Накопитель информации на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1987 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах.

Цель изобретения - снижение потребляемой мощности и упрощение накопителя.

На фиг. 1 и 2 показана, конструкция накопителя.

Накопитель информации на ЩЩ содержит немагнитную подложку 1, на поверхности котЪрой расположена маг нитордноосная пленка 2, на поверхности последней расположены первый 3 и второй 4 слои проводника, разделенные слоями диэлектрика 5. В слоях проводника выполнен канал про- Движения ЦМД в виде смещенных по слям проводника рядов отверстий 6. В первом слое выполнен генератор ЦМД в виде параллельной краю слоя 3 проводниковой шины, состоящей из последовательно соединенных низкоомног 7 и высокоомного 8 участков. В месте соединения участков у шины имеется вывод 9 на несмежной со слоем проводника стороне, соединенный с электродом 10 генератора. В проводниковой шине с обеих сторон от вывода имеются пазы 11 и 12 а концы шины соединяются со слоем проводника.

Первый управляющий электрод 13 соединен с первым слоем проводника высокоомного участка шины, а общий электрод 14 соединен с первым, слоем проводника со стороны низкоомного участка шины. Второй слой проводника соединен с вторым управляющим электродом и общим электродом. Для выполнения участка 8 шины с повышенным сопротивлением по сравнению с участком 7 в нем выполнены отверстия 15. Датчик 16 ЦМД расположен в конце канала продвижения ЩЩ и вблизи отверстия, вытянутого поперек направления движения ЦМД и являющегся расширителем.ЦМД. На участке 7 выполнен дополнительный паз 17.

Накопитель работает следующим образом.

При продвижении ЦМД по каналу первый и второй управляющие электроды возбуждаются переменным током, сдвинутым по фазе в разных слоях на 1/4 периода. В канале продвижения ЦМД при этом возникают движущиеся

магнитостатичйские ловушки, которые продвигают ЦЬЩ. Считывание ЦМД производится датчиком Щ-Щ обычным образом с использованием магниторе- зистивного эффекта. Для генерации ЦМД электрод 10 возбуждается током генерации, который протекает через низкоомный участок шины, первьй слой

проводника к общему электроду 14. Присоединение общего электрода 14 к первому слою проводника со стороны низкоомного участка шины 7 и соединение этого участка со слоем проводника поз.воляет устранить вихреобраз- ное протекание тока через весь первый слой, что могло бы вызвать сбой в работе других узлов устройства.

За счет выполнения дополнительного

паза 11 точка генерации ЩЩ вынесена от края в глубь шины и находится в точке максимальной плотности тока около торца дополнительного паза. Далее продвигается каналом, образованным отверстиями 6. Дополнительные отверстия 15 в участке шины увеличивают сопротивление участка шины до его значения в слое 3, чем устраняется вертикальная компонента

магнитного поля на границе слоя 3 и проводниковой шины.

Формула изобретения

Накопитель информации на цилиндрических магнитных доменах, содержащий немагнитную подложку с расположенной на ней магнитоодноосной пленкой, на поверхности которой расположены разделенные слоем диэлектрика первый и второй слои проводника, в которых выполнен канал продвижения цилиндрических магнитных доменов в виде смещенных по слоям проводника

рядов отверстий, генератор цилиндрических магнитных доменов, выполнен- ньш в виде параллельной краю первого слоя проводника проводниковой шины, состоящей из последовательно соединенных низкоомного и высокоомного участкрв с выводом на несмежной со слоем проводника стороне в месте соединения низкоомного и высокоомного участков шины, в последнем из которых выполнен смежный с выводом паз, первьй управляющий электрод, общий и втор.ой управляющий электроды, соединенные с вторым слоем проводника, а также датчик цилиндрических магнитных доменов, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и упрощения накопителя, в низкоомном участке проводниковой шины выполнен смежный с выводом дополнительный паз, низкоомный участок проводниковой шины соединен с первым

слоем проводника, общий электрод соединен с первым слоем проводника со стороны низкоомного участка проводниковой шины, а первый управляющий электрод соединен с первым слоем проводника со стороны высокоомного участка проводниковой шины.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и упрощение накопителя. Накопитель информации на ЦМД содержит немагнитную подложку 1, на поверхности которой расположена магнитоод- ноосная пленка 2, на поверхности которой расположены первый 3 и второй 4 слои проводника, разделенные слоя ми диэлектрика 5. В слоях проводника вьшолнен канал продвижения Щ-Щ в 66 I/ виде смещенных по слоям проводника рядов отверстий 6. В первом слое вы- полнен генератор ЦМД в виде параллельной краю слоя 3 проводниковой шины, состоящей из последовательно соединенных низкоомного и высокоом- ного участков. В месте соединения участков у шины имеется вывод на несмежной со слоем проводника стороне, соединенный с электродом генератора. В проводниковой шине с обеих сторон от вывода имеются пазы, а концы шины соединяются со слоем проводника. Первый электрод управления соединен с первым слоем проводника высокоом- ного участка шины, а общий электрод соединен с первым слоем проводника со стороны низкоомного участка шины. Второй слой проводника соединен с вторым управляющим электродом и об- , щим электродом. Для вьтолнения участка шины с повышенным сопротивлением по сравнению с низкоомным участком в. нем выполнены отверстия. Датчик ЦМД расположен в конце канала продвижения ЦМД и вблизи отверстия, вытянутого поперек направления движения ЦМД и играющего роль расширителя ЦМД. 2 ил. с & (Л фуг. 7

/5 15 15 фиг. 2

Редактор В.Петраш

Составитель Ю.Розенталь

Техред М.Дидык Корректор С.Черни

Заказ 6297/52 Тираж 588Подписное

ВШШПИ Госуда рственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

.Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4