Способ получения низкоомных омических контактов к теллуриду цинка р-типа проводимости Советский патент 1992 года по МПК H01L21/268 

Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения, конкретно - к получению омических контактов к полупроводниковым материалам, и может быть использовано при создании приборов микро- и оптоэлек- троники.

Цель изобретения - снижение сопротивления контактов при использовании широкого класса контактных металлов к кристаллам теллурида цинка с высоким удельным сопротивлением.

Сущность изобретения поясняется примерами его реализации.

Образец теллурида цинка приготавливался в виде плоско-параллельной полированной пластины толщиной от

0, до 1 мм. Поверхность пластины, на которую наносятся контактные мэт,е- ри-злы, шлифовалась абразивным порошком с размером зерен Ь мкм, промывалась нЪдой и обезжиривалась. Металлическая ппенка из индия, образующего донориые центры в Znl, наносилась (на шлифованную поверхность плагтины либо напыпрнием в вакууме, либо . м- чсск им осаидением. Следует отметит- ч1 ) спогмС нанесбния металла на пол прово,пч11коруг1 пластину не влияет мд ЧОНРЧР- .( csvnbTaT. Толщ-1- ча нач-°ссннои пгеькч состаьляла -0,5 мкм.

Дна тог ичч.лм гбрчзом наносились на p-Zril e и пленки MI тпюминия, котоСЛ

СП -U

Oi

J

э15

рый создает доко е центры ч теплу- риде цинка, или меди, образующей акцепторные центры.

Образец закреплялся ча держателе и помещался на пути лазерного луча таким образом, чтобы свет попадал на границу раздела металл-полупроводник со стороны полупроводниковой пластины. Облучение образца со сторо- ны металлической пленки не приводит к положительному результату. Источником излучения служил лазер на нео- димовом стекле, работающий в импульсном режиме с длительностью импульса 0,5 мс и энергией кванта, меньше ширины запрещенной тоны теллурида цинка (,17 эВ, E (ЗООК) 2,25 эВ). Лазерное излучение фокусировалось на образце с помощью линзы. Плотность мощности излучения изменялась от 1,8 до 2,8-10 Вт/см2 путем перемещения линзы относительно образца.

Выбор нижнего предела плотности мощности излучения объясняется тем, что при меньших мощностях облучения положительный результат не достигается. При знамениях плотности мощности больше 2,8-1 О4 Вт/смг наблюдалос разрушение передней поверхности образца .

Омический контакт получался за один лазерный импульс, не требуя проведения каких-либо дополнительных

операции.

Облученные лазером образцы p-ZnTe с металлической ппенкой давали линейные, не проявляющие выпрямляющих свойств, симметричные вольт-амперные характеристики. Это означает, что полученные предлагаемым способом контакты к теллурчду цинка являотсн омическими.

В пределах ошибки эксперимента удельное сопротивление полученных предлагаемым способом омических к, тактов рх составляло для образцов теллурида цинка с удельным сопротивдля индия

лением р 2102 Ок смг 7,1 10- - , алюм

алюминия 7,3 -10

-Z

- 1,240- , меди ,- КГ Ом с

5 ,,

10

40

4Г.

50

в основании полученных значений Pv rowno сделать вывод, что пелимина удельного сопротивления сформирование) о лазером омического контакта практически не зависит от используемого контактного металла.

Использование описываемого способа получения ниэкоомных омических контактов к теллуриду цинка р-типа проводимости обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие преимущества: возможность получения омических контактов к материалу с нысохим удельным сопротивлением; возможность использования в качестве кон1ЛЧТНОГО материала к p-ZnTe как металлов Т группы (медь), создающих в трллуриде цинка акцепторные центры, так и металлов III группы (алюминий, индий), образующих донорные центры, -по позволяет исключить применение дгш получения омических контактов драгоценных металлов (золото, серебро) ; простота способа, не требующая проведения дополнительных технологических операций (например, подлегиро- EJHHR приконтактной области); возможность локально воздействовать на обрг 13Г.1 .

Испытания предлагаемого способа пглучения низкоомных омических контактов к p-ZnTe показали хорошую вос- II рои з водимое т ь результатов.

Формула изобретения

Спмсоб получения низкоомных омических контактов к теллуриду цинка р- тича проводимости, включающий шлифовку (Поверхности пластины теллурида цнька и нанесение на нее металлической пленки, отличающийся ТРМ, что, с целью снижения сопротивления контактов при использовании широкого класса контактных металлов, область контакта облучают со стороны полупроводниковой пластины импульсным лазерным излучением миллисекундной длительности с длиной волны 1,06 мкм при плотности мощности (1,8-2,8) --1U В--7смг.

Иэобретрние относится к попу г . о водниковому приборостроению, микроV) оптоэпг к тропике , Цепь юбрет i пня - снижение сопротивления контактов к теллуриду цичкл р-типл п ппдимости при исгюльоопонии 1иирокого класгл контактных метгллов. Способ заключается в илшфовке поверхности т )стины теллурида цинка и нанрсении на нее метаплич скои пленки. Нопым в способе является то, что область контакта облучают со сторо ы полупргводнико ,ой пласти ы .«нп/льснь м лазерным излучением миллисекундмой длительности с ДЛИНОЙ ПОЛНЫ 1,Об МКМ ПРИ ППО5НОСТИ мощноеiи (.П-,й) 1П4Б-/см3. Яяя г(зразнэв тег луриди цинка с удельным сопротивлением 2 1 0 Ом см значения контактногч гопоотсвл ш-я дпя контактов из индия, Ямлминип 1 меди находились на уровне 7- 1 Ом см2 . (Л