Способ получения изображения p-n переходов Советский патент 1962 года по МПК H01L21/02 G03G13/00 

Известные способы получения изображения р-п переходов в полупроводниках при помощи электронной эмиссии с их поверхности имеют низкое качество изображения, в связи с чем они не находят практического применения... ,,,. :

Предлагаемый способ отличается тем, что электронную эмиссию возбуждают бомбардировкой поверхности полупроводника положительными ионами. Это позволяет значительно улучшить качество изображения.

На чертеже изображено устройство для наблюдения р-л переходов.

Поверхность полупроводника /, на которую выхоДят р-п переходы, служит катодом эмиссионного электронного микроскопа со вторичной эмиссией..

Эмиссия электронов полупроводника вызьшается бомбардировкой его поверхности положительными ионами, вылетающими из ионной пушки 2., ,

Освобожденные электроны проходят объектив - микроскопа, оптическое устройство 4, проекционную линзу 5 и фокусируются на флуоресцирующий .экран 6, на котором через окно 7 ведут наблюдение за состоянием р-п перехода.

Под экрапом 6 размешена фотокассета 8 с набором фотопластинок, которые могут последовательно подаваться под экспозицию, в результате чего осуществляется фотографирование изображения с экрана 6. Вакуум внутри микроскопа обеспечивается диффузионным 5 и форвакуумным /О насосами. Питание к электродам микроскопа и ионной пушке 2 подводится с высоковольтного выпрямителя //.

При смене объекта исследования или фотокассеты внутрь микроскопа впускается воздух, который во время наблюдения откачивается насосами 9 vi 10., -,