Элемент с тремя состояниями Советский патент 1987 года по МПК H03K19/00 

113

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении выходных каскадов устройств с третьим (высокоимпедансным) состоянием.

Целью изобретения является повышение быстродействия, достигаемое путем сокращения последовательно соединенных узлов управления транзисторами выходного каскада.

На чертеже представлена электрическая принципиальная схема элемента с тремя состояниями.

Элемент с тремя состояниями содер- жит шину 1 питания, соединенную с коллектором первого п-р-п-транзисто- ра 2, эмиттер которого соединен с выходной шиной 3, общую шину 4, входную шину 5, соединенную с затворами первьк р- и п-транзисторов 6 и 7, первая управляющая шина 8 соединена с затвором второго п-транзистора 9, вторую управляющую шину 10, вторую 1 1 и третий 12 р-транзисторы, третий п-транзистор 13, второй п-р-п-тран- эистор 14, эмиттер которого соединен с общей шиной 4, коллектор - с выходной шиной 3, стоками первого р-транзистора 12 и первого п-транзистора 7, база - со стоками второго п-транзистора 9 и третьего п-транзистора 13, исток которого соединен с общей шиной 4, а затвор - с шиной 1 питания и с истоком второго р-транзистора 11, затвор которого соединен с второй управляющей шиной 10, сток - с истоком первого р-транзистора 6, сток которого соединен с базой первого п-р-п-транзистора 2 и с истоком

третьего р-транзистора 12, затвор которого соединен с общей шиной 4, исток первого п-транзистора 7 - со стоком второго п-транзистора 9,

Элемент работает следующим образом Для формирования лог. О и 1 на выходной шине 3 на шины 10 и 8 управления необходимо подать соответственно лог.

О

Ч. При подаче лог. О

на входную шину 5 открывается тран- зистор 6, создавая положительное сме

д

g о 5 5

0

812

щение на базе транзистора 2, и на шине 3 формируется лог. 1. Аналогично при подаче на шину 5 лог. 1 открывается транзистор 14, на шине 3 формируется лог. О. Для создания на . шине 3 третьего состояния, т.е. для выключения транзисторов 2 и 14, достаточно на шины 10 и 8 подать лог. 1 и О соответственно. В этом режиме транзистор 9 закрыт и благодаря постоянно открытому каналу транзистора 13 на базе транзистора 14 создается напряжение шины 4, и транзистор 14 закрывается. Транзистор 2 закры.- вается путем шунтирования перехода база - эмиттер открытым каналом тран- зистрра 12.

Формула изобретения

Элемент с тремя состояниями, содержащий шину питания, соединенную с коллектором первого п-р-п-транзистора, эмиттер которого соединен с выходной шиной, общую шину, входную шину, соединенную с затворами первых р- и п-транзисторов, первая управляющая шина соединена с затвором второго п-транзистора, отличающийся тем, что, с целью повьш1е- ния быстродействия, в него введены вторая управляющая шина, второй и третий р-транзисторы, третий п-транзистор, второй п-р-п-транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор - с выходной шиной, стоками первого р-транзистора и первого п-транзистора, база - со стоками второго п-транзистора и третьего п-транзистора, исток которого соединен с общей шиной, а затвор - с шиной питания и с истоком второго р-транзистора, затвор которого соединен с второй управляющей шиной, . сток - с истоком первого р-транзистора, сток которого соединен с базой первого п-р-п-транзистора и с истоком третьего р-транзистора, затвор которого соединен с общей шиной, исток первого п-транзистора соединен со стоком второго п-транзистора.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении выходных каскадов устройств с третьим высокоимпеданс- ным состоянием. Цель изобретения - повьшение быстродействия путем сокращения последовательно соединенных узлов управления транзисторами выкодного каскада. Для формирования логических (лог.) 1 и О на выходной шине 3 на шины 10 и 8 управления соответственно подают лог. 1 и О. При подаче лог. О на шину 5 открывается транзистор (т) 6, создавая положительное смещение на базе Т 2, , и на шине 3 формируется лог. Ч. При подаче на шину 5 лог. 1 открывается Т 14 и на шине 3 формируется лог. О. Дпя создания на шине 3 третьего состояния, т.е. для выключения Т 2 и Т 14, достаточно на шины 10 и 8 подать лог. 1 и О соответственно, В этом режиме закрыт Т 9 и закрывается Т 14. Т 2 закрывается путем шунтирования перехода база - эмиттер открытым каналом Т 12. 1 ил. с « (Л 4 1 00