Стекло Советский патент 1989 года по МПК C03C3/74 

1

(21)4274894/23-33

(22)02.07.87

(46) 23.10.89.Bian. 39

(71)Минский радиотехнический институт

(72)И.Л.Раков, А.П.Молочко, Н.П.Соловей и Е.В.Горбачева

(53) 666.112.7(088.8)

(56) Авторское свидетельство СССР

№ 617398, кл. С 03 С 3/10, 1978.

Патент США V 3868334, кл,252-520, 1975.

(54) СТЕКЛО

(57) Изобретение относится к производству бесщелочных легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности в качестве защитных диэлектрических покрытий ИМС. С целью повышения термического коэффициента линейного расширения и водоустойчивости стекло включает следующие компоненты, мас.%: РЬО 51,52-63,80, 5,68-6,43, SiOa 19,64-24,97, ZnO t. 6,65-7,51, SrO 4,23-9,57.Термический коэффициент линейного расширения (72,5-92,5)- 10 град , гидролитичесг- кий класс - первый. 2 табл.

%

Изобретение относится к производству бесщелочных легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности в качестве защитных диэлектрических покрытий ИМС. С целью повышения термического коэффициента линейного расширения и водоустойчивости стекло включает следующие компоненты, мас.%: PBO 51,52-63,80

B₂O₃ 5,68-6,43

SIO₂ 19,64-24,97

ZNO 6,65-7,51

SRO 4,23-9,57. Термический коэффициент линейного расширения (72,5-92,5)^.10^-7 град^-1, гидролитический класс-первый. 2 табл.

Изобретение относится к производству бесщелочных стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности для защитных диэлектрических покрытий интегральных микросхем.

Целью изобретения является повышение термического коэффициента линейного расширения и водоустойчивости стекла.

При составлении шихт используют сырьевые материалы марки ч., х.ч., ч,д.а. Стекло варят в электрической печи КО-14 при с выдержкой 0,3-0,5 ч. Выработку стекломассы осуществляют в формы для изготовления необходимых образцов.

В табл.1 приведены составы предлагаемого стекла.,

Свойства стекол приведены в табл.2.

Стекло обладает хорошими технологическими свойствами. При относительно невысокой температуре синтеза С оно хорошо проваривается и осветляется при незначительной выдержке, не превышающей 30 мин,обладает хорошими выработочными свойствами, широким интервалом изменения вязкости.

Данное соотоношение оксидов позволяет расширить интервал значений ТКЛР от 72 10 до 92,5 10 град , что обеспечивает более широкие возможности использования стекла. Кроме того, данное стекло характеризуется высокой водоустойчивостью и относится к первому гидролитическому классу.При этом оно является легкоплавким,имеет сравнительно невысокие температуры начала размягчения 510-518 с.

сд

0 4 vl

О

Сочетание перечисленных свойств позволяет рекомендовать данное стекло для получения диэлектрических защитных покрытий интегральных микросхем, работающих в условиях повьппен- ной влажности. Отсутствие кристаллизации в широком интервале температур и хорошая растекаемость позволяют получать стеклопленки прш различных температурах хорошего качества (пористость пленки составляет не более 1-3 см ).

Использование стекла в производстве интегральных микросхем обеспечит надежную их изоляцию при сохранении стабильности электрофизических

Температура начала размягчения, С ТКЛР, оС-Ю , град Удельное электрическое сопротивление при 20 С, Ом-см

Редактор Н.Рогулич

Составитель М.Гулюкин

Техред А.Кравчук Корректор В.Кабаций

Заказ 6348/23

Тираж 418

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

характеристик полупроводниковых приборов. Формула и з:о бретения

Стекло для защитных покрытий,включающее РЬО, , SiO, ZnO, о т- личающееся тем, что, с целью повышения термического коэффициента линейного расширения и водоустойчи- вости, оно дополнительно содержит SrO при следующем соотношении компонентов, мас.%:

РЬО51,52-63,80

BfOj5,68-6,43

,64-24,97

ZnO6,65-7,51

SrO4,23-9,57

Таблица 1

Таблиц a2

518 77,3

9,0 ИО

«&

Подписное