Известны способы определения удельног-з и контактного сопротивлений полупроводниковых материалов путем подключения источника постоянного тока к торцам материала и измерения тока в цепи образца и падения напряжения на всем образце и между подсоединенными к нему зондами.
Пред-иагаемый способ определения удельного и контактного сопротивлений отличается от известных тем, что измерение напряжения производится быстродействующим самопишущим прибором и при вычислении искомых сопротивлений учитывается только быстро нарастаю-щая омическая составляющая падения напряжения. Медленно нарастающая составляющая падения напряжения в расчет не принимается, поскольку она является паразитной, так как обусловливается термоэлектродвижущей силой, возникающей в измерительной цепи.
Предлагаемый способ позволяет повысить точность определения удельного и контактного сопротивлений.
На фиг. 1 изображена принципиальная электрическая схема измерения сопротивлепий; на фиг. 2 - кривые а и б нарастания и уменьщения напряжения соотвечственно на зондах и в образце.
К торцам образца / припаивается по два проводника, включенных в токовую (/) и потенциальную (Я) цепи. На боковой поверхности образца закрепляются зонды 2 и 5. Измерение падения напряжения f/3 и t/ соответственно на зондах и на концах образца производят с помощью быстродействующего самопишущего потенциометра 4. Сила тока / определяется посредством ам перметра Л, для чего в токовую цепь / включена батарея 5.
№ 133117- 2 Общее падение напряжения на образце /;
(1 IJ1+IJI.
а падение напряжения на зондах;
f/3 /р JT ul ,
где и -омическое падение напряжения и U -термоэлектродвижущая сила на соответствующих контактах потенциальной цепи.
Исключение погрешности измерения, обусловленной возникновением паразитной термоэлектродвижущей силы, основано на медленном протекании нестгционарного процесса установления температурного поля в образце за счет выделения теплоты Пельтье и на использовании быстродействующего регистрирующего прибора, точно фиксирующего омическое падение напряжения U между зондами. Обозначая силу тока через /, расстояние между зондами через /i и длину образца через / вычисляем сопротивление R образца по формуле:
- . -J-
Для измерения падения напряжения на зондах U ключ 6 переводят в положение «Ub и ключом 7 замыкают токовую цепь /. На быстродействующем потенциометре 4 записывается кривая U нарастания напряжения на зондах (фиг. 2а).
Для определения контактного сопротивления ключ 6 ставят в положение «U и ключом 7 замыкают токовую цепь /. Кривая нарастания; напряжения U на образце записывается на потенциометре 4 (фиг. 26). Искомая величина контактного сопротивления вычисляется по формуле:
г } II,
р р р J
« f- - /,
После установления стационарного состояния /7 или U размыкают ключ 7 и получают кривые снижения напряжения до нуля аналогично Кривым его нарастания (фиг. 2а и 26), по которым также могут определяться U, т U
Предмет изобретения
Способ определения удельного и контактного сопротивлений полупроводниковых материалов путем подключения источника постоянного тока к торцам образца материала, измерения тока в цепи образца и падения напряжения на всем образце и между подсоединенными к нему зондами, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, напряжение измеряют быстродействующим самопиптущим прибором и при вычислении искомых сопротивлений используют омическую составляющую падения напряжения, не учитывая составляющей термоэлектродвижущей силы.
№ 133117
