СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ФОСФОРОСИЛИКАТНОГО СТЕКЛА Советский патент 1995 года по МПК C03C17/09 C03B8/04 

Изобретение относится к технологии химического осаждения диэлектрических пленок из газовой фазы на подложки и может быть использовано для создания изолирующих и пассивирующих пленок в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Цель изобретения повышение качества пленок за счет стабилизации содержания в них фосфорного ангидрида.

На чертеже представлена схема устройства для реализации данного способа.

Подложки 1 кремния диаметром 100 мм в количестве 50 шт помещают на кварцевой лодочке 2 вертикально на расстоянии 18 мм друг от друга и загружают в рабочую зону цилиндрического реактора 3 пониженного давления, обогреваемого электропечью 4. В рабочей зоне реактора установлен температурный градиент 0,66^оС/см для выравнивания скорости осаждения по длине реактора. По обе стороны лодочки с подложками размещаются полые кварцевые обтекатели 5, имеющие диаметр, равный диаметру подложек, с помощью которых стабилизируется температура в рабочей зоне реактора и предотвращается возможность протекания нежелательных реакций в газовой фазе с образованием мелкодисперсного порошка двуокиси кремния. Реактор герметизируется с помощью крышки 6 на шлюзе 7, откачивается вакуумным насосом 8 до давления 2,6 Па, продувается аргоном в течение 15 мин при давлении 120 Па. После этого производятся сброс реагентов через натекатели 9, клапаны 10, расходомеры 11 в байпасную линию 12, корректировка расходов газов и их напуск в реактор через линии 13, 14, 15. Подача паров триметилфосфата осуществляется по трубке 16 из барботера 17 в горячую зону реактора на расстояние 25 см от лодочки с подложками. В реакторе с помощью регулятора 18 скорости откачки устанавливается необходимое давление и в течение заданного времени проводится осаждение пленки фосфорсиликатного стекла. В таблице приведены конкретные примеры выполнения изобретения при различных режимах процесса.

Данный способ получения пленок фосфорсиликатного стекла повышает качество пленок за счет улучшения воспроизводимости концентрации фосфорного ангидрида в пленках.

Изобретение относится к химическому осаждению диэлектрических пленок из газовой фазы на подложки и может быть использовано для создания изолирующих и пассирующих пленок в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. С целью улучшения качества пленок за счет стабилизации содержания в них фосфорного ангидрида парогазовую смесь, состоящую из моносилана, кислорода, аргона и триметилфосфата состава, моносилан 2,0 8,0; кислород 5,0 50,0; триметилфосфат 0,02 - 2,0; аргон остальное, пропускают над подложками, нагретыми до температуры 200 500°С в реакторе пониженного давления, причем пары триметилфосфата вводят по трубке в горячую зону реактора, пары моносилана и кислорода в холодную зону реактора. 1 ил. 1 табл.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ФОСФОРОСИЛИКАТНОГО СТЕКЛА путем нагрева подложки до 200-500^oС и осаждения пленок из парогазовой смеси, состоящей из моносилана, кислорода, триметилфосфата и аргона, с откачкой продуктов реакции со стороны, противоположной вводу смеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок за счет стабилизации содержания в них фосфорного ангидрида, осаждение ведут при пониженном давлении из смеси состава, об.

Моносилан 2,0-8,0
Кислород 5,0-50,0
Триметилфосфат 0,02-2,0
Аргон Остальное
причем пары триметилфосфата подают в горячую зону реактора, моносилан и кислород в холодную.