Устройство для экранирования сверхпроводникового прибора Советский патент 1989 года по МПК G12B17/02 

31499409

меры, имеет шток 4, укрепленный в ней герметично и подвижно. Ввод 5 на крьшке 3 служит для напуска в камеру 2 газообразного теплоносителя, напри- - мер гелия. Прибор, содержащий СП элементы, размещается на конце штока в верхней части камеры 2. После напуска через ввод 5 теплоносителя включают нагреватель 6, укрепленный о на внутренней поверхности камеры 2 на уровне верхней кромки многослойно- го -экрана 7 из материала, погруженного в жидкий хладагент криостата, и перемещают шток 4. Прибор перемещается из неэкра &рованной части камеры 2 в часть, охваченную экраном 7, при температзфе вьшге критической, поэтому в его элементах не возникают СП токи, обусловленные наличием внешних полей в неэкранированной области. Электронагреватель б отключают, и прибор переходит в СП состояние внутри экрана, свободного от вмороженного поля. 1 ил.

Изобретение относится к области технической физики ,в частности, к области экранирования приборов, содержащих сверхпроводящие (СП) материалы, от внешних магнитных полей. Цель изобретения - повышение эффективности экранирования при многократном перемещении сверхпроводникового прибора из неэкранированной области в экранированную. В креостате 1 с жидким хладагентом размещена камера 2 с вакуумно-изолированными стенками, причем дно камеры 2 находится в тепловом контакте с жидким хладагентом. Крышка 3, герметизирующая открытый вход камеры, имеет шток 4, укрепленный в ней герметично и подвижно. Ввод 5 на крышке 3 служит для напуска в камеру 2 газообразного теплоносителя, например гелия. Прибор, содержащий СП элементы, размещается на конце штока в верхней части камеры 2. После напуска через ввод 5 теплоносителя включают нагреватель 6, укрепленный на внутренней поверхности камеры 2 на уровне верхней кромки многослойного экрана 7 из материала, погруженного в жидкий хладагент криостата, и перемещают шток 4. Прибор перемещается из неэкранированной части камеры 2 в часть, охваченную экраном 7, при температуре выше критической, поэтому в его элементах не возникают СП токи, обусловленные наличием внешних полей в неэкранированной области. Электронагреватель 6 отключают, и прибор переходит в СП состояние внутри экрана, свободного от "вмороженного" поля. 1 ил.

25

Изобретение относится к техничесой физике, в частности к области эканирования приборов от магнитных по- 0 ей.

Цель изобретения - повышение эфективности экранирования при многоратном перемещении сверхпроводникоого прибора из неэкранированной области в экранированную.

Поставленная цель достигается тем, то полая, сткрьп-ая с одного конца камера, экранированная многослойным сверхпроводниковым экраном, снабжена 3 герметично соединенной с ее открытым концом крышкой, в которой герметично и подвижно установлен шток. На внутренней поверхности камеры, на уровне верхней кромки многослойного экрана, 35 установлен нагреватель, и камера заполнена газообраз-ным теплоносителем, а дно ее выполнено с возможность ю кондуктивного теплового контакта с жидким хладагентом.-.40

На чертеже изображено устройство, общий вид.

Устройство содержит криостат 1, , полую камеру 2, дно которой находит- 45 ся в контакте с жидким хладагентом, а стенки вакуумно-изолированы, крьрп- ку 3, герметично соединеннуй с открытым входом камеры 2, шток 4, укрепленный в крьш1ке 3 одним своим концом герметично и подвижно, ввод 5, уста- новленный на крышке 3, для напуска в камеру 2 газообразного теплоносителя, электронагреватель 6, укрепленный на внутренней поверхности камеры 2 на , уровне кромки многослойного экрана 7, из сверхпроводящего материала, погруженного в жидкий хладагент криостата 1.

50

5

0

5 0

5

0

Устройство работа.ет следующим образом.

Криостат 1 заполняется жидким зшадагентом. Камера 2 герметизируется крьш1кой 3. При этом прибор, содержащий сверхпроводящий материал, предварительно закрепленный на свободном конце штока 4, размещается в объеме камеры 2. Через ввод 5 камеры наполняются газообразным теплоносителем, например гелием. Включается электронагреватель 6.

Шток 4 перемещают внутрь камеры, при этом сверхпроводниковьй прибор,. укрепленный на его Конце, переходит в область, экранированную многослойным сверхпроводящм экраном при температуре выше той, при которой наступает сверхпроводимость ив приборе не возбуждаются незатухающие токи из-за магнитных полей, существующих в неэкранированной области камеры 2., Электронагреватель 6 отключают.В камере 2 устанавливается температура, соответствующ§1Я области сверхпроводимости прибора. Формула и 3 о б р е т е-н и я

Устройство для экранцробания сверхпроводникового прибора., содержащее 1фиостат с размещенными в нем . : многослойным экраном из сверхпроводящего материала, погруженным в хладагент криостата, и размещенную внутри экрана полую камеру, открытую с одной стороны, с вакуумно-изолирован- ными стенками, которая югруясена в хладагент, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности экранирования при многократ ном перемещении прибора из неэкранированной области в экранируемую, полая камера снабжена крьшпсой, герме51499409

тично соединенной с ней с ее откры-лой камеры на уровне размещения

той стороной, штоком, установленнымверхней кромки мйогослойного э крана,

внутри ее, один конец которого гер-причем полая камера заполнена газообметично и подвижно соединен с крьш-разным теплоносителем, а ее дно выкой, и нагревателем, укрепленнымполнено с возможностью теплового конна внутренней поверхности стенок по-такта с жидким хладагентом криостата.