Погружной полупроводниковый преобразователь Советский патент 1991 года по МПК H01L25/00 H01L23/44 

12

фиг.2

Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковым преобразователям, работающим при больших давлениях окружающей среды. Цель изобретения - повышение надежности - достигается тем, что в преобразователе, содержащем силовые полупроводниковые приборы 9 с радиаторами 10 и блоками управления 11, расположенные внутри заполненного диэлектрической жидкостью 5 герметически замкнутого внешнего корпуса, снабженного компенсатором 3 гидростатического давления воды и герметичными вводами, корпуса полупроводниковых приборов снабжены индивидуальными компенсаторами гидростатического давления, а их внутренние полости заполнены химически чистой и инертной по отношению к р-п- структурам диэлектрической жидкостью. 2 ил.