Фиг. 2
i Изобретение относится к приборо- с -роению, а именно к датчикам давлеHIJIH.
I Цель изобретения - повышение точ- измерения.
На фиг. 1 приведена конструктив- Hiifl схема преобразователя; на фиг. 2 Pii3pe3 А-А на фиг. 1.
Преобразователь содержит корпус 1 со штуцером для подвода давления и мэмбрану 2 с жестким центром. На кзрпусе 1 устанавливается кольцо 3, на котором монтируется плата 4, со- дгржав(ая электрические гермовыводы с токоподводами 5. Через отверстие в кольцо 3 гермовьгооды сваривают с токоподводами контактных площадок 6 тензорезисторов. После сварки токо- проводов 5с контактами вилки 7 уста навливают кольцо 8, которое сваривают с крьркой 9 и корпусом 1..
На поверхности .мембраны 2 сформированы тензорезисторы, выполненные в виде попарно параллельных полосок 10, расположенных в зонах положительных и отрицательных деформаций в на- гравлениях максимальной тензочувст- Еительности. Полоски каждой пары располагаются с максимальным прибли- я:ением друг к другу, которое определяется возможностями конкретного технологического способа, а именно минимальной шириной тензорезистора.
Количество тензоэлементов опреде- ляют ,по формуле
R- b JJ -
s l;
фде R - номинал тензорезистора одного плеча моста;
fg- удельное поверхностное сопротивление материала тензорезистора};. 1 - длина тензорезистора;
b - ширина тензорезистора. При последовательном соединении ii-ro количества тензозлементов с сопротивлением г сопротивление тензо Йрезистора плеча моста определяют как
R
П Г
0
5 О
5
0
5
0
Токопроводящими дорожками 11 и контактными площадками 6 тензорезисторы 10 соединены в мостовую схему, причем каждое плечо моста образовано последовательным соединением тензорезисторов одноименной деформации по одному из каждой пары. Так как тензорезисторы в каждой паре имеют более близкое значение параметров, чем тензорезисторы из разных областей мембран, то и тензорезисторы плеч моста имеют более идентичнее параметры.
Работа датчика заключается в следующем .
Измеряемое давление Р через штуцер подводится во внутреннюю плосг кость датчика, воздействует на мембрану и деформирует ее. При подаче.питания на мостовую схему деформация тензорезисторов, расположенных на мембране, преобразуется в электрический сигнал, изменяющийся пропорционально изменению давления.
Формула изобретения
Тензометрический преобразователь давления, содержащий мембрану с утолщенным периферийным участком и с жестким .центром, расположенные равномерно на ее поверхности по радиаль- ньм направлениям между жестким центром и утолщенным периферийным участком мембраны тензоэлементы, каждый из которых разделен контактными проводниками, расположенными в зоне нулевой деформации мембраны, на два тензоэлемента, расположенных соответственно в зоне положительной и отрицательной деформации, при этом тензо- ,элементы соединены проводниками в измерительный мост, отличающий- с я тем, что, с целью повышения точности измерения, в нем каждый тензоэлемент выполнен в виде пары рядом расположенных параллельных между собой тензорезисторов, причем каждое плечо моста образовано последовательным соединением множества . тензорезисторов одноименной деформации по одному из каждой пары.
| название | год | авторы | номер документа | 
|---|---|---|---|
| ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 1994 | 
 | RU2082124C1 | 
| ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 1991 | 
 | RU2010194C1 | 
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2007 | 
 | RU2346250C1 | 
| Тензометрический преобразователь | 1984 | 
 | SU1264015A1 | 
| Датчик давления | 1989 | 
 | SU1712802A1 | 
| Датчик давления | 1990 | 
 | SU1751645A1 | 
| ВЫСОКОТОЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2013 | 
 | RU2541714C1 | 
| Датчик давления | 1989 | 
 | SU1744530A1 | 
| Датчик давления | 1987 | 
 | SU1553856A1 | 
| ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ТОНКОПЛЕНОЧНЫМИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРАМИ | 2010 | 
 | RU2411474C1 | 
 
		
         
         
            Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить  точность измерения давления. Измеряемое давление воспринимается мембраной 2, на поверхности которой сфорь  А-А мированы тензоэлементы в виде попарно параллельньк полосок 10. Кадцый  из тензоэлементов разделен контактными проводниками 6, расположенными  в зоне нулевой деформации мембраны  2, на два элемента, расположенных  в зоне положительной и отрицательной  деформации соответственно. Токопрово-  дящими дорожками 11 тензоэлементы-  соединены в мостовую схему. Каждое  плечо моста образовано последовательным соединением тензоэлементов одноименной деформации по одному из каждой пары. Деформация полосок 10 преобразуется в электрический сигнал,  2 ил. I С/ с
               
            
| Патент США № 3341794, кл | |||
| Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 | 
 | SU1A1 | 
| Приспособление для автоматической односторонней разгрузки железнодорожных платформ | 1921 | 
 | SU48A1 | 
| Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 | 
 | SU1A1 | 
Авторы
Даты
1988-07-07—Публикация
1986-11-10—Подача