(Л
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Датчик давления | 1977 |
|
SU853442A1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ТОНКОПЛЕНОЧНЫМИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРАМИ | 2010 |
|
RU2411474C1 |
Датчик давления | 1990 |
|
SU1778569A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДОМ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2009 |
|
RU2406985C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДНЫМ СИГНАЛОМ | 2009 |
|
RU2398196C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДНЫМ СИГНАЛОМ | 2009 |
|
RU2408857C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ТОНКОПЛЕНОЧНЫМИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРАМИ | 2010 |
|
RU2427810C1 |
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ КНИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2015 |
|
RU2609223C1 |
ЧАСТОТОРЕЗОНАНСНЫЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО ДАВЛЕНИЯ И ЧАСТОТОРЕЗОНАНСНЫЙ ДАТЧИК ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО ДАВЛЕНИЯ | 2017 |
|
RU2690699C1 |
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2009 |
|
RU2391640C1 |
Изобретение отнбсится к области измерительной техники. Цель изобретения - повьшение точности измерения. В корпус 1 подается измеряемая среда, и изменяется ее давление. Под действием давления прогибается упругий элемент 2, в результате чего изменяется частота RC-генератора, которая и измеряется. 2 ил.
X
фиг.
со
1Г
9 ел
со
Изобретение относится к измерительной технике и может быть испо; ь- зовано для измерения давления.
Цель изобретения - повьшение том- ности измерения.
На фиг. 1 изображено устройство, общий ВИД} на фиг. 2 - упрощенная схема включения тензорезистора и сло металла по RC-схеме в генератор.
Устройство содержит корпус 1 с упругим элементом 2, на котором расположен тензорезистор 3, покрытый диэлектриком 4 и слоем металла 5. Тензорезистор 3 выполнен в виде коакси- ального микропровода в стеклянной изоляции, которая выполняет роль диэлектрика 4. Тензорезистор 3 и слой металла 5 .включены по RC-схеме в частотно-задакндий контур генератора.
Устройство работает следукяцим образом.
IJ
В корпус 1 подается измеряемая среда и изменяется ее давление. Под действием давления прогибается упругий элемент 2,в результате чего изменяется частота RC-генератора, которая и измеряется.
Формула изобретения
Устройство для измерения давления, содержащее корпус с упругим элементом, на котором закреплен тензорезис- тор, включенный в частотно-задающий контур генератора, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, в нем на тензорезистор, выполненный в виде коаксиального микропровода в стеклянной изоляции, нанесен слой металла, электрически подсоединенный к частотно- задающему контуру генератора по схеме RC-элемента.
Эрлер В | |||
и др- | |||
Электрические измерения неэлектрических величин полупроводниковыми датчиками | |||
- М.: Мир, 1974 | |||
Патент Великобритании 1223810, кл | |||
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1988-03-07—Публикация
1984-11-22—Подача