Погружной полупроводниковый преобразователь Советский патент 1987 года по МПК H01L25/02 

Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковым преобразователям, работающим при больших давлениях окружающей среды.

Цель изобретения - повышение надежности работы путем равномерного приложения гидростатического давления к р-п-структурам.

На чертеже показан погружной полупроводниковый преобразователь, в котором применены корпусные штыревые тиристоры.

Преобразователь состоит из тиристоров 1, корпуса которых выполнены с отверстиями 2 и установлены на радиаторы 3. Тиристоры 1, радиаторы 3, блоки 4 управления и сосуд 5 с влагопоглотителем установлены на электроизоляционном каркасе 6, установленном внутри легкого корпуса 7, закрытого герметично крышкой 8, Полость корпуса заполнена диэлектрической жидкостью 9, Для заливки жидкост в выполнена заглушка 10, которая перед погружением герметизируется компаундом 11, Электрические выводы тиристоров 1 и блоков 4 управления через штепсельный разъем 12 и кабель 13, пропущенный через герметичный ввод 14, вьшолненный в крышке, выводятся наружу. Крышка 8 снабжена сильфоном 15, служащим компенсатором гидростатического давления .

Редактор О.Головач

Составитель Б.Иванов

Техред Л . Олийнык Корректор В. Бутяга

Заказ 5703/48 Тираж 697 Подписное БНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

0

5

0

5

0

5

Погружной полупроводниковый преобразователь работает следующим образом.

При погружении преобразователя с ростом наружного давления растет давление внутри корпуса преобразователя. Ввиду наличия отверстий в легких корпусах тиристорЬв и полупроводниковых приборов корпуса разгружены от давления и разрушению не подвергаются при сохранении.работоспособности, так как полупроводниковая структура при равномерном приложении гидростатического давления не чувствительна к его изменению. Формула изобретения.

Погружной полупроводниковый преобразователь, содержащий тиристоры с охлаждающими радиаторами и блоками управления, содержащими полупроводниковые приборы, расположенными внутри заполненного диэлектрической жидкостью герметически замкнутого легкого внешнего корпуса, снабженного компенсатором гидростатического давления воды и герметичными вводами, отличающийся тем, что, с целью повьшшния надежности работы путем равномерного приложения гидростатического давления к р-п-структурам, корпуса тиристоров и полупроводниковых приборов выполнены с отверстиями, при этом внутренние полости корпусов тиристоров и полупроводниковых приборов сообщаются с внутренней полостью преобразователя и заполнены диэлектрической жидкостью.

Изобретение относится к электротехнике. Цель изобретения - повышение надежности работы путем равномерного приложения гидростатического давления к р-п-структурам. Поставленная цель достигается тем, что в погружном полупроводниковом преобразователе применены корпусные штыревые тиристоры 1. корпуса которых выполнены с отверстиями 2. Тиристоры 1, радиаторы 3, блоки управления 4, сосуд 5 с влагопоглотителем размещены в полости легкого корпуса. 7, заполненного диэлектрической жидкостью 9. Ввиду наличия отверстий в корпусах тиристоров, корпуса разгружены от давления при сохранении работоспособности, так как р-п-структура не чувствительна к его изменению. 1 ил. I сл со ел Ю 00