Способ определения параметров магнитной анизотропии магнитных пленок Советский патент 1988 года по МПК G01R33/12 G01N27/72 

4

ю

Изобретение относится к магнитным измерениям, а именно к определению параметров магнитной анизотропии магнитных пленок (пластинок) ферритов- гранатов, ортоферритов и других материалов , имеющих одноосную, ромбическую, кубическую и другие виды магнитной анизотропии

Цель изобретения - повышение точности при определении направления осей анизотропии и упрощение за счет уменьшения напряженности магнитных полей, используемых при измерениях

На фиг, 1 показана схема устройства, реализующего способу на фиг. 2 - схема расположения магнитной пленки, магнитных полей и оси вращенияJ на фиг. 3 - зависимость амплитуды колебаний плоской доменной границы от частоты на фиг. 4 - ори- ентационная зависимость амплитуды колебаний плоской доменной границы от угла поворота пленки; на фиг. 5 - зависимость амплитуды колебаний плоской доменной границы от частоты при фиксированных ориентациях гшенки.

Устройство для реализации способа содержит магнитную систему для создания постоянного магнитного поля, состоящую из двух электромагнитов 1 с С-образныМи сердечниками и катушкаю питаемыми постоянным током, катушку 2 для создания переменного магнитног поля, помещенную между полюсами элек ромагнитоа, поворотный столик 3 с отверстием 4 в центре, выполненный с возможностью вращения вокруг оси 5 параллельной напра влению магнитных полей, и размещенный между полюсами электромагнитов так, что его плоскость перпендикулярна оси 5, а также последовательно расположенные на этой оси 5 источник 6 света, поляризатор 7, анализатор 8 и микроскоп 9.

Для осуществления способа исследу мую пленку 10 помещают на поворотный столик 3 и наблюдают в ней доменную структуру (т.е. состояние намагниченности) по эффекту поворота плоскости поляризации света, проходящего через пленку, для чего пропускают через пленку tO пучок света от источника 6 света, который проходит через поляризатор 7, отверстие 4 поворотного столика 3, пленку 10, анализатор 8 и попадает в окуляр микроскопа 9, где наблюдается визуально или с помощью фотоприемника.

0

5

0

5

0

5

0

5

0

5

Способ осуществляется следующим образом.

На исследуемую магнитную пленку 10 (фиг.2) воздействуют постоянным магнитным пштем и переменным магнитным полем (Н и h соответственно). При этом постоянное магнитное поле формирует в пленке вдоль линии изменения направления вектора напряженности на противоположное плоскую доменную границу. Переменное магнитное поле вызьгеает колебания этой границы с частотой, равной частоте этого поля. Границы наблюдаемой области колебаний (удвоенная амплитуда колебаний) показаны пунктирными линиями на фиг. 2.

Меняя частоту переменного магнитного поля, снимают зависимость относительной амплитуды А/Ар (где АО - амплитуда при ) колебаний границы от частоты этого поля (фиг.З), после чего устанавливают частоту на значение f, срответствующее области максимальной крутизны полученной зависимости. После этого, вращая пленку 10 по углу cf вокруг оси 5, перпендикулярной ее плоскости, снимают ориентационную зависимость амплитуды колебаний А плоской доменной границы от угла q , подобную показанной на фиг. 4,

Учитывая, что подвижность плоской доменной границы минимальна тогда, когда плоскость этой границы перпендикулярна оси магнитной анизотропии, лежащей в плоскости пленки, по минимумам полученной ориентационной зависимости определяют ориентации осей магнитной анизотропии пленки. После этого, последовательно устанавливая пленку в положения соответствующие максимуму и минимуму полученной ориентационной зависимости ( tf -f и if Cf. на фиг. 4) , в каждом из этих положений снимают зависимости амплитуды колебаний плоской доменной границы от частоты переменного поля, показанные на фиг. 5.

Из полученных зависимостей находят частоты и fc, соответствующие уровню относительной амплитуды колебаний плоской доменной границы, равному 1/4 от своего максимального значения (при ), по которым определяют соотношение констант анизотропии пленки. Для этого, используя, например, метод расчета

Фиг.ч

Фиь.2

Изобретение относится к магнитным измерениям, а именно к определению параметров магнитной анизотропии магнитных пленок (пластинок) ферритов-гранатов, ортоферритов и других материалов, имекщих одноосную, ромбическую, кубическую и другие виды магнитной анизотропии. Цель изобретения - повышение точности при опредет лении направления осей анизотропии и упрощение за счет уменьшения напряженности магнитных полей, используемых в измерениях. Способ предусматривает воздействие на пленку постоянным градиентным магнитным полем и переменным магнитным полем, векторы которых перпендикулярны плоскости пленки. Регистрируются зависимости амплитуды колебаний от частоты переменного поля для различных ориентации пленки. 1 з.п. ф-лы, 5 ил. § (О с

/