Устройство для нанесения слоя фоторезиста на подложки Советский патент 1991 года по МПК H01L21/312 B05C5/00 G03C1/74 

со

00

ел

со

00

to

Изобретение относится к микроэлектронике н может быть использовано при изготоэленни полупроводнтсовых . ш тегра, екем мккросборок, уст с ройстк на повйрхтшстньтх акусти геских . волнах к т«п,„.

Цеггь нзобретекяя - повьшение качества нанесенного, слоя фоторезиста

На и 2 изображено устройст- fO во в двух рабочих положениях.

Устройство содержит сосуд i.герме-- тично зaкpьroae & Й крышкой 2 посред™ ством уплотнения 3 обрззуквдий узел . аьшедеиня подложек из ванны. Часть . tS объема сосуда 1 заполнена жидкостькг (nanpia-ieps растворителеъ фоторезиста) до уровня, соответствующего иачаль-. ной высота столба жвдкостн h,а объем сосуда, расположенный выше уровня 20 юадкостн 45 образует камеру для-паров растворителя и содержит ненасы щенный пар 5 растворителя фоторё- зиста„ Держатель 6 с подложками 7 : закреплен Нс1 крьга ке 2 на вьщвижном 25 кронштейне 8, посредством которого .может регуггаровзться положение держателя 6 в сосуда sc Ванна S с фоторв зистом 10 частично погружена в жид- кос и 4 к - дерла вается на поверхкос- -30 ти вь5талкивающей силой Реаерсивный

бак S1 соединен с нижней частЬю сосуда 1 посредством трубопровода I2 олива, снабженного регулирующим пло щадь и форг-гу сливного отверстия вентилем 133 а также посредством трубо - провода 14 подзлш с клапаном 5s и соедш ен трубопроводом 16s снабжен™

кым клапаном I7 с магистралью ежа™ того газа;, и содержит также клапан 58 сброса избыточного давления,, Сосуд снабжен указателем 19 уровня ж адкости 4 к экраном 20, исключающий попадание жидкости А в ванну 9 при подаче жидкости в сосуд 1, .

Устройство содергкит также резер- вуар 21 с растворителем фоторезиста 22 и его насьацеиньп г паром 23, сое™. Д5Ш8НИЬ5Й с верхней частью сосуда 1 трубопроводом 24 J снабженным клапаном 25. .

Устройство работает следующим образом

Реверсивный бак 11 заполняют жиД EocTfoso 4 - глицерином s, который обла- gg дает низкой летучестью, Закрьшают BeHTs-шь 13f клапаны ISs,} 25, Ванн у 9 заполнжот отфильтрованным от механическнк пркмесей фоторезистом

3S

40

45

50

O

S 0 : 5

0

g

S

0

5

0

10 (например, марки ФП-383) на столько, чтобы уровень фоторезиста в ванне 9 превышал высоту погружаемых в него подложек 7, но при этом бы исключалось вытесненне фоторезиста 10 из ваниы 9 при помещении в ванну 9 держателя 6 с подложками 7, После ванну 9 устанавливают на экран- 20 в сосуд 1. Держатель -6 с подлож- канн 7 закрепляют посредством кронштейна 8 на крьпике 2, которую устанавливают, на сосуд I, Затем открьгаа- ют клапан 15 в трубопроводе 4, клапан 17 в трубопроводе 16 подачи сжатого газа и5 создавая давление в реверсивном баке П (1,5-2,0) X 10 Па, подагот в сосуд 1 жидкость 4,контролируя ее уровень по указателю 19 уровня , При подъеме уровня жидкости 4 в сосуде ванна 9 с фоторезистом iО также поднг-гмается и при дpcтliжeнии заданного уровня жидкости 4 подложки 7 полностью погружаются в фоторезист 10, После этого закрывают клапаны 15 и 17з открьгаают клапан 18, устанавливая в реверсивном баке П давление, равное атмосферному, и герметизируют сосуд 1 прижатием крьпяки 2 к.уплотнению 3. Затем открывают клапан 25 и через трубопровод 24 из резервуара 21 подают насыщенный пар 23 растворителя фоторезиста 22 в верхнюю часть сосуда i, расположенную выше уровня жидкости 4, Так как давление насьпцеиного пара при изменении его объема не меняется, то над уровнем жидкости 4 в сосуде 1 также создается давление насыщенного пара растворителя фоторезиста. После этого .открывают вентиль } 3 в трубопроводе 12 слива, соединяя таким образом со-суд 1 с реверсивиь М баком П, и производят слив жидкости 4 путем ее истечения через регулируемое вентилем 13 сливное отверстие в реверсивный бак 1I, При этом происходит понижение уровня жидкости 4 в сосуде 1, опускание ванны 9 и выведение дepжatё- ля 6 с подложками 7 из фоторезиста lOj, прячем скорость вьтедения подложек 7 из фоторезиста iO равна скорос- fH изменения уровня жидкости 4 в сосуде I и определяется начальной высотой столба жидкости 4 в сосуде 1, а также площадью поперечного сечения и формой сливного отверстия, задавае- wbK вентилем 13, Скорость выведения подложек пропорциональна Н и уменьшается по мере уменьшения количества жидкости в сосуде.

После выведения подложек 7 из фоторезиста 10 что определяется по указателю 19 уровня жидкости, закрывают вентиль 13 в трубопроводе 2 и клапан 25 в трубопроводе 24, открывают крышку 2, снимают держатель 6 с подложками 7 с кронштейна 8 и помещают его в камеру термокомпрессионной сушки, осуществляя удаление растворителя из слоя фоторезиста в среде газообразного азота под избыточным давлением,

Повьгаение качества слоя фоторезиста достигается за счет повьппения равномерности толщины слоя по площади подложки, повьппения воспроизводимости слоев фоторезиста по толщине и снижения плотности проколов. Увеличение равномерности толпшны слоя обеспечивается исключением утолщения слоя к нижней части подложки в результате выведения подложки из фоторезиста с переме нной скоростью. Повышение воспроизводимости слоев фоторезиста по толщине достигаетсяисключением изменения вязкости фоторезиста, размещенного в ванне, в процессе формирования слоев, а также высокой воспроизводимостью и стабильностью режимов нанесения фоторезиста (установки начальной высоты столба жидкости, размеров и формы сливного отверстия). Повьппение равномерности сушки по площади слоя и снижение плотности проколов в слое фоторезиста достигаются в результате исключе0

5

0

5

0

5

ния испарения растворителя в процессе нанесения фот орезиста на подложку.

.Формула изобретения

1«Устройство для нанесения слоя фоторезиста на подложки, содержащее ванну для фоторезиста, камеру для паров растворителя фоторезиста, держатель подложек и узел выведения подложек из ванны, отличающееся тем, что, с целью повышения качества нанесенного слоя фоторезиста, узел вьтедения подложек из ванны вьтолнен в виде сосуда с герметичной крьппкой и со сливным отверстием регулируемого сечения в донной части, частично заполненного рабочей жидкостью, а камера для паров растворителя фоторезиста образована частью объема сосуда, находящейся над размещенной в нем жидкостью, причем ванна для фоторезиста свободно размещена в находящейся в сосуде жидкости, а держатель подложек закреплен неподвижно относительно камерыо

2, Устройство по По 1, о т л и - чающееся тем, что оно снабжено баком для приема и подачи жидкости, находящейся в сосуде, соединенным с сосудом посредством трубопроводов с вентилем и клапаном,

Зо Устройство по ПП.1 и 2, о т - личающееся тем, что оно снабжено резервуаром для паров растворителя фоторезиста, соединенным с сосудом посредством трубопровода с клапаном

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых иитегральньпс схем, микросборок, устройств на поверхностных акустических волнах и т.п. Устройство для нанесения слоя фоторезиста (ф) на подложки содержит сосуд (с) 1 с герметичной крышкой 2, на которой закреплен на вьщвгасном кронштейне 8 держатель 6 с подложками 7„ Часть объема С 1 заполнена растлором Ф до уровня, соответствующего начальной высоте столба Ф h, а объем С 1, расположен1шй вьпне уровня Ф образует камеру для паров растворителя и содержит менасьпценный пар 5 растворителя Ф, Ванна 9 с Ф 10 частично погружена в Ф и удерживается в нем с помощью выталкивающей силы Реверсивный бак I1 соединен с нижней частью С 1 трубопроводом (т)12 слива с вентилем 13 и Т 14 с клапаном J5, а Т 16 с клапаном 17 соединяет его с магистралью сжатого воздуха. Растворитель Ф находится в резервуаре 21. Изобретение повышает качество нанесенного слоя Ф за счет исключения испарения растворителя Ф в процессе нанесения Ф на подложку. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. с S (Л

.1ШШШ/;

S jjTi- ; - гК5

Xi

5

23

. 2