Датчик высокого давления Советский патент 1989 года по МПК G01L11/00 G01K7/00 

Фие,1

Изобретение относится к измери-1 тельной технике и может быть использовано для измерения давления в установках высокого давления.

Цель изобретения - повышение чувствительности и расширение интервала рабочих температур.

На фиг. приведен датчик высокого давления, общий вид; на фиг.2 - зависимость температуры, соответствующей скачку электросопротивления, от давления.

Датчик содержит тензочувствитель- ный элемент 1 с токовыми 2 и потенциальными 3 омическими контактами. Тензочувствительный элемент 1 выполнен из монокристалла дихалькогенида ниобия, легированного железом (Ре,и NbS).

Датчик работает следующим образом

Для определения давления используется линейная зависимость темпера2о пределах 4-12 кбар в температурном интервале от 4,2 до 300 К, причем для измерения необходима простая аппаратура, так как смещение температуры скачка сопротивления равно

туры, соответствующей скачку электросопротивления, от приложенного давле-25 16/К/кбар. ния. Для этого датчик высокого дав ления помещается в контейнер высокого давления, где возможны изменения температуры от 4,2 до 300 К. Сопротивление измеряется по стандартной 4-зон- зо жаЩий Тензочувствительный элемент, довой схеме. При этом через пару кон- выполненный из халькогенида металла, тактов 2 и чувствительный элемент,

Формула изобретения Датчик высокого давления, содерс электроконтактами, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения ин тервала рабочих температур, в нем 5 тензочувствительнй элемент выполнен из монокристалла соединения Fe }NbS4.

выполненный из монокристалла Fe,(5NbS2, пропускается измерительный ток, а с пары 3 снимается падение напряжения, пропорциональное электросопротивлению. Регистрируя температуру, соот-

ветствующую скачку электросопротивления, по градуировочной зависимости определяют величину давления. е Монокристалы Ре,/, NbSa выращивают методом газотранспортной реакции в трехзонной печи. Омические контакты получают нанесением расплавленного индия на поверхность кристалла. Максимальное давление равное 12,6 кбар, является предельным для используемого контейнера высокого давления, а не верхним граничным давлением для предлагаемого датчика. Многократное

циклирование давления и температуры не влияет на характеристики датчика. Таким образом, предлагаемый датчик высокого давления позволяет измерить величину высокого давления в

пределах 4-12 кбар в температурном интервале от 4,2 до 300 К, причем для измерения необходима простая аппаратура, так как смещение температуры скачка сопротивления равно

16/К/кбар. жаЩий Тензочувствительный элемент, выполненный из халькогенида металла,

16/К/кбар. жаЩий Тензочувствительный элемент, выполненный из халькогенида металла,

Формула изобретения Датчик высокого давления, содер16/К/кбар. жаЩий Тензочувствительный элемент, выполненный из халькогенида металла,

с электроконтактами, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения интервала рабочих температур, в нем тензочувствительнй элемент выполнен из монокристалла соединения Fe }NbS4.

в

Фие.2

10 Л кЪар

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для измерения давления в установках высокого давления с повышенной чувствительностью и расширенным интервалом рабочих температур. Тензочувствительный элемент 1, выполненный из монокристалла дихалькогенида ниобия, легированного железом (FE₁/3NBS₂),помещается в контейнер высокого давления, где возможны изменения температуры. С помощью пары токовых омических контактов 2 через тензочувствительный элемент 1 пропускают измерительный ток, а с пары потенциальных омических контактов 3 снимается напряжение, пропорциональное электросопротивлению. Регистрируя температуру, соответствующую скачку электросопротивления тензочувствительного элемента 1, по градуировочной кривой определяют величину давления.