Способ изготовления аналогового элемента памяти Советский патент 1988 года по МПК G11C27/00 

4ib

to

;о

to

Изобретение относится к автоматике и вьгчислительной технике и предназначено для изготовления аналоговых капиллярных ртутно-электролитических элементов памяти.

Целью изобретения является упрощение способа изготовления элемента памяти.

На чертеже представлен аналоговый JQ элемент памяти, изготовленный по предлагаемому способу.

Аналоговый элемент памяти содержит верхнюю 1 и нижнюю 2 части камеры, заливочное отверстие 3, электроды 4, углубление 5 в нижней части камеры и капилляры 6.

Элемент памяти изготавливают из двух частей (верхней 1 и нижней 2), 20 которые представляют собой плоские подложки, полученные методом штам- повки. Из одной части изготавливают камеру и капилляры, а в другой выполняют заливочное отверстие 3 и ар- 25

мируют электроды А. После штамповки обеих частей их ишифуют и полируют до 8-10-го класса. Затем оОе части,, верхнюю и нижнюю, совмещают и, доведя температуру обеих частей до границы размягчения (для стекла состава 23 эта температура составляет 710- 715 С), сваривают под давлением 0,1- 0,5 кг/см. Процесс сварки длится 15-20 мин, после чего охлаждают камеру до комнатной температуры, не вы- зьтая внутренних напряжений в стекле. Затем через заливочное отверстие 3 заполняют камеру ртутью и электролитом, после чего герметизируют. Благодаря тому, что герметизация элемента в целом производится лишь по одной плоскости сопряжения, то в результате существенно повышается надежность герметизации. Так как капилляры формируются в процессе штамповки, разброс геометрических параметров уменьшается на порядок, достигая 0,7-1,0% по длине капилляра.