Способ изготовления кремниевых диффузионных диодов Советский патент 1961 года по МПК H01L21/329 

Известные способы изготовления кремниевых диффузионных диодов диффузией примесей из стеклообразующих соединений не могут обес печить отсутствия на поверхности кремния местной окисной пленки, что не позволяет получить однородные р-«-переходы и устойчивые параметры диодов.

Известные способы не позволяют также проводить одновременнук диффузию двух различных легирующих элементов в пластинку кремния, что необходимо для получения хороших электрических свойсти невыпрямляющего контакта.

Технологическое оборудование, необходимое для проведения диффузии по известным способам, предполагает использование вакуумных установок и системы очистки газов, что неоправданно усложняет технологический процесс.

Предлагаемый способ изготовления диодов позволяет одновременно получать диффузионные слои разной проводимости путем диффузии из нанесенных на поверхность кремния стеклообразующих соединений, например, водных растворов буры при кремнии /г-типа или ортофосфорной кислоты при кремнии р-типа.

Контакты к диффузионным слоям изготовляются сжиганием никеля, нанесенного химическим путем, а также локальным осаждением золота с последующей разрезкой и стравливанием не защищенных золотом участков кремния.

Эти особенности позволяют улучшить параметры диодов и упростить технологию их изготовления.

Технологический процесс изготовления кремниевых диффузионных диодов по предлагаемому способу осуществляется следующим образом.

Пластины кремния травятся в течение 40-60 сек в смеси азотной и плавиковой кислот с последующей тщательной промывкой в дистиллированной воде и просушкой.