Способ обработки р-п переходов полупроводниковых приборов Советский патент 1962 года по МПК C22F1/02 

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЕРЕХОДОВ

Заявлено 16 марта 1962 г. за № 769224/26-9

в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений № 23 за 1962 г.

В известных способах обработки р-п переходов полупроводниковых приборов защитную окисную пленку на их поверхности создают путем анодного оксидирования при использовании в качестве электролита дистиллированной воды.

В описываемом.способе придание защитной окисной пленке гидрофрбных свойств и повышение надежности защиты поверхности р-п переходов достигается тем, что после создания окисной пленки ее подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600-800° в течение 10-20 мин.

Для осуществления предлагаемого способа после травления полупроводникового прибора в травителе СР-8 или в смеси плавиковой и азотной кислот производится промывка в циркулирующем потоке деионизированной воды с удельным сопротивлением мгом и анодное оксидирование обычным порядком. Затем производится сушка в вакууме (10 мм рт. ст.) при температуре 120° в течение одного часа и кратковременная термообработка в инертном газе или вакууме при температуре 600-800 в течение 10-20 мин. ПРИБОРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

Предмет изобретения

Способ обработки р-п переходов полупроводпиковых приборов путем создания защитной окисной пленки на их новерхности в результате анодного оксидирования, отличающийся тем, что, с целью придания защитной окисной пленке гидрофобных свойств для повыщения надежности защиты поверхности р-п переходов, пленку подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600-800° в течение 10-20 мин.