Устройство для измерения коэффициента отражения Советский патент 1987 года по МПК G01R27/06 

Изобретение относится к технике высокочастотных измерений и может быть использовано для определе1тая коэффициентов отражения от листовых материалов в диапазоне углов.падения электромагнитной волны.

Целью изобретения является повышение точности.

На фиг.1 представлена структурная схема устройства для измерения коэффициента отражения; на фиг.2 - вид А на фиг.1.

Устройство для измерения коэффициента отражения, содержит СВЧ-генера- тор 1, выход которого соединен с передающей антенной 2, отражатель 3, образованный внутренней поверхностью эллипсоида, ограниченного поверхностями, проходящими через большую и малую оси эллипсоида, исследуемый материал 4, расположенный в первом фокусе эллипсоида, приемную антенну 5, соединенную с входом приемника 6, при этом приемная и передающая антен ны 5 и 2 расположенны в одной плоскости, перпендикулярной большой оси эллипсоида, с возможностью вращения относительно нее, оси приемной и передающей антенн расположены под равными углами к поверхности исследуемого материала 4 и проходят через второй фокус эллипсоида.

Устройство для измерения коэффициента отражения работает следующим об

о

разом.

Сигнал от СВЧ-генератора 1 с помощью передающей антенны 2 излучается в сторону отражателя 3. Отраженный от поверхности отражателя 3 сигнал попадает в центр исследуемого материала 4, расположенного в первом фокусе эллипсоида. Отразившись от исследуемого материала 4 и вновь от отражателя 3, сигнал попадает в приемную антенну 5 и поступает в приемник 6.

Фазовые корректоры для передающей и приемной антенн 2 и 5 позволяют получить в районе исследуемого материала 4 плоский фазовый фронт падающей эле1$тромагнитной волны за счет перемещения фазовых центров передающей и приемной антенн 2 и 5 во второй фокус эллипсоида. При синхронном повороте приемной и передающей антенн 5 и 2 в горизонтальной плоскости в противоположные стороны относительно большой оси эллипсоида можно изме

5

10

15

20

25 630852

рять коэффициент отражения в диапазоне углов падения электрЬмагнитной волны, при этом угол поворота передающей и приемной антенн 2, 5 от большой оси эллипсоида равен углу падения электромагнитного излучения на исследуемый материал 4.

Наличие отражателя 3, выполненного в форме внутренней поверхности эллипсоида, ограниченного плоскостями, проходящими через большую и малую оси эллипсоида, и применение фазовых корректоров позволяют повысить точность измерений коэффициента отражения за счет точности измерения угла падения электромагнитного излучения на исследуемый материал 4, получения плоского фазового фронта падающей электромагнитной волны в районе исследуемого материала 4 и уменьшения связи приемной и передающей антенн 5 и 2 из-за лучшей их пространственной развязки.

Формула изобретения

1.Устройство для измерения коэф- фициента отражения, содержащее СВЧгенератор, выход которого соединен с передающей антенной, приемник, вход которого соединен с приемной .антенной, исследуемый материал и отражатель, образованный частью внутренней поверхности эллипсоида, в первом фокусе которого расположен исследуемый материал, а оси приемной и передающей антенн расположены под равными углами к поверхности исследуемого материала, отличающееся тем, что, с целью повьштения точности, отражатель ограничен поверхностями, проходящими через большую и малую оси эллипсоида, приемная и передающая антенны расположены в одной плоскости,перпендикулярной большой оси эллипсоида, и установлены с возможностью вращения относительно нее, при этом приемная и передающая антенны обращены к поверхности Ьтражателя, расположенного напротив исследуемого материала, а их оси проходят через второй фокус эллипсоида.

2.Устройство по П.1, о т л и - чающеесяг тем, что передающая и приемная антенны снабжены фазовыми корректорами, установленными в их раскрыве.

ЬидА

/Р2

PU8.2

Изобретение относится к технике высокочастотных измерений и обеспечивает повышение точности. Исследуемый материал (ИМ) располагается первом фокусе отражателя 3, образованного внутренней поверхностью эллипсоида, ограниченного поверхностями, проходящими через большую и малую оси эллипсоида. В плоскости, перпендикулярной большой оси эллипсоида, расположены передающая антенна 2 и приемная антенна 5. Их оси расположены под равными углами к поверхности ИМ 4 и проходят через второй фокус эллипсоида. Сигнал СВЧ-генератора I излучается передающей антенной 2 в сторону отражателя 3. Отраженный сигнал попадает в центр ИМ 4. Отразившись от ИМ 4, сигнал вновь отражается от отражателя 3, попадает в приемную антенну 5 и поступает в приемник 6. При снабжении антенн 2,5 фазовыми корректорами можно получить в районе ИМ 4 плоский фазовый фронт падающей электромагнитной волны. При синхронном повороте антенн 2,5 в гориз. плоскости в противоположные, стороны относительно большой оси эллипсоида можно измерять коэф. отражения в диапазоне углов падения электромагнитной волны. 1 3.п. ф-лы, 2 ил. (Л Фиг. 1

Составитель Ё. Адамова Редактор Н.Шввдкая Техред Л.Сердюкова Корректор Л.Пилипенко

Заказ 6399/34

Тираж 730Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4