Способ контроля неоднородности толщины диэлектрических пленок Советский патент 1988 года по МПК G01B11/06 

сд ел

Изобретение относится к контрольн измерительной технике и может быть использовано для контроля однородности толщины прозрачных пленок, нан симых на прозрачную подложку с козф- 1 |ициентом преломления, близким к коэффициенту преломления пленки.

Целью изобретения является повышение точности контроля за счет увели- чения контраста интерференционной нартины.

Способ осуществляется следующим образом.

Перед нанесением диэлектрической Лпенки на прозрачную подложку напы- пяют металлическую пленку с коэффи- t GHTOM R отражения, равным

г

(Т-)

г|де г - коэффициент отражения на границе пленка - окружающая среда.

Регистрируют в отраженном пучке интерференционную картину, образо- ванную накоплением пучков, отраженных от границ диэлектрическая пленка - окружающая среда и металлическая пленка - диэлектрическая пленка.

R

По картине полос осуществляют контроль однородности толщины напыленной диэлектрической пленки.

Форм у.л а изобретения

Способ контроля однородности толщины диэлектрических пленок, наносимых на прозрачную подложку с коэффициентом преломления, близким к коэффициенту преломления пленки, заключающийся в том, что освещают пучком монохроматического излучения диэлектрическую пленку и регистрируют в отраженном пучке интерференционные полосы, по которым судят об однородности толщины пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, на прозрачную подложку перед нанесением диэлектрической пленки напыляют металлическую пленку с коэффициентом R отражения, равным

.

К-()2.

где г - коэффициент отражения на границе пленка - окружающая среда.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контрол я однородности толщины диэлектрических пленок в процессе их нанесения на прозрачные подложки. Целью изобретения является повышение точности за счет увеличения контраста интерференционной картины. Для этого уравнивают интенсивности пучков, участвующих в интерференции, путем предварительного нанесения на подложку металлической пленки с коэффициентом R отражения, равным R 7T--rj, где г - коэффициент отражения на границе диэлектрическая пленка - окружающая среда.