Формирователь радиоимпульсов Советский патент 1988 года по МПК H03B11/10 

Описание патента на изобретение SU1437961A1

114

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться для фор- шронаиия радиоимпульсов, например, в волоконно-оптических линиях связи для возбуждения акусто-оптических устройств.

Цель изобретения - уменьшение амплитуды высокочастотного синусоидального сигнала в паузах между радиоим- пульсами выходного сигнала.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного формирователя радиоимпульсов.

Формирователь радиоимпульсов со- держит первый - четвертый транзисторы 1 - А, первый - третий диоды 5-7, первый - четвертый резистивньш делители напряжения 8 - П, первый - третий резисторы .12 - 14, источник 15 постоянного напряжения.

Формирователь радиоимпульсов работает следующим образом.

Транзисторы 1 и 2 включены по дифференциальной схеме, каскад на тран- зисторе 4 представляет собой генератор тока в эмиттерной цепи транзисторов 1 и 2. Импульсный управляюищй сигнал представляет собой последовательность прямоугольных импульсов, кото- рые поступают на катод диода 7.

Когда импульсный управляющий сигнал имеет минимальную амплитуду (в паузе), диод 7 оказывается открытым. Ток через диод 7 протекает по цепи: источник 15 постоянного напряжения, верхний разистор резистивного делителя напряжения 8, диод 7, источник ипульсного управляющего сигнала (на схеме не показан), При этом транзис- тор 2 открыт и работает в режиме, близком к насыщению. Потенциал базы транзистора 2 определяется запертым транзистором 3 и приблизительно равен напряжению источника 15 постояв- ного напряжения. Коллекторный ток транзистора 2 протекает через транзистор 4. Потенциал иа эмиттере транзистора 2, наводимый этим током, запирает диод 5 и транзистор 1.

Напряжение на коллекторе транзис- тора 3 примедно равно напряжению источника 15 постоянного напряжения. Диод 7 фиксирует напряжение на базе. транзистора 3. При этом транзистор 1 оказывается закрытым, что обеспечивается напряжением, устанавливаемым на его базе резистивным делителем 10 напряжения. Весь ток генератора тока

I2

на транзисторе 4 протекает черё открытый транзистор 2. Дио;: 5 закрыт положительным напряжением на своем катоде, диод 6 также закрыт соответствующим напряжением на его аноде, обеспечиваемым резистивным делителем

IIнапряже1шя, меньшим, чем напряжение на катоде диода 6, Паразитные емкости транзистора 1 и диода 5 Cj включены последовательно, что приводит к уменьшению эквивалентной про- l.i

ходной емкости С

ЭКП

Си

При

этом емкость база - эмиттер транзистора 1 существенно меньше емкости база - коллектор, т.к. площадь эмиттера у современных транзисторов значительно меньше площади коллектора. В .этой связи паразитное пролезание высокочастотного сигнала с базы на эмиттер закрытого транзистора всегда меньше, чем пролезание с базы на коллектор. Так как транзистор 2 открыт и работает в режиме повторителя напряжения, то его выходное сопротивление со стороны эг Шттера очень мало. В результате напряжение высокочастотного синусоидального сипгала значительно ослабляется в точке соединения катодов диодов 5,6. Дальнейшее подавление обеспечивается за счет закрытого диода 6 и низкоомного входного сопротивления резистивного делителя I1 напряжения. Как только пауза заканчивается,- на катод диода 7 поступает высокий уровень импульсного управляющего сигнала напряжения. Диод 7 закрывается, потенциал базы транзистора 3 теперь устанавливается резистивным делителем 8 напряжения на уровне, который приводит к открыванию транзистора 3. Величины резисторов 12 и 14 выбираются таким обра- зом, чтобы транзистор 3, открывэлсь, находился на границе области насыще- шя, а не в режиме насыщешш, что по- вьшает быстродействие формирователя радиоимпульсов.

Когда транзистор 3 открьшается, потешщал его коллектора понижается до уровня, приводящего к закрыванию транзистора 2, так как потенциал его базы не изменяется. Открываются транзистор 1 и диод 5, весь ток транзистора 4 протекает через них. На катодах диодов 5 и 6 устанавлнвается потенциал, приводящий к открыванию диода 6. Высокочастотное синусоидальное

напряжение с базы транзистора 1 прямо передается., на выход формирователя радиоимпульсов. При этом транзистор 1 работает в режиме повторителя напряжения, обеспечивает усиление по току импульсного управляклдего сигнала с малыми частотными искажениями. В результате на выходе формирователя рачающийся тем, что, с целью уменьшения амплитуды высокочастотна- го синусоидального сигнала в паузах ме;кду радиоимпульсами вькодного сигнала, в него введены третий и четвертый резистивные делители напряжения, каждый из которых включен между шиной источника постоянного напряжения

Похожие патенты SU1437961A1

название год авторы номер документа
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ 1991
  • Амосов О.Ф.
  • Смирнов Ю.В.
RU2044402C1
Формирователь биполярных сигналов 1990
  • Венедиктов Олег Леонидович
SU1780156A1
Пороговое устройство 1984
  • Рябоконь Владимир Николаевич
SU1251019A1
ИСТОЧНИК ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ 1995
  • Кадель Владимир Ильич
  • Гарцбейн Валерий Михайлович
  • Иванов Аркадий Львович
RU2074492C1
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ БИПОЛЯРНОГО КОДА В ОДНОПОЛЯРНЫЙ 2002
  • Шишкин Г.И.
  • Клюшев А.В.
RU2227367C2
Транзисторный логический элемент 1988
  • Мелентьев Николай Геннадиевич
  • Мурый Юрий Федорович
SU1621165A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАПУСКА СЕТЕВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ 2005
  • Карнаухов Николай Федорович
  • Зиновьев Николай Дмитриевич
  • Шошиашвили Михаил Элгуджевич
  • Пяткин Геннадий Алексеевич
RU2278458C1
Формирователь импульсов для амплитудного модулятора передатчика ионосферной станции 1984
  • Рудай Владимир Митрофанович
  • Баранов Владимир Степанович
SU1193787A1
Стабилизированный выпрямитель 1990
  • Коган Даниили Абрамович
  • Молдавский Марк Михайлович
  • Соломатина Елена Наумовна
SU1781797A1
Формирователь импульсов 1990
  • Дубровский Владимир Васильевич
  • Бантюков Евгений Николаевич
  • Ершов Виктор Григорьевич
  • Цивьян Борис Хонович
SU1746519A1

Реферат патента 1988 года Формирователь радиоимпульсов

Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - уменьшение амплитуды ВЧ синусоидального сигнала в паузах между радиоимпульсами выходного сигнала. содержит транзисторы 1,2,3,4, диоды 5,6, ре- зистивные делители (РД) 8,9 напряжения, резисторы 12,13, источник постоянного напряжения 15. Цель достига- ется введением в устр-во третьего диода 7, РД напряжения 10,11 и тренапр.. тьего резистора 14. Когда импульснь й управляющий сигнал имеет миним. амплитуду (в паузе), диод 7 оказывается открытым. При этом транзистор 2 открыт и работает в режиме, близком к насыщению. Как только пауза заканчивается, на катод диода 7 поступает высокий уровень импульсного управляющего сигнала напряжения и диод 7 закрывается, а транзистор 3 открывается. Величик резисторов 12 и 14 выбираются т.обр., чтобы транзистор 3, открываясь, находился на границе области насыщения, а не в режиме насыщения, что повышает быстродействие устр-ва. Когда транзистор 3 открывается, открываются и транзистор 1 и диод 5. В результате на выходе устр-ва формируются радиоимпульсы с коротким фронтом и срезом со значительно подавленным ВЧ синусоидальным сигналом в паузе между радиоимпульсаьв. 1 ил. 15 S-J-а- Еп (Л с: 4;: СО ь/х.

Формула изобретения SU 1 437 961 A1

диоимпульсов формируются радиоимпуль- 10 и общей шиной, третий диод, анод которого соединен с отводом первого ре- зистивиого делителя напряжеюш, и третий резистор, который включен между эмиттером третьего транзистора и

15 общей шиной, при зтом коллектор первого транзистора, коллектор второго транзистора, второй вывод первого резистора, вfopoй вывод первого ре- зистивного делителя напряжения и вто20 рой вывод второго резистцвного делителя напряжения соединены с шиной источника посточнного напряжения, отвод третьего резистивного делителя напряжения соединен с базой первого

25 транзистора, отнод четвертого делителя напряжения соединен с анодом второго диода, второй вывод второго резистивного делителя напряжения и второй вывод второго резистора соедине30 ны с общей шиной, эмиттер и база второго транзистора соединены соответственно с катодом первого диода и с коллектором третьего транзистора, причем катод третьего диода является

сы с коротким фронтом и срезом со значительно подавленным высокочастотным синусоидальным сигналом в паузе между радиоимпульсами.

Формула из.обретения

Формирователь радиоимпульсов, содержащий первый транзистор, первый диод, анод которого соединен с эмиттером первого транзистора, а катод - с катодом второго диода, второй транзистор, третий транзистор, коллектор . которого соединен с п ервым выводом первого резистора, а база соединена с отводом первого резистивного делителя напряжения, первый вывод которого соединен с общей шиной, четвертый транзистор, коллектор которого соединен с катодом первого диода, эмиттер - с первым выводом второго резистора, а база - с отводом второго резистивного делителя напряжения, а также источник постоянного напряжения, при этом база первого транзисто- 5 входом импульсного управляюп5его сиг- ра является входом высокочастотного нала, а анод второго диода является синусоидального сигнала, о т л и - выходом формирователя радиоимпульсов.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1988 года SU1437961A1

Амплитудный модулятор 1983
  • Приходовский Григорий Осипович
  • Рыбин Юрий Константинович
  • Фридман Александр Ефимович
SU1156237A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
Амплитудный модулятор 1976
  • Сургуладзе Давид Константинович
  • Долидзе Тенгиз Джибраилович
  • Чиковани Нодар Михайлович
SU678634A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1

SU 1 437 961 A1

Авторы

Валюхов Владимир Петрович

Купцов Владимир Дмитриевич

Рыжевнин Владимир Николаевич

Серов Владимир Никитович

Усов Владимир Сергеевич

Даты

1988-11-15Публикация

1986-12-30Подача