов В.Н.
  • Поляков С.И.
  • Семененко Н.М.
SU841512A1
Способ получения изображений на галогенсеребряном фотографическом материале 1982
  • Андреев Юрий Сергеевич
  • Карташева Ольга Алексеевна
  • Пясецкая Ольга Викторовна
  • Груз Элла Абрамовна
  • Леонова Галина Георгиевна
  • Мерзляков Николай Степанович
  • Карнаухов Виктор Николаевич
SU1105849A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ УПРАВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО ЖК-ЭКРАНА (ЕГО ВАРИАНТЫ) 1991
  • Высоцкий В.А.
  • Моисеева О.Г.
  • Смирнов А.Г.
  • Усенок А.Б.
RU2019864C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОГРАФИЧЕСКОГО ГАЛОГЕНСЕРЕБРЯНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ФОТОЛИТОГРАФИИ 1982
  • Абрамов В.Н.
  • Буяновская П.Г.
  • Дубровин А.В.
  • Клюенкова А.Н.
  • Петров С.А.
  • Семененко Т.В.
  • Семененко Н.М.
SU1110302A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧИПОВ КОНЦЕНТРАТОРНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ 2010
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Калюжный Николай Александрович
  • Лантратов Владимир Михайлович
  • Малевская Александра Вячеславовна
  • Минтаиров Сергей Александрович
RU2436194C1
ФОТОШАБЛОН (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 1994
  • Ву-Сунг Хан
  • Чанг-Джин Сон
RU2144689C1

Реферат патента 1987 года Способ изготовления фотошаблона на галогенсеребряной фотопластине

Изобретение относится к технологии изготовления металлизированных фотошаблонов на стеклянной подложке. Цель изобретения - повышение износостойкости фотошаблона. Способ изготовления фотошаблона на галогенсеребряных фотопластинах включает экспонирование, проявление фотопластины, травление в растворе, содержащем хлорную медь, перекись водорода, уксусную кислоту и воду, в результате которого из негативного непрозрачного изображения удаляется серебро вместе с желатиной. После проявления фотопластины проводят фиксирование в кислом фиксаже, а после травления фотопластину высушивают, со стороны желатинового слоя напьшяют хром толщиной, обеспечивающей оптическую плотность не менее трех и обрабатывают водным раствором щелочи до полного удаления желатина. На прозрачной подложке остаются участки из хрома, повторяющие рисунок схемы. Способ изготовления фотошаблона позволяет экономить серебро и снизить расход фотопластин, 2- табл. (Л со ьо СП 00 СО О5

Формула изобретения SU 1 325 396 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1987 года SU1325396A1

Черняев В
Технология производства интегральных микросхем
- М.: Энергия, 1977, с, 198-199, Полиграфия, 1978, № 7, с
Видоизменение пишущей машины для тюркско-арабского шрифта 1923
  • Мадьяров А.
  • Туганов Т.
SU25A1

SU 1 325 396 A1

Авторы

Ганиев Джеймарс Хаматханович

Бызов Александр Данилович

Лабзин Сергей Михайлович

Шваб Юрий Александрович

Чекалин Сергей Михайлович

Даты

1987-07-23Публикация

1985-09-17Подача