Способ обнаружения дефектов изделий Советский патент 1987 года по МПК G01N27/24 

1135058

Изобретение относится к способам обнаружения дефектов с помощью магнитных полей и может быть использовано в различных областях техники.

Целью изобретения является повышение эффективности процесса за счет повышения точности обнаружения.

На чертеже представлены конфигурации магнитных полей разрядных кана- ig

лов, возникающих в разрядном промежутке .

Примеры 1-3. Приготовление пленки в качестве диэлектрика для обнаружения дефектов осуществляют по следующей технологии. Сначала готовят раствор поливинилового спирта (ПВС) путем растворения сухого ПВС в горячей воде (раствор «) и раствор хлор- нокислого железа (III) путем растворения в воде при комнатной температуре (раствор 6). Затем растворы а и 5 смешивают и доводят до определенного объема.

Полученный таким образом раствор (составы приведены в табл. 1) наносят на стеклянную подложку и высушивают при комнатной температуре. Для лучшего сцепления слоя с подложкой последнюю предварительно подслаивают путем окунания в 1%-ный водный раствор ПВС с последующим задубливанием при 150°С в течение 3 ч.

После приготовления пленки-диэлектрика производят обнаружение дефектов изделия путем воздействия на него электрическим разрядом и регистрации следов разрядных каналов, развивающихся из дефектных мест поверхности на диэлектрике.

Диаметр раковины точечной коррозии, мм 0,05-0,08 0,,020-0,05 0,04 0,03-0,07

Ширина раскрытия протяженного дефекта, мм 0,03

Размер следа на ре гистрирующем материале, мм

Регистрацию магнитных полей осуществляют по следующей схеме: на поверхность металлического заземленного образца с зазором или без него накладывают стеклянную пластинку с нанесенным слоем, причем он должен быть обращен, к образцу, сверху накладывают электрод, на который подают переменное напряжение от генератора. В ходе эксперимента напряжение изменяют в пределах 3-5 кВ при частоте 24 кГц. Образец и электрод представляют собой плоские пластинки (2x3 см), изготовленные из нержавеющей стали. При замыкании цепи в разрядном промежутке возникают искровые каналы. В местах их соприкосновения с пленкой начинается ее обугливание, охватывающее значительные площади, при этом под действием возникших магнитных полей частички обугленного слоя располагаются определенным образом, формируя изображение.

Результаты дефектоскопии с помощью составов.

Таблица 1

Fe(C10j, X

X HjO

20

150

200

Вода

До 1 л До 1 л До 1 л

40

Таблица2

0,01 0,015 0,02

-7

5-10

0,2-0,6

При дефектоскопии с помощью предлагаемой композиции достигается существенное увеличение регистрации следа разрядного канала, так как регистрируется не его слабое свечение, а связанное с ним магнитное поле,

Использование предлагаемого способа обнаружения дефектов позволяет выявлять более мелкие дефекты за счет получения увеличенных во много раз следов этих дефектов на регистрирующем материале. Тем самым повышается точность контроля мелких дефектов.

Формула изобретения Способ обнаружения дефектов изделий путем воздействия на них электрическим разрядом и регистрации полученного при этом свечения на диэлектрике, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса за счет повышения точности обнаружения, в качестве диэлектрика используют пленку, выполненную из состава, г/л:

Поливиниловый спирт

Fe(C10pj дн.О Вода

40-130 20-200 Остальное до 1 л.

Изобретение относится к области дефектоскопии и позволяет повысить эффективность процесса за счет повышения точности обнаружения. На изделие воздействуют электрическим зарядом и производят регистрацию полученного при этом свечения на диэлектрике. Для этого готовят пленку из композиции, содержащей, г/л: поливиниловый спирт 40-130, Ге(С10)з- 9Е,,0 20-200 и вода остальное до 1 л, на стеклянной подложке. Затем на поверхность металлического заземленного образца накладывают стеклянную пластину с пленкой, которая должна быть обращена к образцу, и сверху накладывают электрод, на который подают переменное напряжение. При замыкании цепи в разрядном промежутке возникают искровые каналы. Б местах их соприкосновения с пленкой начинается ее обугливание, при этом частички обугленного слоя располагаются определенным образом. 1 ил. 2 табл. S сл со ел О СП 00

S---;