Способ изготовления оригинала оптической сигналограммы Советский патент 1988 года по МПК G11B7/26 

/7////////////// ////Л

/

////Л

(Л

С

Изобретение относится к накоплению информации. Для улучшения свето- ,энергетических х-к оригинала оптической сигналограммы на дисковую основу I с напыленной металлической пленкой 2 дополнительно напыляют пленку 3 из Си или CuClj , или СггВгг , или Cul, или С1)д5, или , или толщиной 1-5 нм. Затем наносится слой 4 полупроводникового халькогенида,часть приповерхностной зоны вступает в химическое взаимодействие с материалом дополнительной пленки 3, Образуемый при.этом слой продуктов взаимодейст ВИЯ обеспечивает эффективное протекание фотореакционной диффузии при воздействии на оригинал сигналограммы сфокусированного лазерного излучения, 4 ил.

s

J

У77/7 7 У77 / У7

/ /

/

f/f / /f у/

J

/ /

/

К

01

Ч

Изобретение относится к накопле- :нию информации, а именно к способам Изготовления оригинала оптической сигнэлограммы, и является усовершенствованием изобретения по авт.св. Я 1153354.

Известен способ, заключающийся последовательном нанесении на дисковую основу металлической пленки и полупроводникового халькогенидного рлоя, на границе раздела которых (существляют взаимную фотостимулиро- ранную диффузию л-азернь1м лучом, а

Ратем проводят селективное травле- ие f11. I Цель изобретения - улучшение све {гоэнергетических характеристик ори- 1 инала оптической сигналограммы. I На фиг.1 представлены-этапы изго- овления оригинала оптической сигна- jjiorpaMMbi; на фиг. 2 - семейство кинетических кривых изменения пропус- сания оригинала сигналограммы; на (зиг. 3 - зависимость роста светоэнер етической чувствительности оригина- jjia сигналограммы от толшины слоя и (Сгд); на фиг. 4 - семейство кинетических кривых изменения пропускания оригинала сигналограммы от време

га облучения в зависимости от вещест- иа.дополнительного слоя. ,1 Оригинал оптической сигналограммы, изготовленный предлагаемгам способом, содержит дисковую основу 1

фиг.1), металлическую пленку 2, | ополнительную пленку 3, полупровод:иковьгй калькогенидньпЧ слой А и слой

продуктов взаимодействия. Ч Оригинал оптической сигналограммы 1|1зготовляют следующим образом.

На дисковую основу 1 (фиг.1) в йакууме при остаточном давлении термическим испарением напыляют металлическую пленку 2, напри Мер серебряную, толщиной 20-100 нм, йатем в том же цикле испарения напыляют дополнительную пленку 3 из Си или CuClf, или СиВг, или Cnl, или CujS или CujSe или . толщиной 1-5 нм, после чего без рёзгермети- зации вакуумной системы напылением Наносят слой полупроводникового халь когенида 4, например, AsjBj, толщиной 110 - 120 KM.

0

5

0 5 O

0

5 0 5

5

Часть приповерхностной зоны слоя полупроводникового халько.генида 4 вступает в химическое взаимодействие с материалом дополнительной пленки 3, образуя слой .5 продуктов взаимодействия, обладающий высокой степенью дисг- персности и обеспечивающий условия для эффективного протекания фотореакционной диффузии при воздействии на оригинал сигналограммы сфокусированного лазерного излучения при записи сигналограммы. Слой 5 продуктов взаимодействия уменьшает индукционный период в кинетике фотореакционной диффузии и тем самым повьппает свето- энергетическую чувствительность оригинала сигналограммы. На фиг. 2 представлено семейство кинетических кривых изменения пропускания дТ оригинала оптической сигналограммы от времени t облучения лазерным излучением в зависимости от толщины дополнительного слоя из меди (Си). Очевидно, что оптимальная толщина дополнительной пленки меди 2 нм.

Максимальная светоэнергетическая чувствительность N оригинала сигналограммы достигается при толщине d, дополнительной пленки меди 2 нм (фиг.З).

Семейство кинетических кривых изменения пропускания от времени облучения Л Т в зависимости от материала дополнительной пленки представлено на фиг,4.

Толщина дополнительной пленки для различных материалов пленки выбрана оптимальной.

Формула изобретения,

Способ изготовления оригинала оптической сигналограммы по авт.св. 9 I153354, отличающийся тем, что, с целью улучшения светоэнер- гетических характеристик оригинала оптической сигналограммы, перед нанесением полупроводникового халъко- генидного слоя на металлическую пленку в вакууме напьтяют допол1штельную пленку из Си, или CuClj, или CxiBr , или Cul, или CujS, И.ПН CujSe, CUjTe. толщиной 1-5 нм.

гг J 5 fltcu,

фуг.5