Способы получения тонкой базы в полупроводниковых приборах известны. Однако процессы получения тонкой базы при больших размерах полупроводпиковых пластин, основанные на известных способах, весьма сложны.
В предлагаемом способе процесс получения тонко базы при меньших размерах полупроводниковых пластин значительно упрощен.
Предлагаемый способ основан на известном факте, что если имеется прослойка некоторого сплава в монолите полупроводникового материала и он помешен в температурное поле с градиентом температуры, перпендикулярным плоскости прослойки, то прослойка будет перемеп аться в сторону большей температуры при условии, что сама величина температуры достаточна для расплавления сплава. При этом участо-к полупроводникового материала, через который прошла прослойка (зона расплава), будет легирован желаемой, примесью, если последняя была в составе сплава.
На фиг. 1 (положение а и б ) изображены различные этапы процесса получения тонкой базы для структуры, содержашей один переход, а на фиг. 2 (положение а и б) -от структуры, содержащей два р п перехода.
Для получения тонкой базы в структуре, содержащей один р п переход (фиг. 1, а п б) на пластину 1, выполненную, например, из кремния р-типа, накладывают пластину 2 из легирующей примеси, например силумина, и пластину 5, выполненную из кремния и-типа. Полученную структуру помещают в печь с заданным температурным градиентом (), направленным в сторону пластияки 5 из кремния л-типа (фиг. 1а). Зная из опыта или соответствующего расчета скорость движения зоны при заданном градиенте, процесс ведут до тех пор, пока зона расплава не подойдет на необходимое расстояние П (где d-толщина базы) к границе пластинки 3 из кремния л-типа. За№ 133954-- 2 тем, не охлаждая композиции ниже точки эвтектики (), во избежание появления трещин в кремнии при малых величинах d, изменяют направление температурного градиента «а обратное ( Г) и отводят зону расплава в обратном «аправлении от полученной базы (фиг. 1,6).
Для получения топкой базы з структ -.ре, содержащей два р п перехода (фиг. 2,а и б) на пластину /, выполненную из кремния р-типа, накладывают пластинку 2 из силумина, пластину 3 из кремния л-типа, пластину 4 также из силумина, и, наконец, пластинку 5 из кремния р-тина. Причем желательно, чтобы обрашещсая -в сторону больщой температуры () пластинка 5 из кремния /р-типа была тоньше пластины 3 из кремния л-типа на величину d (фиг. 2,а). Помещают полученную структуру в печь с заданным температурным градиентом и ведут процесс до получения необходимой толщины базы d, после чего изменением направления температурного градиента на обратное отводят зону расплава в пластине 3 из кремния л-типа (зона расплава в лластине 5 из кремния р-типа выщла при описанном процессе «а поверхпость пластинки и в обратном направлении двигаться пе будет) от полученной тонкой базы и при необходимости выводят ее наружу (фиг. 2,6).
Предмет изобретения
Способ получения тонкой базы в полупроводниковых приборах, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса получения тонкой базы при больших размерах полупроводниковых пластин, на пластинку, выполненную, например, из кремния р-типа, накладывают пластинку из легирующей примеси, например силумина и пластинку, выполненную из кремния л-типа, полученную структуру помещают в печь с заданным темпе|:1атурны.м градиентом, доводят зону расплава до границы пластинки из кремния л-типа и, не охлаждая композиции ниже точки эвтектики, изменяют направление темпераlypHoro градиента, отводя зону расп.тава в обратном направлении.
г --- Ff
ni
k-i
5i
