Способ определения сопротивления тела коллектора транзистора Советский патент 1988 года по МПК G01R31/28 G01R27/00 

со

ч1

о

Од

со ел

Изобретение относится к способам контроля параметров интегральных микросхем и может быть использовано при производстве и применении интегральных микросхем.

Цель изобретения - расширение области-применения способа путем распространения его на выходные транзисторы в составе интегральных микро схем транзисторно-транзисторной логики за счет проведения измерений при двух различных напряжениях питания интегральной микросхемы. В результате обеспечивается задание двух различных значений токов базы выходного транзистора.

На чертеже представлены вольт-амперные характеристики выходного транзистора микросхемы, иллюстрирующие операции способа.

Способ заключается в том, что на входы интегральной микросхемы подают сигналы, переводящие выход микросхе

противление Hf находится в пределах 0,5-0,7 град/мВт для транзисторов в интегральных микросхемах, типовое значение Кц для интегральных транзисторов, используемых в схемах диф- ровых элементов, равно 5-100 м.

Измеряют вольт-амперную характеристику выходного транзистора при

П.Ч(,

напряжении питания Е ЕПМОКС ) изменяя его коллекторный ток от нуля до величины, при которой этот транзистор оказывается в активном режиме работы. Затем задают другое значение напряжения питания интегральной микросхемы ,ЛЕ„

Е

п. 2

Е

) и опять измеряют

вольт-амперную характеристику выходного транзистора при изменении i тока коллектора зтого транзистора от нуля до величины, при которой этот транзистор оказывается в активном режиме работы. Далее вычисляют отношение значений тока коллектора

Изобретение относится к контролю параметров интегральных микросхем (М). Пель изобретения - расширение области примс: ония способа. Вход М соединяют с шиной питания или общей шиной для получения на исследуемом выходе уровня логического нуля. Затем снимают две вольт-амперные характеристики (ВАХ) выходного транзис тора М при двух значениях напряжения питания. По двум ВАХ определяют отношение значений коллекторного тока (КТ) в области активного режима и находят два значения КТ в области насыщения, находящихся в том же отношении. После этого определяют по каждой ВАХ соответствующие значения падения напряжения и вычисляют сопротивление тела коллектора транзистора из отношения разности значений падения напряжения к разности соответствующих значений КТ в области насыщения. 1 ил. сл

мы, образованный исследуемым транзис- 25 в области активного режима работы

тором, в состояние О. В этом состоянии микросхемы базовый ток выходного транзистора определяется напряжением питания, так как транзистор, эмиттер которого связан с базой выходного транзистора, открыт При определенном значении напряжения питания измеряют выходную вольт-амперную характеристику выходного транзистора. Значение напряжения питания выбирается в интервале, нижняя граница которого соответствует минимальному значению напряжения питания Е, д,„, достаточному для функционирования схемы в режиме О на выходе. Верхняя граница Е, д,,. определяется коллекторным током через выходной транзистор, который соответствует предельно допустимому значению мощности рессеивания, зависящему, с одной стороны, от допустимой темпера- .туры перехода Тг,ер. АОП температуры окружающей среды и теплового сопротивления переход - среда R, а с другой стороны, от тока I,, протекающего через транзистор, и падения напряжения перехода коллектор - эмиттер

30

35

40

45

50

транзистора при двух значениях нап жения питания интегральной микросх мы и на вольт-амперных характерист ках в области режима насыщения зад ют два значения коллекторного тока выходного транзистора (по одному з чению на каждую вольт-амперную хар теристику) , находящихся в том же о ношении, и соответствующие им два значения падения напряжения коллек тор - эмиттер о Сопротивление тела коллектора выходного транзистора о ределяют по отношению разности зна чений падения напряжения коллектор эмиттер в режиме насыщения к разно ти соответствующих значений коллек торного тока.

Формула изобретени

Способ определения сопротивлени тела коллектора транзистора, согла но которому задают два значения то ка коллектора в области насыщения транзистора, измеряют падение напр жения между коллектором и эмиттеро вычисляют сопротивление тела колле тора транзистора по полученным дан ным, отличающийся тем что, с целью расширения области пр менения способа путем распростране ния его на выходные транзисторы в составе интегральных микросхем тра зисторно-транзисторно1Ч логики, пер водят выход микросхемы, образовани,

-гТ-г, Тпер АОП. -Tckp

- 1 Г fe - - - - -.- -.-.

Допустимая температура перехода составляет не менее 150 С для кремниевых транзисторов, а тепловое со

транзистора при двух значениях напряжения питания интегральной микросхемы и на вольт-амперных характеристиках в области режима насыщения задают два значения коллекторного тока выходного транзистора (по одному значению на каждую вольт-амперную характеристику) , находящихся в том же отношении, и соответствующие им два значения падения напряжения коллектор - эмиттер о Сопротивление тела коллектора выходного транзистора определяют по отношению разности значений падения напряжения коллектор - эмиттер в режиме насыщения к разности соответствующих значений коллекторного тока.

Формула изобретения

Способ определения сопротивления тела коллектора транзистора, согласно которому задают два значения тока коллектора в области насыщения транзистора, измеряют падение напряжения между коллектором и эмиттером, вычисляют сопротивление тела коллектора транзистора по полученным данным, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа путем распространения его на выходные транзисторы в составе интегральных микросхем тран- зисторно-транзисторно1Ч логики, переводят выход микросхемы, образованный коллектором исследуемого транзистора, в состояние логического нуля, задают два различных значения напряжения питания интегральной микросхемы в области допустимых напряжений и определяют отношение токов коллектора выходного транзистора в

активном режиме работы при первом и втором значениях напряжения питания, а по полученному отношению выбирают значения токов коллектора выходного транзистора в области насыщения, при которых проводят измерения.

гь и.,в