Электрофотографический материал Советский патент 1987 года по МПК G03G5/06 

Изобретение относится к злектро- фотографическим материалам и может быть использовано в ксерографии.

Целью изобретения является улучшение качества материала за счет снижения его темнового спада до и после циклического его использования.

Электрофотографический материал с дополнительным слоем связующего из электрически изолирующего органического вещества представляет собой электропроводящую подложку с нанесенным на нее последовательно генерирующим слоем фотопроводника на основе тригонального селена, обработанного гидроокисью, карбонатом, ацетатом или селенитом вещества, выбранного из группы, включающей г. натрий, калий.

Пример 3. Получение обработанного тригонального селена, содержащего 0,01% Na от массы селена. р. Процесс- ведут, как в примере 1 , с той разницей, что используют 0,01 N раствор NaOH.

Пример 4. Получение обработанного тригонального селена, содер- 10 жащего 1,0% лития.

Процесс ведут, как в примере 1, с той разницей, что используют 4,8 N раствор гидрата окиси лития. Общее содержание селенита лития и карбона- 15 та лития 1,0 мас.%.

Пример 5, Получение обработанного тригонального селена, содер-. жащего 1,0% калия.

Процесс ведут, как в примере 1,

тритий, рубидий и цезий, при их содер- 20 ° используют 4,8 N раствор гидрата

окиси К.

Общее содержание селенита калия и карбоната капия составляет ,0 мас,% при экви молярном соотношении по отноше1. Приготовление об- 25 нию к,, массе тригонального селена, раб.отанного тригонального селена, со- Пример 6, Получение обрабо- держащего 1,0% натрия от массы селена, танного тригонального селена, содерТригональный селен тщательно про- жащего 1,0% рубидия.

мывают и затем заливают до объема Процесс ведут, как в примере 1, 4 л 0,6 N раствором гидроокиси натрия д о используют 4,8 N раствор гидрата (NaOH). Можно использовать также окиси рубидия.

жании в слое фотопроводника 0,01- 12,0% от массы тригонального селена, И диспергированного в органической смоле.

Пример

0,6 N раствор карбоната натрия (NajCO,,NaHCO,) , ацетат натрия (CH,,COONa) и селенит натрия (NajSeO

Данный раствор перемешивают в течение 30 мин, твердым частицам дают возможность осесть и оставляют их в контакте с NaOH или ,, КаНСОз , CH,COONa, в течение 18 ч. Жидкую фазу декантируют, обработанный тригональный селен фильтруют через фильтровальную бумагу № 2, и затем сушат при 60 С в струе воздуха в течение 18 ч.

Среднее количество Na составляет ,0% от общей массы тригонального селена.

Пример 2: Приготовление об- 50 .т при температуре окружающей среды. На нее при влажности менее 20% и температуре 30°С наносят адгезионный слой, например, из 0,5%-ного раствора поливинилбутираля в этиловом - спирте толщиной сырого слоя 0,00254 мм с последующей сушкой данного слоя. Затем на него наносят слой с толщиной сырого слоя 0,0025 км, полученный из раствора следующим образом.

работанного тригонального селена, содержащего 12,0% Na от массы Se.

Процесс ведут, как в примере 1, с той раз 1ицей., что используют 4,8 N раствор NaOH.

Общее содержание селенита натрия и карбоната натрия составляет 12 мас„% при эквимолярном соотношении по от- ношению к массе тригонального селена.

Пример 3. Получение обработанного тригонального селена, содержащего 0,01% Na от массы селена. Процесс- ведут, как в примере 1 , с той разницей, что используют 0,01 N раствор NaOH.

Пример 4. Получение обработанного тригонального селена, содер- жащего 1,0% лития.

Процесс ведут, как в примере 1, с той разницей, что используют 4,8 N раствор гидрата окиси лития. Общее содержание селенита лития и карбона- та лития 1,0 мас.%.

Пример 5, Получение обработанного тригонального селена, содер-. жащего 1,0% калия.

Процесс ведут, как в примере 1,

I

Общее содержание селенита рубидия и карбоната рубидия ,0 мас.% при эквимолярном соотношении по отношению к массе тригоналького селена.

Пример 7. Получение обрабо-- танного тригонального селена, содержащего 0,6 мас.% цезия.

Процесс ведут, как в примере 1, но используют 4,8 N раствор гидрата окиси цезия.

Пример 8. Приготовление электрофотографгтческого материала, содержащего 20 мас.% фотопроводника на. основе обработанного тригонального селена в электрически активной смоле.

Электропроводящую подложку, напри- кер алюминиевуюз толщиной 0,0254 мм промывают метиленхлоридом () и

ды. На нее при влажности менее 20% и температуре 30°С наносят адгезионный слой, например, из 0,5%-ного раствора поливинилбутираля в этиловом спирте толщиной сырого слоя 0,00254 мм с последующей сушкой данного слоя. Затем на него наносят слой с толщиной сырого слоя 0,0025 км, полученный из раствора следующим образом.

3

В емкость помещают 0,8 г очищен- ного поли-М-винилкарбазола (ПВК), 14 мл смеси тетрагидрофурана (ТГФ) и толуола при их сойтношении 1:1, 100 г нержавеющей стальной дроби и 0,8 г обработанного тригонального селена. Полученную при этбм смесь обрабатывают в шаровой мельнице в течение 12 ч.

Получают электрофотографический материал, содержащий электропроводную подложку с нанесенным на нее слем фотопроводника, взятого в количестве 20% на основе тригонального

селена, обработанного либо гидроокисью, либо карбонатом, либо ацетатом, либо селенитом натрия, взятого в количестве 1% от массы тригонаного селена.

Пример 9. Получают электро фотографическии материал с содержанием фотопроводника в количестве 25 мас.%. Материал готовят, как в примере 7, с той разницей, что на подложку наносят слой 1%-ного, например, полиэфирного блок-сополимера в хлороформе с толщиной сухого слоя 0,0025 мм. Данный слой затем покрывают вторым слоем 1%-ного ПВК в бензоле с толщиной сухого слоя 0,0025 м На него наносят слой, приготовленны из раствора, содержащего 0,328 г ПВК, 0,0109 г ТГФ, 14 мл бензола, 100 г нержавеющей стальной дроби и 0,44 г обработанного тригонального селена, полученного по примеру 1.

Пример 10. Электрофотографический материал с дополнительным слоем связующего.

В электрофотографическом материале, полученном по примеру -7, слой с 20 мас.% фотополупроводника на основе тригонального селена, обработанного либо ,, либо NaHCO,, либо CHjCOONa, либо ,, взятых в количестве 1% от массы тригонального селена, является генерирующим носителем зарядов слоем. На данный генерирующий слой наносят переносящий заряды слой, приготовленный следующим образом.

50% поликарбоновой смолы с мол. массой 50000-100000 смещивают с 50% . Г N -дифенил-N, К -бис(З-метилфенил)- -(1,1 -бифенш1)-4,4 -диамина, затем смешивают с 15% метиленхлорида и смесь наносят поверх генерирующего слоя толщиной 25 мкм с влажностью

0

25

0

5

п

35

0

не более 15%. Затем полученный материал прокаливают при 70°С в течение 18 ч в вакууме. Далее элемент заряжают до максимального потенциала 1260 В, первоначально измеряют потенциал через 0,06 с после зарядки, че- рез 0,22 с элемент заряжается до потенциала 1200 В, что соответствует восстановленному темновому спаду 60 В. Через 0,66 с элемент разряжается до потенциала 1190 В, т.е. темно- вой спад равен 70 В. Усталостньш тем- новой спад характеризуется следующими величинами: максимальньт начальный потенциал, измеренный через 0,06 с после зарядки, 1300 В через 0,22 с в темноте разряжается до 1210 В, т.е. темновой спад составляет до 90 В. Через 0,66 с элемент разряжается до 1190 В, темновой спад 110 В.

Пример 11. Приготовление слоя, содержащего 30% обработанного тригонального селена по примеру 1, диспергированного в связующем.

Слой готовят следующим образом.

В чистую стеклянную посуду помещают нержавеющую стальную дробь, 7,5 г полиэфира, 11,5 г обработанного селена и 21 мл хлороформа. По- . суду помещают сначала в вибратор на .1 ч, а затем содержимое помещают в вакуумный эксикатор для удаления пузырьков воздуха. Полученную суспензию затем наносят на алюминиев то подложку.

Электрические свойства пластины проверяли путем ее зарядки электрическим полем напряженностью 20 В/мкм и разрядки ее под действием света с А 5800 °

840

А при освещенности фотон/см с. Пластина доста5

0

g

точно хорошо разряжается и может быть использована для формирования видимого изображения. Элемент заряжается положительной короной. Он имеет низкую скорость темнового спада по сравнению с необработанным триго- нальным селеном и имеет по сравнению с ним более стабильную фоторазрядку. Пример 12. Получение электрофотографического материала, содержащего обработанный селенитом лития и карбонатом лития тригональный селен, диспергированный в электрически активном смолистом связующем.

Алюминиевую подложку толщиной 0,127 мм промывают хлористым метиленом и в боксе при 30 С и влажности

20 % на нее наносят слой адгезива, например, из 0,5%-ного раствора поли- винилбутираля в этаноле толщиной 0,0127 мм с последующей сушкой сначала в течение 1 мин, а затем в течение 10 мин в сушильном шкафу при

юо с.

Генераторный слой, содержащий 20 о6.% обработанного тригонального селена, получают следующим образом.

В емкость из янтарного стекла вводят 0,8 г очищенного ПВК и 14 мл смеси ТГФ и толуола (1:1), добавляют 100 г дроби из нержавеющей стали и 0,8 г обработанного тригонального селена. Полученную смесь помещают в шаровую мельницу на 72 ч. Затем раствор наносят на полученньш ранее промежуточный слой с толщиной слоя во влажном состоянии 0,0127 мм и полученный материал прокаливают в вакууме при 100 С в течение 17 ч. Толщина покрытия в сухом состоянии 2 МКМо

Пример 13. Получение электрофотографического материала с дополнительным слоем связующегоS выполняющего функцию транспортного слоя, при этом слой, включающий обработанный

спад потенциала составляет 140 В, так как поверхностный потенциал снижается до 1000 В. Спустя 0,66 с

поверхностный потенциал составляет 880 В, что свидетельствует о том, что темновой спад составляет 260 В.

Пример 14. Получение электрофотографического Мс1териала, содер10 жащего обработанный селенитом калия к карбонатом калия тригональный селен, диспергированный в электрически активном полимерном связующем

15

20

Материал готовят, как в примере 11, с той разницей, что используют тригональный селен, обработанный по примеру 4.

Пример 15. Получение электрофотографического материала с дополнительным слоем связующего.

Материал готовятj как в примере 12.

Материал заряжают до максимально- 2g го потенп.иала 1400 В„ Спустя 0,22 с, в течение которых материал остается в темноте, его усталостный темновой спад потенциала составляет 80 В, т.е. поверхностный потенциал падает

ный потенциал составляет 1240 В, что соответствует темновому спаду 160 В.

тригональный селен, выполняет функцию QР-° 320 В. Спустя 0,66 с поверхност- генераторного слоя.

Получение данного материала производят по примеру 11. Пример 16. Получение электДалее на генераторный слои наносят , ,

i- i-рофотографического материала, содер35жащего обработанньй селенитом рубидия и карбонатом рубидия тригонапьПокрытие в виде транспортного слоя следующим образом. 50 мас.% поликарбонатной смолы с мол,массой 50000- 100000 смешивают с 50 мас.% N, N -ди- фенил-М,К -бис-(3-метилфенил)-(1,1 - бифенил)-4,4 -диамина и 15 мае .% метиленхлорида и смесь наносят в виде покрытия толщиной 25 мкм (в сухом виде) поверх генераторного слоя при влажности ,15% или менее. Затем раствор сушат при 70 С в вакууме в течение 18ч,

Усталостный темновой спад данного материала, содержащего тригональный селен с селенитом лития и карбонатом лития, определяют следующим образом. Материал оставляют в .темноте в течение 15 ч перед зарядкой, после чего его подвергают одному циклу снятия заряда. Затем элемент заряжают до максимального потенциала 1140 В, измеряемого первоначально спустя 0,06 с после зарядки; спустя 0,22 с, в течение которых материал остается в , темноте, его усталостньш темновой

ньм селен, диспергированный в электрически активном полимерном связующем.

40

MaтepиaJJ готовят, как в примере 11,, с той разницей, что используют тригональный селен, обработанный по примеру 5.

Пример 17. Получение элект- 45 рофотографического материала с дополнительным слоем связз ощего.

Материал готовят, как в примере 12.

Элемент заряжают до максимально- . го потенциала 1500 В и измеряют потенциал сначала через 0,06 с после зарядки; через 0,22 с, в течение которых материал остается в темноте, его усталостный темновой спад потенциала падает до 1440 В. Спустя 0,66 с поверхностный потенциал падает до 1360 В, что свидетехйз- ствует о том, что.темновой спад равен 140 В.

50

56

спад потенциала составляет 140 В, так как поверхностный потенциал снижается до 1000 В. Спустя 0,66 с

поверхностный потенциал составляет 880 В, что свидетельствует о том, что темновой спад составляет 260 В.

Пример 14. Получение электрофотографического Мс1териала, содержащего обработанный селенитом калия к карбонатом калия тригональный селен, диспергированный в электрически активном полимерном связующем

Материал готовят, как в примере 11, с той разницей, что используют тригональный селен, обработанный по примеру 4.

Пример 15. Получение электрофотографического материала с дополнительным слоем связующего.

Материал готовятj как в примере 12.

Материал заряжают до максимально- го потенп.иала 1400 В„ Спустя 0,22 с, в течение которых материал остается в темноте, его усталостный темновой спад потенциала составляет 80 В, т.е. поверхностный потенциал падает

ный потенциал составляет 1240 В, что соответствует темновому спаду 160 В.

Р-° 320 В. Спустя 0,66 с поверхност-

ньм селен, диспергированный в электрически активном полимерном связующем.

40

MaтepиaJJ готовят, как в примере 11,, с той разницей, что используют тригональный селен, обработанный по примеру 5.

Пример 17. Получение элект 45 рофотографического материала с дополнительным слоем связз ощего.

Материал готовят, как в примере 12.

Элемент заряжают до максимально- го потенциала 1500 В и измеряют потенциал сначала через 0,06 с после зарядки; через 0,22 с, в течение которых материал остается в темноте, его усталостный темновой спад потенциала падает до 1440 В. Спустя 0,66 с поверхностный потенциал падает до 1360 В, что свидетехй ствует о том, что.темновой спад равен 140 В.

50

56

Приме р 18. Получение электрофотографического материала, содержащего обработанный селенитом цезия и карбонатом цезия тригональный се- лен, диспергированный в электрически активном связующем.

Материал готовят, как 6 примере 11, но используют тригональньй селен, обработанный по примеру 6.

Пример 19. Похгучение электрофотографического материала с дополнительным слоем связующего.

Материал готовят, как в примере 12

Материал оставляют перед зарядкой на 15 ч в темноте, после чего его подвергают одному циклу снятия заряда. Затем материал заряжают до максимального потенциала 1540 В, измеряемого первоначально спустя 0,06 с пос- ле зарядки; через 0,22 с, в течение которых материал остается в темноте, его усталостньш темновой спад потенциала составляет ВО В, так как его поверхностный потенциал падает до 1460 В, Спустя 0,66 с его поверхностный потенциал падает до 1400 В, т.е. темновой спад равен 140 В.

В таблице приведены показатели электрофотографического материала с

Предлагаемьй материал

1100 920 77016,0

Известный материал

1140 1000 88012,0

1400 1320 1240:6,0

1540 1460 1400. 4,1

1500 1440 13605,5

1090 980 9107,0

ание: Толщина 25 мкм;

плотность заряда 1,2-103 Кл/м

ВНИИДИ ; Заказ .5819/39 . Тираж 421

Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

использованием обработанного триго- нального селена.

Формула изобретения

1.Электрофотографический материал, состоящий из электропроводящей подложки и нанесенного на нее слоя фотопроводника на основе тригонально- го селена, диспергированного в органической смоле, отличающий- с я тем, что, с целью улучшения качества материала за счет снижения темнового спада материала.до и после циклического его использования, в качестве фотопроводника он содержит тригональный селен, обработанный гидроокисью, карбонатом, ацетатом или селенитом вещества , выбранного из группы, включающей натрий, калий, литий, рубидий и цезий, при их содержании в слое фотопроводника, равном 0,6-12,0% от массы тригонального селена.

2.Материал поп.1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит слой связующего из электрически изолирующей органической смолы, нанесенной на слой фотопроводника.

Подписное

Изобретение относится к электрофотографическому материалу и может i быть использовано в ксерографии. Цель изобретения - улучшение качества материала. Электрофотографический материал с дополнительным слоем связующего из электрически изолирующего органического вещества представляет собой электропроводящую подложку с нанесенным на нее последовательно генерирующим слоем фотопроводника на основе тригонального селена, обработанного гидроокисью, карбонатом, ацетатом или селенитом вещества, выбранного из группы, включающей натрий, калий, литий, рубидий и цезий, при их содержании в слое фотопроводника, равном 0,01-12,0% от массы тригонального селена и диспергированного в органической смоле, и транспортирующим слоем на основе электрически изолирующего органического вещества. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. О) со ел О5 N0 Ы