Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, накоп лению информации, а именно к носителям записи информации на основе порошков и может быть использовано в элементах оперативной и долговременной памяти вычислительных устройств, системы хранения и передачи информации.
Цель изобретения - повьшение быстродействия и надежности носителя записи за счет уменьшения времени переключения носителя, увеличения световой стойкости записанной информации и исключения процессов тепловой деградации.
Носитель информации представляет собой тонкую пленку, состояидгю из мелкодисперсных частичек (шариков) . антиферроэлектрического молекулярного кристалла, например, хлорбромбен- зола, тетраминодифенила, диаминафтила, достаточно слабо сцепленных между собой. Поляризация в невозбужден- . ном антиферроэлектрике равна нулю. ; В отсутствие экситонов такая ультрадисперсная среда во внешнем электрическом поле Е не меняет своих механических и диэлектрических свойств вплоть до пробоя (Е л/ 10 -10 СГСЕ) . Возбуждение сиглетного экситона в одной из Давыдовских подзон антифер- роэ лектрика сопровождается возникновением дипольного момента кристалла. При резонансном облучении пленки дисперсные частицы поляризуются и начинают ориентироваться дипольными моментами „ вдоль приложенного внешнего поля. Эффективный угол поворота оси частицы определяется силами сцепления, концентрацией экситонов, величиной поля и временем одновременного действия облучения и внешнего поля.
(паА
се со
to
31499402
Для получения макс1шального сигнала толщина пленки носителя должна быть порядка длины поглощения излучения (1 мкм). Ограничения на разме- ры частиц вытекают из анализа конкурирующих факторов: трения, броуновского движения и взаимодействия с внешним полем. Пусть а - средний размер частицы, п - концентрация экситонов, Q Р 1 - усредненньй по гкситонной функции распределения в .-подзоне ди- польный момент, о - плотность кристалла, Т - температура, Тогда дипольиьм момент частицы выразится
М
(1)
Тогда энергия сцепления
40
3/2
HO а
i f- n- l/ 2 о
(8)
Отсюда согласно (5)
4W,
n- иг
(9)
, а 200а,
поПолагая ,
лучаем для сипы сцепления F , что согласуется с условием (2). Энергия W д при таких условиях Q . Вместе с тем, энергия частицы вО внешнем поле
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ оптической записи информации | 1987 |
|
SU1451770A1 |
СПОСОБ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ МАКРОСКОПИЧЕСКОГО СОСТОЯНИЯ ПОЛЯРИТОНОВ ПРИ ПОМОЩИ ОДНОГО ФОТОНА | 2020 |
|
RU2782686C2 |
СПОСОБ ПОЛНОСТЬЮ ОПТИЧЕСКОЙ МОДУЛЯЦИИ СВЕТА С ПОМОЩЬЮ МИ-РЕЗОНАНСНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПРЯМОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | 2016 |
|
RU2653187C1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТРЕХМЕРНОЙ ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ | 1998 |
|
RU2143752C1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ | 1997 |
|
RU2121174C1 |
Спо об записи и считывания оптической информации в активированных щелочных щелочно-галлоидных кристаллах | 1976 |
|
SU655233A1 |
ОПТИЧЕСКИЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ | 1994 |
|
RU2096815C1 |
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ФОРМОЙ СИНТЕЗИРУЕМЫХ ЧАСТИЦ И ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВ, СОДЕРЖАЩИХ ОРИЕНТИРОВАННЫЕ АНИЗОТРОПНЫЕ ЧАСТИЦЫ И НАНОСТРУКТУРЫ (ВАРИАНТЫ) | 1998 |
|
RU2160697C2 |
ОПТИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ, ОПТИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЭЛЕМЕНТА II ГРУППЫ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1998 |
|
RU2169413C2 |
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗНЫЙ СЛОЙ БОЛЬШОЙ ТОЛЩИНЫ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ И ДРАГОЦЕННЫЕ КАМНИ, ИЗГОТАВЛИВАЕМЫЕ ИЗ ЭТОГО СЛОЯ | 2001 |
|
RU2287028C2 |
Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике ,в частности, к носителям записи информации на основе порошков, и может быть использовано в элементах оперативной и долговременной памяти вычислительных устройств. Цель изобретения - повышение быстродействия и надежности за счет уменьшения времени переключения носителя, увеличения световой стойкости записанной информации и исключения процессов тепловой деградации. Поставленная цель достигается за счет выполнения чувствительного к излучению материала в виде антиферроэлектрического кристалла.
Момент силы, действующий на чистицу во внешнем поле М РЕ, подбором 20 среды и величины поля может быть сделан больше момента сил сцепления. Отсюда имеем для силы сцепления
W
Е
аЗпР,,Е
(10)
F а
должна превышать W. Подстановка численных значений дает Wgi10 3pr 7 . Велиггина WQ в свою очередь должна превышать энергию броуновского (2) 25 движения (качаний) частиц
10 см.
.,
Для значения а 1U см, n Р iu - 1 Дб, Е -10 -СГСЕ имеем F . Оценим величину F. Пусть энергия межмолекулярного взаимодействия на больших расстояниях
V() -
(3)
Отсюда
F I - vV(f)l (r) . (4) г
Энергия сцепления двух частиц W, ci/iN-V(r J
(5)
число молекул, эффективно участвуюп1их во взаимодейст- 45
ВИИ,
расстояние между поверхностями частиц.
4(--)
(- -ГЗо
(6) 50
Увеличение быстродействия до О 10 с достигается уменьшением
где а - постоянная решетки.
Учитываем, что для большинства молекулярных кристаллов теплота субли- 55 лмации (на 1 элементарную частицу)
ная с которых при комнатных темпера(7)турах становится существенным тепловое разупорядочивание частиц порошка.
средних размеров частиц порошка до см - предельных размеров, начиQ 10
-n
эрг.
W
Е
аЗпР,,Е
(10)
W , 7 kT
(11)
30
Условие (11) накладывает ограничение на размеры частиц. При комнатных температурах Т 102 К
а 7, 10
см
(12)
35 Характерное время разворота частицы во внешнем поле определяется из соответствующего уравнения динамики вращения:
- )/ - -6 а v
(13)
Для используемых значений параметров ( JJ - 1 г/см) имеем .
Плотность информации, записанной на Носителе, определяется возможностями фокусировки возбз ждающего экси- тоны пучка. Полагая площадь сечения пучка см , получаем для плотности информации величину 10-- 10 бит/см.
Увеличение быстродействия до О 10 с достигается уменьшением
л лсредних размеров частиц порошка до см - предельных размеров, начиТепловая стойкость записанной на носителе информации при комнатных температурах обеспечивается силами сцепления, которые варьируются подбором среды, окружающей частицы,и дисперсии их размеров а 10 см.
Носитель устойчив по отношению к .раздельному воздействию облучения
(из-за сравнительно небольших концентраций ЭКСИТОНОВ ) и
электрического поля (из-за отсутствия поляризации в антиферроэлектрик
которые, вплоть до пробоя, не влияют на ориентацию частиц порошка.
Формула изобретения
Носитель 1шформации, содержащий тонкую пленку дисперсного порошка из чувствительного к излучению материала, отличающийся тем, что, с целью повьш1ения быстродействия и надежности носителя, чувствительный к излучению материал выполнен в виде антиферрозлектрического кристалла.
Proc | |||
Appl | |||
Phys | |||
Дверной замок, автоматически запирающийся на ригель, удерживаемый в крайних своих положениях помощью серии парных, симметрично расположенных цугальт | 1914 |
|
SU1979A1 |
ТРУБЧАТАЯ КОЛОСНИКОВАЯ РЕШЕТКА | 1927 |
|
SU6881A1 |
Хоппер-дозатор | 1983 |
|
SU1211368A1 |
Походная разборная печь для варки пищи и печения хлеба | 1920 |
|
SU11A1 |
Авторы
Даты
1989-08-07—Публикация
1987-04-27—Подача