МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА Российский патент 1999 года по МПК G02F1/09 

Описание патента на изобретение RU2138069C1

Изобретение откосится к магнитооптическим структурам, предназначенным для использования в системах оптической обработки информации, и может быть использовано при создании датчиков, преобразователей магнитных полей и других устройств аналогичного назначения.

В настоящее время широко известны висмутсодержащие феррит- гранатовые материалы в виде тонких или многослойных пленок, используемые для визуализации и наблюдения магнитных полей. В частности, эпитаксиальные висмутсодержащие пленки используют как для наблюдения магнитных полей от различных источников, так и для обработки информации в магнитооптических приборах и системах [1,2] . Такие эпитаксиальные пленки представляют собой структуры, выращиваемые на монокристаллических диэлектрических подложках гадолиний- галлиевого граната (ГГГ) обычно плоскостной кристаллографической ориентации [111], [110] или [210].

Известны магнитооптические пленки со структурой граната состава (Bi,Y, Tm, Gd)3(Fe, Ga)5O12, применяемые в устройствах отображения, оптических устройствах обработки данных, в элементах памяти [3]. Как показано на фиг. 1, такая пленка 1,
эпитаксиально выращенная на подложке 2 из ГГГ с ориентацией [111], имеет одноосную анизотропию, направленную вдоль оси с ориентацией [111]. Удельное значение фарадеевского вращения в такой пленке, измеренное на длине волны 546,1 нм проходящего света, составляет порядка 3 град/мкм. Такая пленка проявляет гистерезис B-H фарадеевского вращения в функции приложенного поля вдоль оси [111]. Величина поля, требуемая для переключения пленки между противоположными состояниями насыщения, варьируется в пределах 30-400 Э.

Пленка, подобная показанной на фиг. 1, имеет одноосное направление намагниченности, т.е. вектор 3 намагниченности направлен перпендикулярно плоскости пленки. Таким пленкам свойственна "лабиринтная" доменная структура, схематично представленная на фиг.1. Она возникает в отсутствие внешнего магнитного поля Hвнеш, перпендикулярного плоскости пленки, или если такое поле невелико.

При приложении к пленке 1 внешнего поля Hвнеш достаточного уровня ее доменная структура изменяется, приблизительно представляя форму магнитного потока от соответствующего источника. На этом явлении основана визуализация магнитного поля с помощью висмутсодержащих феррит-гранатовых пленок. Включение висмута в состав феррит-гранатовой пленки улучшает ее магнитооптические свойства.

К недостаткам таких пленок следует отнести сравнительно низкое разрешение, которое ограничено шириной полосового домена. Ширину полосового домена можно уменьшить, увеличивая намагниченность насыщения 4πMs пленки, однако при этом чувствительность такой пленки к Hвнеш сильно уменьшается. Можно увеличить намагниченность насыщения 4πMs также за счет уменьшения толщины пленки. При этом, однако, пропорционально уменьшается фарадеевское вращение вектора поляризации света, что затрудняет наблюдение при визуализации магнитного поля. В одноосных висмутсодержащих феррит-гранатовых пленках достигнуто разрешение не лучше, чем 1,2 мкм для источников магнитного поля, имеющих отношение сигнал/шум в диапазоне 45-50 дБ.

Известны также магнитооптические структуры с висмутсодержащими феррит-гранатовыми пленками, вектор намагниченности которых направлен вдоль плоскости пленки, так называемой пленки с "легкой плоскостью" [4,5]. Указанная структура схематично представлена на фиг.2. Подложкой 2 для такой пленки 1, обычно является монокристалл ГГГ или сложно-замещенного ГГГ с Ca, Mg, Zr или иной монокристаллический диэлектрический материал с соответствующим параметром кристаллической решетки. Ориентация подложек для феррит-гранатовых пленок с "легкой плоскостью" намагниченности может быть [111], [210], [100]. Вектор 3 намагниченности под действием перпендикулярной компоненты внешнего магнитного поля, т.е. H⊥внеш, отклоняется от плоскости пленки на некоторый угол, зависящий от напряженности H⊥внеш. Угол фарадеевского вращения вектора поляризации света пропорционален углу отклонения от плоскости пленки, т.е. пропорционален H⊥внеш. .

Главными преимуществами пленок с "легкой плоскостью" являются высокое разрешение и возможность осуществления глубокой оптической модуляции, т.е. получения более контрастного изображения магнитного поля при его наблюдении. Эта возможность связана с большими значениями фарадеевского вращения. Однако для достижения таких значений необходимо введение в кристаллографическую решетку пленки большего количества ионов висмута. В свою очередь, увеличение количества ионов висмута увеличивает анизотропию поля HА феррит-гранатовой пленки и, следовательно, увеличивает требуемое значение поля H⊥внеш для получения того же угла вращения вектора Иными словами, чувствительность пленки уменьшается. Более того, при введении ионов висмута в состав пленки выше определенного количества она становится одноосной.

Задачей изобретения является создание магнитооптической структуры, преимущественно в качестве датчика магнитных полей, преодолевающей недостатки аналогичных структур, известных из предшествующего уровня техники. Достигаемым при этом техническим результатом является повышение разрешения и чувствительности, обеспечение высокого значения фарадеевского вращения поляризованного света и высокого быстродействия при приложении импульсного внешнего магнитного поля.

Указанный результат достигается тем, что в магнитооптической тонкопленочной структуре, содержащей подложку из диэлектрического материала со структурой граната, на которую нанесена пленка магнитного материала с вектором намагниченности, лежащим в плоскости пленки, причем в качестве магнитного материала пленки выбран висмутсодержащий галлиевый феррит-гранат, отличающейся тем, что подложка выполнена из монокристалла гадолиний-галлиевого граната, кристаллографическая ось [100] которого смещена относительно перпендикуляра к плоскости подложки и соответственно плоскости пленки из висмутсодержащего феррит-граната на угол А, не превышающий величины отклонения до направления кристаллографической оси [210], причем висмутсодержащий феррит- гранат допирован редкоземельными элементами.

При этом угол А между кристаллографической осью [100] монокристаллической подложки и перпендикуляром к плоскости подложки с пленкой из висмутсодержащего феррит-граната, отсчитываемый в направлении к кристаллографической оси [210] монокристалла подложки, предпочтительно выбран в пределах
0 < A ≤4o.

Кроме того, в качестве допирующих редкоземельных элементов могут быть выбраны элементы из группы, состоящей из туллия, лютеция, гадолиния в отдельности и их комбинаций.

И наконец, магнитный материал пленки предпочтительно содержит от 0,8 до 0,85 ионов висмута и от 1,1 до 1,15 ионов галлия на одну формульную единицу кристаллической структуры упомянутого материала.

Изобретение поясняется чертежами, на которых представлено следующее:
фиг. 1 - иллюстрация вышеупомянутой "лабиринтной" доменной структуры в магнитооптической тонкопленочной структуре с вектором намагниченности, перпендикулярным плоскости пленки из магнитного материала;
фиг. 2 - схематичное представление известной магнитооптической тонкопленочной структуры с вектором намагниченности, лежащим в плоскости пленки из магнитного материала;
фиг. 3 - схематичное представление магнитооптической тонкопленочной структуры, соответствующей изобретению, иллюстрирующее ориентацию кристаллографических осей.

Соответствующие изобретению признаки ориентации подложки и состава нанесенного на нее слоя - пленки магнитного материала - обеспечивают оптимальные параметры для поля анизотропии HА, намагниченности насыщения 4πMs, , коэффициента фарадеевского вращения θF и фактора магнитной добротности Q = 2HA/4πMs при сохранении минимальных значений для HА и 4πMs.
В результате проведенных заявителем исследований и экспериментов по изучению влияния изменения ориентации подложки на поле анизотропии HА на чувствительность θF/H⊥внеш было обнаружено, что упомянутая ориентация подложки, представленная на фиг.3, характеризуемая углом A между перпендикуляром 4 к плоскости подложки 1 с нанесенной пленкой 2 и кристаллографической осью [100] 5 в пределах до 4 , при переходе к направлению кристаллографической оси [210] 6 дает наилучшие результаты в аспекте чувствительности θF/H⊥внеш. При увеличении угла А ориентации подложки 1 от 0o до 4o включительно поле анизотропии HА постепенно уменьшается, в чувствительность θF/H⊥внеш резко возрастает. При дальнейшем отклонении ориентации подложки, превышающем 4o, верхний слой феррит-гранатовой пленки изменяет направление намагниченности на перпендикулярное к плоскости пленки. В частности, при величине отклонения от ориентации [100], равной 6o вся эпитаксиальная монокристаллическая пленка по всей толщине становится одноосно намагниченной и появляется "лабиринтная" доменная структура (фиг. 1), как в обычных пленках феррит-граната с ориентацией [111].

Угол ориентации вектора 3 намагниченности пленки 2 от перпендикулярного направления к положению в плоскости пленки 2, т.е. от ориентации вектора 3 намагниченности показанной на фиг. 1, к его ориентации, показанной на фиг. 2, также зависит от количества ионов висмута и галлия в составе монокристаллического слоя и от условий роста пленки и методов выращивания или нанесения. При содержании галлия менее 1,1 иона на одну формульную единицу монокристаллической структуры намагниченность насыщения становится большой ( 4πMs > 200 Гс). В этом случае у пленок магнитная добротность Q уменьшается ( Q -фактор < 1), а чувствительность резко падает и требуются большие значения H⊥внеш, чтобы отклонить вектор от направления [100]. При введении галлия в количестве больше, чем 1,15 иона на одну формульную единицу ( 4πMs≅ 70 Гс) магнитная добротность Q становится больше 1, и вектор находится в положении, перпендикулярном плоскости пленки ("лабиринтная'' доменная структура).

Ограничения на содержание висмута связаны с требованием более высоких значений фарадеевского коэффициента и определяются величинами HА и 4πMs. Пленки при содержании висмута менее 0,8 иона на одну формульную единицу имеют малые значения θF. . Этот недостаток пленок непосредственно связан с содержанием висмута в кристаллической решетке. Однако когда содержание висмута становится больше, чем 0,85 иона на одну формульную единицу, параметр aF решетки пленки становится больше, чем параметр as решетки подложки из ГГГ, что вызывает значительную стрессовую анизотропию вдоль плоскости, определяемой кристаллографической осью [100], и чувствительность пленок уменьшается. При этом также уменьшается магнитооптическая добротность θF/α, где α - -оптическое поглощение.

Пример конкретного выполнения
В соответствии с изобретением изготавливалась магнитооптическая структура, содержащая подложку, на которой выращивались тонкие эпитаксиальные пленки состава
RE3,0-0,81 Bi0,81 Fe3,85 Ga1,15 O12,0,
где RE - редкоземельные элементы.

Пленки выращивались способом жидкофазной эпитаксии на монокристаллической подложке ГГГ. Определенный выше угол отклонения ориентации подложки относительно кристаллографической оси [100] изменялся в пределах от 0o до 6o, и далее была взята подложка с ориентацией [210].

Монокристаллические пленки были выращены при следующих соотношениях расплавных компонент;
R1 = RE2O3 / Fe2O3 = 34,0
R2 = Fe2О3 / Ga2O3 = 6,47
R3 = PbO/Bi2O3 = 1,0
R4 = 0,095
R5 = PbO/B2O3 = 4,17
Температура роста 720oC.

Скорость вращения подложки 120 об/мин.

Толщина пленок 3,0 мкм.

Пленки вышеуказанного состава имели оптимальные параметры:
при H⊥внеш= 20 Э чувствительность равна 0,55 угл.o/мкм;
при H⊥внеш= 100 Э чувствительность равна 0,65 угл.o/мкм.

В таблице приведены параметры пленок вышеуказанного состава, выращенных на подложках с разными углами отклонения ориентации от плоскости, определяемой кристаллографической осью [100].

Результаты, приведенные в таблице, показывают, что положение вектора намагниченности вдоль плоскости пленки сохраняется до значения угла отклонения перпендикуляра к плоскости подложки относительно кристаллографической оси [100] , равного 4o включительно. При значении этого угла, равного 6o , появляется субслой, начинающийся от открытой поверхности пленки, который имеет вектор намагниченности перпендикулярный плоскости пленки. При дальнейшем увеличении этого угла и переходе к оси [210] пленка по всей толщине имеет вектор перпендикулярный плоскости пленки.

Источники информации
1. Scott G. B. , IEEE Transactions of Magnetics Vol.MAG- 12, N.4, pp. 292-310, 1976.

2. Tolksdorf W.,Thin Solid Films. Vol.114, N.1-2, pp.33-43, 1984.

3. Gualtieri D.M. and Tumelty P.F. J.Appl.Phys. 57(1)15, April 1985, pp. 3879-3881.

4. Гусев М.Ю., Письма в ЖТФ. Том 14, N. 18, стр.1659-1662, 1988.

5. T. Mizuluoto et al. IEEE Transactions on Magnetics. Vol. 29, N. 6, November 1993, pp.3417-3419.

Похожие патенты RU2138069C1

название год авторы номер документа
Способ получения монокристаллических плёнок железо-иттриевого граната с нулевым рассогласованием параметров кристаллической решётки плёнки и подложки 2022
  • Шумилов Алексей Гениевич
  • Федоренко Андрей Александрович
  • Недвига Александр Степанович
  • Семук Евгений Юрьевич
  • Наухацкий Игорь Анатольевич
  • Бержанский Владимир Наумович
  • Шапошников Александр Николаевич
  • Томилин Сергей Владимирович
RU2791730C1
МАГНИТНО-ОПТИЧЕСКАЯ ГОЛОВКА ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ 1996
  • Ильяшенко Е.И.(Ru)
  • Клин В.П.(Ru)
  • Соловьев А.Г.(Ru)
RU2115962C1
ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ ФЕРРИТ-ГРАНАТОВАЯ СТРУКТУРА 1992
  • Хе А.С.
  • Нам Б.П.
  • Маряхин А.В.
  • Шагаев В.В.
  • Сендерзон Е.Р.
  • Богунов В.Г.
RU2061112C1
Способ получения магнитнооптической структуры 1989
  • Островский Игорь Вениаминович
  • Еськов Николай Анатольевич
  • Пронина Наталья Владимировна
  • Грошенко Николай Александрович
SU1675409A1
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ 1993
  • Рандошкин В.В.
RU2098856C1
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПЛЕНКИ, СПОСОБ ВИЗУАЛИЗАЦИИ НЕОДНОРОДНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ (ВАРИАНТЫ) И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1999
  • Гусев М.Ю.
  • Козлов Ю.Ф.
  • Неустроев Н.С.
  • Рандошкин В.В.
RU2168193C2
МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА 1988
  • Рандошкин В.В.
SU1642869A1
МАГНИТООПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО КОНТРОЛЯ ИЗДЕЛИЯ 1993
  • Рандошкин В.В.
  • Логунов М.В.
RU2047170C1
УСТРОЙСТВО НА ПОВЕРХНОСТНОЙ МАГНИТОСТАТИЧЕСКОЙ ВОЛНЕ 1990
  • Гаврилко С.Я.
  • Иванова Т.А.
  • Маряхин А.В.
  • Нам Б.П.
  • Хе А.С.
SU1738049A1
СПОСОБ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ РАБОЧЕЙ ЧАСТОТЫ УСТРОЙСТВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 1992
  • Хе А.С.
  • Нам Б.П.
  • Маряхин А.В.
  • Шагаев В.В.
  • Ляховецкий В.Е.
RU2051209C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 138 069 C1

Реферат патента 1999 года МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА

Использование: изобретение относится к магнитооптическим структурам, используемым в системах оптической обработки информации, в датчиках и преобразователях магнитных полей. Сущность изобретения: в магнитооптической структуре, содержащей подложку 1 из монокристалла гадолиний-галлиевого феррит-граната, на которую нанесена пленка 2 из висмутсодержащего галлиевого феррит-граната с вектором 3 намагниченности, лежащим в плоскости пленки, кристаллографическая ось [100]5 монокристалла подложки 1 смещена относительно перпендикуляра 4 к плоскости подложки 1 на угол, не превышающий величины отклонения до кристаллографической оси [210]6, предпочтительно в пределах от 0° до 4o включительно, причем висмутсодержащий феррит-гранат дозирован редкоземельными элементами, предпочтительно туллием, гадолинием, лютецием или их комбинациями. 3 ил., 3 з.п. ф-лы, 1 табл.

Формула изобретения RU 2 138 069 C1

1. Магнитооптическая тонкопленочная структура, содержащая подложку из диэлектрического материала со структурой граната, на которую нанесена пленка магнитного материала с вектором намагниченности, лежащим в плоскости пленки, причем в качестве магнитного материала пленки выбран висмутсодержащий галлиевый феррит-гранат, отличающаяся тем, что подложка выполнена из монокристалла гадолиний-галиевого граната, кристаллографическая ось [100] которого смещена относительно перепендикуляра к плоскости подложки со стороны упомянутой пленки магнитного материала на угол A, не превышающий величины отклонения до кристаллографической оси [210], при этом висмутсодержащий галлиевый феррит-гранат допирован редкоземельными элементами. 2. Структура по п.1, отличающийся тем, что угол A между кристаллографической осью [100] монокристаллической подложки и перпендикуляром к плоскости подложки, отсчитываемый от упомянутого перпендикуляра в направлении к кристаллографической оси [210] монокристалла подложки, выбран в пределах
0o < A ≤ 4o.
3. Структура по п.1 или 2, отличающаяся тем, что в качестве допирующих редкоземельных элементов выбраны элементы из группы, состоящей из туллия, лютеция, гадолиния в отдельности и их комбинаций. 4. Структура по п.1, или 2, или 3, отличающаяся тем, что магнитный материал пленки содержит от 0,8 до 0,85 ионов висмута и от 1,1 до 1,15 ионов галлия на одну формальную единицу кристаллической структуры упомянутого материала.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1999 года RU2138069C1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Scott G.B
IEEE Transaction of Magnetics
Vol
Способ гальванического снятия позолоты с серебряных изделий без заметного изменения их формы 1923
  • Бердников М.И.
SU12A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Tolksolorf w
Thin Solid Films
Способ получения борнеола из пихтового или т.п. масел 1921
  • Филипович Л.В.
SU114A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
Gualtieri D.M
and Tumelty P.F
J.Appl
Способ получения на волокне оливково-зеленой окраски путем образования никелевого лака азокрасителя 1920
  • Ворожцов Н.Н.
SU57A1
Очаг для массовой варки пищи, выпечки хлеба и кипячения воды 1921
  • Богач Б.И.
SU4A1
Гусев М.Ю
Письма в ЖТФ
Паровоз для отопления неспекающейся каменноугольной мелочью 1916
  • Драго С.И.
SU14A1
Кипятильник для воды 1921
  • Богач Б.И.
SU5A1
T.Mizumoto et al
IEEE Transactions on Magnetics
Солесос 1922
  • Макаров Ю.А.
SU29A1

RU 2 138 069 C1

Авторы

Ильяшенко Е.И.

Клин В.П.

Соловьев А.Г.

Даты

1999-09-20Публикация

1996-04-23Подача