Устройство записи информации на основе бистабильных переключателей Советский патент 1988 года по МПК H01L29/24 

со а

Изобретение относится к полупроводниковой электронной технике и может быть использовано при репрограммировании матриц памяти на основе

некристаллических полупроводниковых

элементов памяти.

Целью изобретения является повьше- ние надежности устройства.

На фиг.1 представлено устройство записи на основе аморфного элемента; на фиг.2 - диаграммы работы устройства.

Устройство содержит источник 1 постоянного напряжения смещения бис- табильного элемента, источник 2 постоянного напряжения смещения базы, генератор 3 импульсов записи, элемент 4 задержки, высокоомчый источник 5 напряжения, бистабильный элемент 6, токозадающий элемент 7 на резисторе, усилительный элемент 8 на транзисторе, ограничительные элементы 9, 10 на резисторах, разделительные элементы 11 - 13 на диодах, информационные выходы 1А, 15, делитель 16 напряже-. ния, состоящий из элементов 9, 10, транзисторный формирователь 17. тока состоит из элементов 7, 8, делителя 16 напряжения и источника 2.

Работа осуществляется следующим образом.

В исходном состоянии транзисторны формирователь 17 тока находится в насыщении за счет смещения на базе элемента 8 от источника 2. Элемент 6 находится в высокоомном состоянии, на выводах 14, 15 элемента 6 находятся соответственно потенциалы источников 1. 5. Разность потенциалов долж

на быть меньше И„„р , где Uf,op - пороговое напряжение бистабильного переключателя . По сигналу Пуск источник 5 сигнала по первому выходу вьфабаты- вает положительный уровень напряжения, обеспечивающий заданное падение напряжения на коллекторе элемента В. В результате происходит запирание коллекторного перехода и через формирователь 17 протекает ток заданной величины. По второму выходу источника 5 срабатывает элемент 4 задержки и осуществляет задержку коротко- импульсного сигнала (фиг.2) включения генератора 3 относительно переднего фронта сигнала источника 5 на время, соответствующее времени запирания коллекторного перехода элемента 8. При включении бистабильного переключателя 6 в проводящее состояние ко- роткоимпульсным сигналом от генератора 3 через диод 11 и переключатель 6 начинает протекать ток заданной величины от источника 1, записывающий проводящее состояние. При этом неуправляемое токовое воздействие на переключатель 6 исключается.

Раздельное управление включением в проводящее состояние и записью би- стабильного элемента исключает многократное неуправляющее переключение длительным импульсом напряжения генератора 3.

Формула изобретения

Устройство записи информации на основе бистабильных переключателей, содержащее бистабильный переключатель на аморфном полупроводнике, ограничительный и токозадающий элементы

на резисторах, усилительный элемент на транзисторе, источник напряжения смещения базы транзистора усилительного элемента, выходы которого под- . ключены соответственно к первому выводу резистора ограничительного элемента и щине нулевого потенциала, соединенной с. первым выводом резистора токозадающего элемента, вторые выводы резисторов ограничительного и токозадающего элементов подключены соответственно к базе и эмиттеру транзистора усилительного элемента, коллектор которого подключен к первому выводу бистабильного переключателя и является

первым информационным выходом устройства, второй вывод бистабильного элемента является вторым информационным выходом устройства, отличающееся тем, что, с целью повьщ1е- ния надежности устройства, в него введены генератор импульсов включения бистабильного переключателя, высоко- омный источник напряжения, источник постоянного напряжения смещения бистабильного переключателя, элемент задержки, второй ограничительный элемент на резисторе, первый, второй и третий разделительный элементы на диодах, причем выходы источников постоянного напряжения смещения бистабильного переключателя и высокоомного источника напряжения сигнала подключены соответственно к анодам первого и третьего диодов разделительных эле

ментов, катоды которых подключены соответственно к второму и первому выводам бистабильного переключателя, вход и выход элемента задержки подключены соответственно к второму выходу высокоомного источника напряжения сигнала и входу, генератора импульсов записи информации, управляющий вход высокоомного источника напряжения является управляющим входом устройства, выход генератора импуль

сов записи информации подключен к аноду диода второго разделительного элемента, катод которого подключен к второму информационному выходу устройства, выводы резистора второго ограничительного элемента подключены соответственно к базе транзистора усилительного элемента и шине нулевого потенциала, заземляющие вьюоды всех источников напряжений подключены к шине нулевого потенциала.

Изобретение относится к области полупроводниковой электронной техники и может быть использовано при репро- граммировании матриц памяти на основе некристаллических элементов памяти. Цель изобретения - повьшение надежности устройства записи информации. В устройстве записи на основ аморфных полупроводников применено раздельное воздействие сигналов, поступающих через разделительные элементы на один из выводов бистабильного переключателя. Введение дополнительного дысокоомнрго источника сигнала и схемы задержки позволяет исключить неуправляемое токовое воздействие на бистабильный переключатель в момент включения в провогящее состояние. Раздельное управление включением в проводящее состояние и записью бистабильного элемента исключает его многократное неуправляемое переключение длительным импульсом напряжения. 2 ил. (Л

Ин(рормац. выхо&ы

так

Hf mi/L