Носитель информации Советский патент 1990 года по МПК G11C11/14 

Фм.1

Изобретение относится к вычислительной технике и оптоэлектронике и может быть использовано в быстродействующих магнитооптических управляв- мых транспарантах (МОУТ).

Целью изобретения является расширение температурного диапазона работы с высоким быстродействием.

На фиг.1 приведена блок-схема но- сителя информации} на фиг.2 - типичная зависимость скорости ДС V от плоскостного поля И ; на фиг.3 - график зависимости скорости ДС V от продвигающего магнитного поля Нм

при нескольких фиксированных значениях Нпд.

Носитель информации содержит прозрачную подложку 1, на которую нанесена висмутсодержащая феррит-гранато- вая пленка 2 и постоянные магниты 3, создающие постоянное магнитное поле в плоскости пленки 2.

Сущность изобретения состоит в том, что феррит-гранатовая пленка

выполнена содержащей в додекаэдричес- кой подрешетке граната только немагнитные ионы с фактором качества материала от 50 до 500,

В частности, феррит-гранатовая

пленка может быть выполнена состава (Y,Su)xBivFe2GaftO ,г, где х 0,7- 1,8; у 1,2-2,Ь; 2 3,6-3,9; и 1,1-1,3.

Поскольку в додекаэдрической под

решетке граната отсутствуют магнитные редкоземельные ионы, то магнитные свойства определяются намагниченность тетраэдрической и октаэдрической под- решеткой, которые содержат одинаковые ионы Ее31- . Вследствие этого носитель информации обладает высокой термостабильностью параметров в широком температурном диапазоне. Высокое быстродействие обеспечивается приложением постоянного магнитного поля в плоскости пленки Н пл 7 , где Н

CIA

пороговое значение плоскостного поля, приблизительно равное 1кЭ.

Носитель информации работает следующим образом.

Приложение поля Н ПЛ И л с помощью постоянных магнитов 3 обеспечивает режим движения ДС с высокой скоростью (фиг.2 и 3) . Движение ДС происходит при приложении переключающего магнитного поля с помощью токовых управляющих структур (на фиг.1 не показаны) .

5

,0

5

0

5

,Q .,

50

Состав пленки 2 выбирают из следующих соображений. При содержании В менее 1,2 атома на формульную единицу граната (ф.е.) не удается создать высокое поле одноосной анизотропии, необходимое для стабилизации ДС в полях Н ПЛ Н л в пленках с намагниченностью насыщения М5 -150 Гс. При , не удается получить достаточно совершенные пленки. При указанном соотношении для у содержание немагнитных редкоземельных ионов должно находиться в диапазоне 0,7 1,9. При содержании Ga менее 1,1 ф.е. не удается получить достаточно высокой одноосной анизотропии, а также монодоменное состояние в ячейках достаточно большого размера (0100 мкм). При ,3 недопустимо снижается температура Нееля, т.е. сужается температурный диапазон работы. При указанном содержании галлия содержание железа составляет 3,6 z 3,9.

При факторе качества материала Q 50 не удается получить достаточно большую скорость ДС, а при факторе качества Q 500 снижается температура Нееля из-за низкой намагниченности насыщения.

Пример, Висмутсодержащие пленки состава (R,Bi)3(Fe,Oa)sOn , где R Lu, Y, La, Ca, выращивали методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на прозрачных подложках Gd GagOti (ГГГ) и (Gd,Ca)3(Zr,Mg,Ga)501 (ГКЦМГГ) при переохлаждении 80-150 К. Постоянное магнитное поле в плоскости пленки 2 создавали с помощью самарий-кобальтовых магнитов 3. Напряженность этого поля достигала 5 кЭ.

В таблице приведены примеры конкретного выполнения, где Л Т - температурный диапазон, в котором скорость ДС превышает 500 м/с. На фиг.2 и 3 приведены данные для пленки состава Lu0|lY0|9Bi1,gFe3lgGa,rl01l.

Данные, приведенные в таблице и на фиг.2 и 3, свидетельствуют о расширении температурного диапазона работы примерно в 5 раз.

Формула изобретения

1. Носитель информации, содержащий висмутсодержащую феррит-гранатовую jmeHKy, расположенную на подложке из

прозрачного граната с ориентацией (III), отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона работы носителя информации и повышения его быстродействия, феррит-гранатовая пленка выполнена содержащей в додекаэдрической подре- шетке граната только немагнитные

ионы с фактором качества материала от 50 до 500.

2. Носитель информации по п.1, отличающийся тем, что феррит-гранатовая пленка выполнена состава (Y,Lu)xBiyFezGa4Oft, где х 0,7-1,8, у 1,2-2,, z 3,6-3,9, и 1,1-1,3.

Изобретение относится к вычислительной технике и оптоэлектронике и может быть использовано в быстродействующих магнитооптических транспарантах. Цель изобретения - расширение температурного диапазона работы с высоким быстродействием. Носитель информации содержит немагнитную подложку со структурой граната 1 и феррит-гранатовую пленку 2, содержащую в додекаэдрической подрешетке висмут и немагнитные редкоземельные ионы. Подложка 1 с пленкой 2 помещены в плоскостное магнитное поле, создаваемое постоянными магнитами 3. Пленка 2 выполнена с невысокой намагниченностью насыщения (200 Гс) и высокой одноосной анизотропией за счет введения в состав пленки большой концентрации висмута и замещения железа ионами галлия. В плоскостных полях H_пл выше 1 кЭ изменяется механизм движения доменной стенки, что приводит к резкому возрастанию ее скорости с @ 5 м/с в отсутствие плоскостного поля до @ 2,5 км/с при плоскостном поле @ 4 кЭ. Для реализации такого механизма и получения высокой скорости доменной стенки фактор качества материала составляет 50-500H_иН_и - продвигающее импульсное поле). 1 з.п.ф-лы, 3 ил.

гЧ н„,кз

Н„л 31гООЭ

if,1 М/С

10

W

800

фигЗ

Нн.Э