Накопитель для запоминающего устройства Советский патент 1988 года по МПК G11C11/14 

;группы регистров хранения, соединенные через репликаторы 7 с четырьмя ocHOBHtiMH регистрами вьгеода 8, и маг- ниторезисторные элементы 9. Первая и вторая группы регистров .хранения через переключатели обмена 10 взаи- |мосвязаны с первым 11 и вторым 12 |регистрами ввода, соединенными соответственно с первым 13 и вторым 14 генераторами доменов, а третья и чет- вертая группы регистров хранения ана- |логично вЗ аимосвязаны с третьим 15 |и четвертым 16 генераторами доменов, |третьим 17 и четвертым 8 регистрами

ввода. Кроме того, накопитель содержит первый 19 и второй 20 дополнительные регистры вывода, соединенные с магниторезисторньми элементами, а также проводниковые шины генерации 21, обмена 22 и репликации 23, Благодаря тому, что генераторы и датчики включены последовательно и повернуты в плоскости пленки относительно друг друга, скорость ввода и вывода информации равна учетверенной частоте управляющего поля. При этом уменьшено число электрических вьгаодов накопителя. 2 ил.

Изобретение относится к оВласти вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах. Целью изобретения является сокращение времени обращения к накопителю. Устройство содержит магнитоодно- осную пленку 1 с доменами 2, на поверхности которой расположены первая 3, вторая 4, третья,5 и четвертая 6 ,20 (Л ю ел сх .J

1 ; Изобретение относится к вычислительной, технике и может быть исполь- |зовано в запоминающих устройствах на Цилиндрических магнитных доменах

|(цмд).

I Цель изобретения - сокращение вре ени обращения к накопителю,

I . . S...„

; На фиг,1 изображена конструкция

Накопителя; на фиг, 2 - временные гшаграммы сигналов с датчиков U,j и общего сигнала VfJ при объединении датчиков в мостовую cxeivry.

-, Накопитель содержит магнитоодноос yi6 пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности 1Которой расположены первая 3, вторая 4, третья 5 и четвертая 6 группы регистров хранения, соединенные- через репликаторы 7 ЦМД с четырьмя основными регистрами 8 вывода, магкиторе- Зисторные элементы 9, Первая и вто- рая группы регистров хранения через переключатели 10 обмена взаимосвязаны с первым 1I и вторым 12 регистрами ввода, соединенными соответственно с первым 13 и вторым 14 генераторами ЦВД, а третья и четвертая груп- цы регистров хранения аналогично йзаимосвязаны с третьим 15 и четвертым 16 генераторами ЦМД, третьим 17 И четвертым 18 регистрами ввода.Кро- Ме того, накопитель содержит первый 19 и второй 20 дополнительные регистры вьтода, соединенные с магнито- резисторными элементами, а также управляющие проводниковые щины генерации 21, обмена 22 и репликации 23.

Накопитель работает следующим об- 5 разом.

Для записи в накопитель информации в проводниковую щину 21 генерации последовательно во времени пода0 ются импульсы тока генерации с частотой, в четыре раза превышающей частоту поля управления Н,, что позволяет в течение одного периода изменения поля Нд занести в накопитель

C четыре информационных бита. Импульсы тока генерации, подаваемые в первой, второй, третьей и четвертой четверти каждого периода поля управления, разделяют зародышевые домены, находящиеQ ся соответственно под первым 13, вторым 14, третьим 15 и четвертым 16 генераторами ЦМД, и позволяют ввести ЦМД, соответствующие (Р+О-М, (р + + 2)-м, (р+3)-м и )-м битам5 записываемой информации (р 0,4, 8,.,.) в первый 11, второй 12, третий 17 и четвертьй 18 регистры ввода информации, продвигаясь пд которым, ЦМД поступают к переключателям 10 обмена одноименных групп регистров хранения информации. Подача в проводниковую шину 22 обмена импульса тока , вызывает параллельное занесение информации, находящейся в регистрах ввода информации, в регистры хране- ния информации соотпетствующих групп

0

с одновременной параллельной передачей ранее хранимого информационного блока из групп регистров хранения информации в соответствующие регистры ввода и далее выводом его за защитное ограждение рабочей.зоны кристалла,

Вьшод информации из накопителя инициируется импульсом тока реплика- ции, подаваемым в проводниковую шину 23 репликации и вызывающим деление ЦМД во всех четырех группах регистров хранения информации с последующим выводом копируемого информа- ционного блока в основные регистры 8 вывода информации. При этом каждый (р+О-Й, (р-(-2)-й, (р+3)-й и (р + + Д)-й биты блока (р 0,4,8,.,,) вьгеодятся соответственно в первый, второй, третий и четвертый основные регистры вывода информации, продвигаясь по которым, поступают к соответствующим магниторезисторным элементам 9, Последние для каждой из групп регистров хранения ориентированы относительно поля управления Н, а число элементов продвижения в каждом регистре 8 вывода выбрано таким, что вьгеодимые ЦМД проходят под магниторезисторными элементами со сдвигом в четверть периода (фиг,2 Поэтому при включении все четырех магниторезисторных элементов 9 в мостовую схему общий выходной сигнал eU)6f(f содержит в течение одного периода Uu- сигнал, соответствующий (р+1)-м, (р+2)-м, (р+3)-м и (р+4)-м битам считываемой информации с(р 0,4,8,,,,).

Использование общей щины 21 для всех четырех генераторов ЦМД и последовательное соединение магниторезисторных элементов уменьшает число электрических выводов накопителя,

Формула изобретения Накопитель для запоминающего устройства, содержащий магнитоодноосяую пленку, на поверхности которой рас- положены первая, вторая и третья и четвертая группы регистров хранения

0

5

5 0 5 0

5

Q

репликаторы, четыре основных регистра выводов, магнитосвяз5нные через репликаторы с регистрами хранения, первый, второй, третий и четвертый генераторы доменов, переключатели обмена, первый, второй, третий и четвертый регистры ввода, соединенные с соответствующими генераторами доменов, причем регистры ввода магнито- связаны через переключатели обмена с соответствующими группами регистров хранения, и управ тяющие проводниковые шины ртя генераторов домнов, переключателей обмена, репликаторов и магниторезисторных элементов,сое- диненные с соответствующими выводами накопителя, отлич-ающий- с.я тем, что, с целью сокращения времени обращения к накопителю, он содержит первый и второй дополнительные регистры вывода, генераторы дом- нов соединены одной проводниковой шиной, второй, третий и четвертый генераторы повернуты в плоскости пленки относительно первого генератора на угол 90° (К-О, где К 2,3 и 4 соответственно, второй, третий и четвертьгй магнкторезисторные элементы повернуты в плоскости пленки по отношению к первому магниторезис- торному элементу на угол 90 (К-1), где К 2,3 и 4 соответственно, причем третий, первый, четвертый,и второй магниторезисторные элементы сое- динены последовательно, третий и I второй магниторезисторные элементы I своими свободными концами подключены к первому и второму выводам датчиков накопителя, точка соединения третьего и первого магниторезисторных элементов соединена с третьими, выводами датчиков накопителя, а точ- ка соединения четвертого и второго магниторезисторных элементов соединена с четвертыми выводами датчиков накопителя, второй и четвертый маг- ниторезисторные элементы магнитосвя- заны с первым дополнительным резистором вывода, а первый и третий магниторезисторные элементы - с вторым дополнительным регистром вывода.

7

91

7 y

%

Л / , VA. .

% УНС

CmpoS

1

H П П П П

t

J

A

-

Фиг.г