Электролюминесцентная структура Советский патент 1987 года по МПК H05B33/26 

113

Изобретение относится к электролюминесцентным источникам света и может быть использовано -в устройствах визуальной индикации;

Целью изобретения являе 1 ся повышение технологичности с сохранением равномерности свечения при выполнении второго электродного слоя состоящим по крайней мере из двух изолированшз1 одна от другой частей.

На чертеже изображена электролюминесцентная структура, поперечное счение.

Структура содержит подложку 1, например, из стекла с нанесенным на нее первым электродньм слоем 2 из индий-оловянного окисла (,02) в виде пленки толщиной 40-50 нм, В структуре, предназначенной для рабо- ты на переменном токе, на поверхност первого электродного слоя 2 расположен дополнительный слой 3, представляющий собой пленку изолятора из Al20 толщиной 200-250 нм. На дополнитель- лом слое 3 расположен люминесцентный слой 4 на основе ZnSrMn в виде пленки, толщина которой примерно равна 300 нм. Поверх люминесцентного слоя

4расположен второй дополнительный слой 5, аналогичный -слою 3, На слое

5расположен слой резистивного материала 6 толщиной 5-100 нм. Слой 6 может быть выполнен в виде пленки из TiOj, InjOj, SnOj, индий-оловянного окисла (Inj(Sn,,Oj) или из углеродной пленки. На поверхности слоя резистивного материала 6 расположены электроды 7 и 8 второго электродного слоя, состоящие из связующего материала и электропроводных частиц и имеющие толщину 40-50 мкм,

В структуре, предназначе.нной для работы на постоянном токе, дополнительный слой 3 выполнен в виде плен- ки из TiO толщиной примерно ЮОнм, а второй дополнительный слой 5 - из титано-танталового окисла с толщиной пленки 200-500 нм,

Все сплошные слои (2-6) изготовлены по технологии эпитаксии атомными слоями, .

Форма и расположение индицируемых знаков задается формой и расположе- нием частей 7 и 8 второго электродного слоя, изготавливаемого по технологии толстых пленок из пасты, содержащей графитовые частицы.

о2

Изготовление слоя резистивного материала 6 сплошным повышает технологичность электролгоминесцентной струк туры, так этом отсутствует трудоемкая стадия литографии. Выбор максимальной толщины слоя 6 равной 100 им обусловлен необходимостью исключения токов между частями 7 и 8 второго электродного слоя, расстоя ние между которыми может составлять 50-100 мкм. Минимальная толщина слоя 6 (5 им) выбирается из условия получения достаточной величины сопротивления между точечными контак- тами второго электродного слоя- и соответствующими участками люминесцейтно го слоя 4 для выравнивания плотностей тока через эти участки, что обеспечивает равноме рность их свечения.

Сопротивление слоя 6 также ограничивает ток в случае электролюминес- центрюй структуры постоянного тока.

Формула изобретения

1. Электролюминесцентная структура, содержащая подложку, первый электродный слой, нанесенный на подложку второй электродный слой, расположенный на расстоянии от первого электродного слоя и состоящий из связующего и проводящих частиц, люминесцентный слой, расположенный между первым и вторым электродными слоями, по крайней мере один дополнительный слой для ограничения тока и/или химичес- . кой защиты, расположенный между электродным и люминесцентными слоями, слой резистивного материала, расположенный между люминесцентным и вторым электродным аюями в непосредственном контакте с последним,,о т - л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения технологичности с сохранением равномерности свечения при выполнении второго электродного слоя, состоящего по крайней мере из двух изолированных одна от другой частей, дополнительный слой резистивкого материала выполнен сплошным с толщиной, лежащей в пределах 5-100нм и находится в контакте с упомянутыми ч астями второго электродного слоя,

2. Электролюминесцентная структура по п,1, отличающаяся тем, что слой резистивного материала выполнен из TiOj. 1п2.0:, или SnO,

31327810 .

3. Электролюминесцентная структу-, 4. Электролюминесцентная структура по п.1, отличаю.щаяся - П.1, отличающаяся тем, что слой резистивного материала тем, что. слой резистивного ма- выполнен из индий-оловянного окисла g териала выполнен из углерод- .ной пленки.