Источник тока Советский патент 1988 года по МПК G05F3/26 

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в источниках вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры,,

Целью изобретения является повьппе ние выходного сопротивления источника тока.

На чертеже изображена принципиаль ная электрическая схема источника тока.

Устройство содержит первьй 1, второй 2, третий 3 и четвертый 4 биполярные транзисторы, полевой транзистор 5 обратной связи, первый 6 и BTO рой 7 элементы смещения, выполненные например, на прямосмещенных диодах или стабилитронах, входную 8 и выходную 9 шины, первую 10 и вторую 11 шины источника питания. При этом к эмиттерам первого 1 и второго 2 транзисторов подключены соответственно коллекторы третьего- 3 и четвертого 4 транзисторов, базы транзисторов 1 и 2 подключены к базам транзисторов 3 и 4 и к истоку полевого транзистора 3 соответственно через первый 6 и второй 7 элементы смещения, коллектор транзистора 1 подключен к входной шине 8 токового зеркала, а коллектор транзистора 2 к выходной шине 9, эмиттеры транзисторов 3 и 4 подключены к первой шине 10 источника питания, сток полевого транзистора 5 - к второй шине II источника питания

Источник тока работает следующим образом

Внешние токозадающие цепи отводят с входной шины 8 ток, задаваемьш внешним генератором На базе транзистора 2 образуется потенциал такой величины, что его ток коллектора, проходящий через транзистор 2, равен входному Соответствующий потенциал базы транзистора 2 возникает благодаря отрицательной обратной связи, петля которой образована транзисторами 1 и 3, полевым транзистором 5, элементами 6 и 7 смещения. Транзистор 4, вьшолненный в одном технологическом цикле с транзистором 3, с площадью эмиттера, в заданное количество раз превышающей площадь эмиттера транзистора.3, формирует коллекторный ток также в заданное количество раз больший, так как плотность токов эмиттерных переходов транзисторов 3 и 4 определяется одними и теми же

0

5

0

0

5

0

0

5

законамио Базовые токи этих транзисторов поступают из истока полевого транзистора 5 чераз злементы 6 и 7 смещения Если площадь эмиттеров транзисторов и 2, вьтолненных в одном технологическом цикле, также находится в заданном соотношении,плотности протекающих через них токов равны, то равны также и относительные части токов коллекторов транзисторов 3 и 4, отводимые через базы транзисторов I и 2, и величины входного и выходного токов находятся в заданном соотношении. Данное включение транзистора 1 позволяет компен- сировать потери тока коллектора, транзистора 4, которые сводятся через базу транзистора 2, доля которого может достигать 17% для боковых р-п-р-транзисторОБ, выполненных по стандартной планарно-эпитаксиаль- ной технологии с коэффициентом передачи тока базы | 5, Элемент 6 смещения, который может быть вьшол- нен на одном или нескольких последовательно включенных прямосмещенных диодах, обеспечивает смещение, достаточное для запирания коллекторных переходов, транзисторов 3 и 4 Разность потенциалов на выводах элемен™ та 7 смещения, который также может быть выполнен на одном или нескольких последовательно включенных прямосмещенных диодах или стабилитронах, выбирается приблизительно равной максимально возможному напряжению отсечки полевого транзистора 5, .что обеспечивает работу транзистора 1 и активной области при любых технологических и температурных изменениях параметров активных элементов токового зеркала. Минимальная величина начального тока стока при этом должна быть выбрана равпой суммарной величине базовых токов транзисторов 1 4 при наихудшем коэффициенте тока базы.

Величина выходного тока I(,(„ устройства (при равных напряжениях на коллекторах транзисторов 1 и 2) определяется соотношением

oil 4

где 0/ - коэффициенты передачи тока эмиттера транзисторов 1-4;

IBHX

-Вх

п

n - отношение площадей эмиттеров транзисторов 3 и 4; I Р - входной токо

Предлагаемый источник тока имеет значительно большее (более чем в 6 раз) выходное сопротивление.

Формула изобретения

Источник тока, содержащий два биполярных транзистора, полевой транзистор и первый злемент смещения,при чем коллектор первого биполярного и затвор полевого транзисторов соединены с управлякяцим входом источника, коллектор второго биполярного транзистора соединен с выходным выводом,

базы первого и второго биполярных транзисторов объединены и подключены к первому вьшоду первого элемента смещения, отличающи и с я тем, что, с целью повышения выходного сопротивления, в него введены третий и четвертые аналогичные бипо лярные тран: исторы и второй элемент смещения, причем эмиттеры первого и второго транзисторов подключены к шине питания через коллекторно-эмиттер- ные цепи третьего и четвертого транзисторов Соответственно, базы .третьего и четвертого транзисторов объединены и соединены с вторым выводом первого элемента смещения, базы первого и второго транзисторов соединены с истоком полевого транзистора второй элемент смещения.

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в источниках вторичного электропитания Цель изобретения - повьшение выходного сопротивления. Источник тока со- де ржит четыре биполярных транзисторов 1-4, полевой транзистор 5 и два элемента смещения 6, 7. Петля отрицательной обратной связи, образованная транзисторами 1, 3, 5 и элементами смещения, создает определенный потенциал базы транзистора 3, Транзистор 4 выполнен в одном технологическом цикле с транзистором 3 с площадью эмиттера,, в заданное количество раз превышающей площадь эмиттера транзистора 3, Транзистор 4 формирует коллекторный ток также в заданное количество раз больший-. Величина выходного тока I giiix определяется «1 «3 «7 - коэффициенты передачи тока эмиттера транзисторов 1-4; п - отношение площадей эмиттеров транзисто- ров 3, 4; Igx входной ток. 1 ил. . отношением I g,; lex § (Л