Состав для очистки поверхностей полупроводниковых материалов Советский патент 1988 года по МПК B23K35/24 

00 00

ас

1С

со

Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к составу для очистки новерхностей полупроводниковых материалов, и может быть использовано в электротехнической, приборостроительной и других отраслях.

При изготовлении полупроводниковых приборов на поверхность полупроводника наносят покрытия из пиццеина или воска, которое удаляют на последующих операциях.

Цель изобретения - удаление покрытий с поверхности полупроводниковых материалов и исключение возможности повторного загрязнения поверхности.

Состав содержит компоненты в следую- тем соотношении, мае. %:

Аминоспирт1,2-4,5

Олеиновая кислота1,1-3,2

Глицерин1,5-9,5

т,

Соль акриловой или метакриловой кислоты0,05-0,1

ВодаОстальное

Для очистки детали с покрытием из пиццеина или воска ее помещают на 3-5 мин в нагретый до 80-85°С состав, ополаскивают 0,5-1 мин в нагретом до 80-85°С чистом составе, после чего остатки состава удаляют струей воды и сушат детали. После очистки в составе и отмывки поверхность детали полностью и равномерно смачивается водой. В результаге на сухих деталях отсутствуют натеки и пятна «захватывания, допущенного прикасанием к детали до отмывки остатков состава.

Содержание компонентов в составах по примера.м и результаты определени.я их моющей способности при очистке кремния от пиццеина приведены в таблице.

Изобретение относится к области электронной промышленности, в частности к составу для очистки поверхностей полупроводниковых материалов, и может быть использовано в электротехнической, приборостроительной и других отраслях. Цель - удаление покрытий с поверхности полупроводниковых материалов и исключение возможности повторного загрязнения поверхности. Состав содержит компоненты в следующем соотношении, мае. %: аминоспирт 1,2-4,5; олеиновая кислота 1,1-3,2; глицерин 1,5-9,5; соль акриловой или метакриловой кислоты 0,05-0,1; вода остальное. Состав позволяет очищать поверхности с покрытием из пиц- цеина или воска, содержание в составе соли акриловой или метакриловой кислоты предохраняет очищаемую поверхность от повторного загрязнения при очистке от воска и пиц- цеина. 1 табл. с о

1,2 1,6 2,0 2,2 2,6 ,5

1,1

1Н 2,8 2,8 3,0 3,2

В составах по примерам 1 и 2 использован моноэтаноламин, в составах 3 и 4 - ди- этаноламин, в 5 и 6 - триэтаноламин. В составах 1 и 6 использован акриловокислый натрий, в остальных - метакриловокислый калий. Увеличение содержания компонентов в составах сверх указанного в примере б не приводит к возможности снижения температуры или времени очистки; эти параметры увеличиваются при снижении концентрации компонентов, указанной в примере 1. Таким образом, введение в известный состав соли акриловой или метакриловой кислоты предохраняет очищаемую поверхность от по1,5 1,9 2,4 3,0 6,0 9,5

вторного загрязнения при очистке от воска и пиццеияа.

Испо: ьзгза,И ; предлагаемого состава позволяет р. г;е::,13одстве полупроводнико- 50 вых приберор, .;:; :.,;заться от использования пожаро-взрывооаасных и токсичных растворителей и снизить брак, возникающий от повторного загрязнения поверхности.

Формула изобретения

55 Состав для очистки поверхностей полупроводниковых материалов, содержащий аминоспирт, олеиновую кислоту, глицерин и воду, отличающийся тем, что, с целью

1388237

3

удаления покрытий с поверхности полупро-Аминоспирт1,2-4,5

водниковых материалов и исключения воз-Олеиновая кислота1,1-3,2

можности повторного загрязнения поверх-Глицерин1,5-9,5

ности, он дополнительно содержит соль ак-Соль акриловой или

риловой или метакриловой кислоты при еле- метакриловой кислоты0,05-0,1

дующем соотношении компонентов, мае. %:ВодаОстальное