Способ наблюдения ЦМД-структур Советский патент 1988 года по МПК G01N23/225 H01J37/26 

Описание патента на изобретение SU1396025A1

со

со СП

о ю ел

Изобретение относится к исследова- шпо материалов с помощью радиационных методов и может быть использовано для получения изображения доменносодержа1ЦИХ материалов.

Цель изобретения - повышение достоверности получаемого изображения.

Для наблюдения ЦМД-структур необходимо для их генерации создание магНитнпго поля смещения, причем амплитуда этого поля должна быть регули- для того, чтобы: реализовывалась :Ьозможность измерения характеристик ЦМД-поле эллиптической неустойчивое- fH, поле коллапса и др. Использование ПОЛЯ формирующей линзы позволяет исключить вредное с точки зрения формирования изображения влияние дополнительного магнитного лоля смещения. Наличие такого дополнительного поля: приводит к тому, что суммарное поле :и линзы имеют смерденную ось симметрии, следовательно начинают проявляться аберрационные характеристики, такие как кома, дисторсия, астигматизм, которые приводят к искажению формы сфокусированного пучка, а также траектории его перемещения по полю растра. Все это в совокупности снижает достоверность наблю дения. Эти паразитные явления исчезают в том. случае, если объект помещать в поле формирующей линзы. Тогда осевая симметрия поля не нарушается и дополни

тельных искажений траектории движения з аряженных частиц не будет. Регули- ровка амплитуды поля смещения в этом случае может осуществляться двумя путями. Во-первьйс, удалении объектодержателя от.главной плоскости формирукг щей линзы амплитуда поля линзы уменьшается, и, следовательно, при Перемоцении объекта в этом направлении амплитуда поля смещения будет снижаться. Для повьппения амплитуды поля смещения объектодержателя вместе с объектом необходимо перемещать в обратном направлении. При этом существенным является перемещение объек

та в направлении, параллельном оси симметрии формирующей линзы. В противном случае будет возникать погрешность регулировки амплитуды поля смещения из-за наличия как осевого, так- и радиального градиентов поля линзы,, Таким образом, перемещение объекто- держателя на параллельно указанной оси приведет во-первых к погрешности

0 5 0 5 0

5

Q 5

0

5

регулировку поля смещения, и, следовательно, к. неадекватному изменению параметров ЦМД-структуры и изображения, а во-вторых - к перемещению изображения на проекционном экране, и, следовательно, к его изменению. Оба эти обстоятельства снижают достоверность наблюдения. Второй вариант регулировки амплитуды поля смещения заключается в изменении тока возбз ж- дения формирующей линзы, амплитуда поля которой изменяется пропорционально току возбуждения.

Для того, чтобы условия фокусировки потока заряженных частиц не изменялись при регулировке поля смещения операция совмещения плоскости фокусировки с плоскостью объектодер- жателя осуществляется путем изменения амплитуды возбуждения поля кон- денсорной линзы. В этом случае реализуется независимая регулировка фокусного расстояния и амплитуды поля смещения, что также повьш1ает достоверность наблюдения Щ ЭД-структуры, так как выполнение одной из этих операций не вносит искажений в параметры другой.

Пример. ЦМД-структуру помещают в объектодержатель растрового электронного микроскопа и располагают, вблизи нижнего плоского наконечника формирующей линзы. При соотношении диаметров верхнего D 30 IM, нижнего DI 20 мм полосных наконечников, ширине магнитного зазора S 4 мм, амплитуда осевого распределения индукции поля умёньгаается, при удалении образца от главной плоскости линзы, при удалении образца от главной плоскости линзы, пропорционально ехр(Х/А), где X - расстояние между главной плоскостью линзы и плоскостью объекта; А - константа, определяемая материалом магнитопровода линзы и степенью его насыщения. При максимальном значении осевого поля В „д. 0,2 Тл формируемого линзой с магнитопроводом из сплава 79 НМ, для создания поля

смещения В

c

0,01 Тл, плоскость

объекта размещают на расстоянии 22 мм от главной плоскости линзы. Далее, регулируя ток последней конденсорной линзы, совмещают плоскость изображения объективной линзы с плоскостью объекта, формируют на поверхности последнего растр, регистрируют информационное излучение, преобразуют его в

видеосигнал и подают на модулятор кинескопа. Для уменьпения амплитуды поля до значения 0,008 Тл, рабочий отрезок формирующей линзы увеличивают до 42 мм. При этом для совмещения плоскости изображения формирующей электронньш зонд системы с плоскостью объекта увеличивают амплитуду возбуждения конденсорной линзы.

Таким образом, предлагаемьй спосо позволяет устранить артефакты, связанные с размытием зондирующего потока полем смещения, несоосно расположенным с фокусирующими полями линз. Совмещение функций фокусировки зонда и генерации ЩЩ-структур в поле сЬор- мирующей линзы прзволяет повысить разрегаение формируемого изображения, и, следовательно, повысить достоверность получаемых изображений Щ1Д- структур. Ф о р -м . у л а изобретения

Способ наблюдения ЦМД-структур,

0

5

0

структуры в объектодержатель, создании у поверхности структуры, магнитного поля смещения, регулировании потока заряженных частиц с помощью конденсорной и формирующей линзы, сканировании этим потоком исследуемой структуры, регистрации информационного сигнала и формировании на его основе изображения исследуемой структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности получаемого изображения, в качестве поля смеп;ения используют поле форми- линзы, регулирование амплиту- ДЬ1 поля смещения осуществляют путем перемещения объектодержателя в направлении, параллельном оси симметрии Аормирующей линзы или путем изменения амплитуды возбуждения формирующей линзы и производят совмещение плоскости изображения формирующей линзы с плоскостью объектодержателя путем изменения амплитуды возбужде

Похожие патенты SU1396025A1

название год авторы номер документа
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ЭЛЕКТРОННО-ИОННЫЙ МИКРОСКОП 2013
  • Ефимов Игорь Николаевич
  • Морозов Евгений Александрович
  • Косов Евгений Сергеевич
  • Германюк Денис Евгеньевич
RU2551651C2
ИМПУЛЬСНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫХ МИКРОЗОНДОВЫХ ПРИБОРОВ 1991
  • Рыбалко В.В.
RU2019885C1
УСТРОЙСТВО для ФОРМИРОВАНИЯ УМЕНЬШЕННОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ ШАБЛОНОВ 1972
  • Г. В. Дер Шварц, Г. А. Михайловский, А. И. Трубецкой П. А. Чернов
SU335736A1
Способ для наклонной установки поверхностных лучевых зондов и устройство для его осуществления 1979
  • Эберхард Хан
SU1111215A1
Способ настройки электронно-оптической системы растрового микрозондового прибора 1986
  • Рыбалко Владимир Витальевич
  • Тихонов Александр Николаевич
SU1465922A1
Способ и устройство юстировки установки для электронно-лучевой обработки 1978
  • Хан Эберхард
SU940256A1
Способ юстировки электромагнитной зондоформирующей системы 1985
  • Рыбалко Владимир Витальевич
SU1307490A2
ФОРМИРОВАНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЙ ОПЕРАЦИОННОЙ ТКАНИ-МИШЕНИ ПОСРЕДСТВОМ НЕЛИНЕЙНОГО СКАНИРОВАНИЯ 2010
  • Ракши Ференц
  • Холланд Гай
  • Голдшлегер Илья
RU2575967C2
Электроннооптическая система про-СВЕчиВАющЕгО элЕКТРОННОгО МиКРОСКОпА 1978
  • Анаскин Иван Филиппович
  • Агеев Евгений Васильевич
  • Стоянов Павел Александрович
SU811365A1
СТЕРЕОСКОПИЧЕСКАЯ СИСТЕМА 1999
  • Арсенич С.И.
RU2221350C2

Реферат патента 1988 года Способ наблюдения ЦМД-структур

Изобретение относится к области исследования материалов с помощью радиационных методов и может быть использовано для получения изображения доменносодержащих материалов. Цель - повьшение достоверности получаемого изображения. В качестве поля смещения используют поле формирующей линзы, а фокусировку потока заряженных частиц осуществляют путем изменения амплитуды возбуждения поля конденсорной лин- Зы. Это позволяет устранить артефакты, связанные с размытием зондирующего потока, полем смещения, несоосно расположенным с фокусирующими полями линз. S (Л

Формула изобретения SU 1 396 025 A1

закпючаюцийся в установке исследуемой 25 ния конденсорной линзы.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1988 года SU1396025A1

Кадыкова Г.Н
н др
Исследование влияния отжига на дефекты структуры в ионно-имплантированных
гранатовых пленках
- Электронная обработка материалов, 1985, № , с,
Тихонов А.Н
и др
Исследование эффективности ионной имплантации феррит-гранатовых пленок
- Микроэлектроника, Т
Паровоз для отопления неспекающейся каменноугольной мелочью 1916
  • Драго С.И.
SU14A1
Телефонно-трансляционное устройство 1921
  • Никифоров А.К.
SU252A1

SU 1 396 025 A1

Авторы

Рыбалко Владимир Витальевич

Даты

1988-05-15Публикация

1986-04-16Подача