Корпус интегральной схемы Советский патент 1989 года по МПК H01L23/00 

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к микроэлектронике, и может быть использовано при производстве интегральных схем в корпусах с мощностью рассеивания более 1,5 Вт, металлические выводы которых выступают с двух противоположных сторон от продольной оси корпуса.

Цель изобретения - повышение надежности путем устранения обрыва и микротрещин.

На фиг,1 изображен корпус интегральной схемы, вид спереди; на фиг.2 - то же, вид сверху; на фиг.З то же, вид сОЬку; на фиг.4 - разрез А-А на фиг,2; на фиг.5 - разрез Б-Б на фиг,4,

Корпус интегральной схемы имеет расположенный вдоль продольной оси корпуса металлический теплоотвод 1, на котором установлен металлический кристаллодержатель 2, выполненный в виде металлического ободка, припаянного к полупроводниковому кристаллу 3 и металлическому теплоотводу 1 посредством никелевой пористой проклад- ки 4 и припоя ПОС 2,5. Полупроводниковый кристалл 3 электрически соединен проводниками 5 с металлическими выводами 6, лежащими на металлическом теплоотводе 1 изолированно от него посредством диэлектрической пленки 7,

Полупроводниковый кристалл 3, проволочные проводники 5 заключены в расположенный на теплоотводе 1 участок герметизирующего слоя 8, отделены двумя канавками 9, перпендикулярными продольной оси корпуса, от участков 10 и 11 этого слоя. Благодаря тому , что канавки 9 выпол- нены глубиной до металлических выводов 6, образованы три участка 8,

10и 11 герметизирующего слоя. Канавки 9 расположены с двух противоположных полупроводниковому крис таллу 3 сторон за пределами проволочных проводников 5 и между выступающими из слоя 8 и участков 40 и

11соседними выводами I2 и. 13 и 14 и 15.

Корпус имеет 40 металлических выводов, расположенных с двух противоположных сторон от продольной оси металлического теплоотвода 1 и корпуса,

При увеличении длины корпуса количество канавок, разделяющих герметизирующий слой пластмассы на отдельные участки, может быть увеличено.

Канавки, перпендикулярные продоль ной оси корпуса, глубиной до металлических выводов разделяют герметизирующий слой пластмассы по крайней мере на три отдельных участка, в резул

тате чего достигается исключение микротрещин в каждом из них, в том

g 5

0 5

0

0

5 5

O

числе в участке т ерметнчирующего слоя пластмассы, соединенного с по лупроводниковым кристаплом, его электрическими соединениями с металлическими выводами и металлическим теплоотводом.

Расположение канапон между высту- паюо;имн из участков герметизирующего слоя пластмассы соседними выводами надежно закрепляет их в пластмассе.

Изобретение позволит повысить надежность интегральных схем за счет исключения микротрещин в герметизирующем слое пластмассы.

Формула изобретения

Корпус интегральной схемы, содержащий расположенный вдоль продольной оси корпуса металлический теплоотвод, на котором установлен металлическ1;й кристаллодержатель с полупроводниковым кристаллом, электрически соединенным проводниками с металлическими вь водами, лежащими на металлическом теплоотводе изолированно от него, а полупроводниковый кристалл и проводники заключены в расположенный на теплоотводе герметизирующий слой пластмассы, из которого гысту- пают с двух противоположных сторон от продольной оси металлического теплоотвода изолированно от него металлические выводы, отличающийся тем, что, с целью повьше- ния надежности путем устранения обрыва проводников и микротрещин, герметизирующий слой выполнен в ви- де участков, отделенных друг от друга канавками, при этом один из участков расположен в зоне кристалла, включающей соединение кристалла с проводниками, причем канавки расположены с двух противоположных сторон от полупроводникового кристалла за пределами его электрических соединений между выступающими из участков герметизирующего слоя пластмассы соседними выводами.

Фиг.1 1011 9 13 8 14 9 15 11

Г-| Г-|Г-|Гinnnnlr-i

Ibyj

innnnlr-in

Ibyj

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к интегральным схемам в корпусах с мощностью рассеивания более 1,5 Вт, металлические выводы которых расположены с двух противоположных сторон от продольной оси корпуса. Цель - повышение надежности путем устранения обрыва и микротрещин. Корпус содержит расположенный вдоль продольной оси корпуса металлический теплоотвод, на котором установлен металлический кристаллодержатель с полупроводниковым кристаллом, электрически соединенным с металлическими выводами, лежащими на металлическом теплоотводе изолированно от него, а полупроводниковый кристалл, его электрические соединения с металлическими выводами и металлический теплоотвод соединены со слоем пластмассы, из которого выступают друг против друга с двух противоположных сторон от продольной оси металлического теплоотвода металлические выводы, причем слой пластмассы разделен на три участка прямоугольной формы перпендикулярными продольной оси корпуса канавками глубиной до металлических выводов, расположенными с двух противоположных сторон от полупроводникового кристалла вне зоны его электрических соединений между выступающими друг против друга из участков слоя пластмассы соседними металлическими выводами, причем канавки размещены между теми из соседних металлических выводов, которые наименее удалены от зоны электрических соединений. Изобретение позволяет повысить надежность интегральных схем за счет исключения микротрещин в герметизирующем слое пластмассы. 3 ил.

UUUUUUULlUL UUUUUUUUUU

Фаз. I

л

-f

0US.S

-/1

7 1955

641 89 6

11

15

1ИИ I

Составитель Б. СкОробогатова Редактор Л. Веселонская т ехред М.Ходанич Корректор В, Кабаций

Заказ 6608/54Тираж 696Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 1П035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. Д/5

6-6

567

/y

i/i.