Способ оценки качества кристаллов кварца Советский патент 1990 года по МПК G01N21/35 

Изобретение относится к определению качества кристаллов кварца, применяющихся для изготовления кварцевых резонаторов и фильтров.

Цель изобретения - повышение достоверности, чувствительности и расширения диапазона измерений добротности кристаллов кварца.

Пример 1 . Из кристалла кварца изготавливается образец у-сре- за по принятой технологии. После полировки толщина пластины составляет 10 мм. Пластина облучается f -излучением дозой 2-Ю7 Р от изотопа Со С помощью спетрофотометра записывают спектр поглощения в области волновых чисел 3900-3000 смм для пирамиды роста (1120).

По спектру определяют пропускание для волновых чисел 3800 и 3196 см.1 , рассчитывают разность коэффициентов поглощения и определяют добротность

материала пирамиды роста (0001) по формуле

х - - - Г - - Т л - Т-Т tk /

(57552 5Г+о7оТз5

где Q - добротность кварца для пирамиды (0001) на частоте 1 МГц; об - разность коэффициентов поглощения, определяемая по формуле

о где Т

1ё т ,воо- ig т,196

3800

и Т

г

Э196

(2) пропускание для

волновых чисел 3800 и 3196 см-11 соответственно;9 - толщина образца в

см.

Пример 2. Для определения радиационной стойкости образца его подготовку и записи спектра проводят как в примере 1. Затем определяют

V

с

ел

О

to

со

разность коэффициентов поглощения при волновых числах 3800 и 3385 см . ЕСЛИ разность коэффициентов поглощения меньше 0,3 , изменение частоты будет не более 1, Гц.

В таблице приведены зависимости коэффициентов поглощения в полосах 3385 и 3196 для пирамиды (1120) в образцах различной добротности Q до и после Jj -облучения дозой Р Обе полосы 3196 и 3385 см мувсТ- вительны к радиационному воздействию. Однако при оценке добротности нера- диационностойких сортов кварца погло- щение в полосе 3385 может достигать 100%, поэтому для оценки добротности целесообразно выбирать полосу 3196 см- .

Формула изобретения

Q

0

ности, чувствительности и расширения диапазона измерений добротности, предварительно кристалл подвергают X1 -облучению дозой не менее 2-107 рентген, а оценку качества кристалла производят по разности коэффициентов поглощения oL в полосе, наиболее чувствительной к радиационному воздействию, и в базовой полосе 3800 .

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют коэффициенты поглощения электромагнитного излучения в пирамиде роста (lf20) в полосе 3196 см и в базовой полосе 3800 , а добротность кварца в основной пирамиде роста для частоты 1 МГц определяют по формуле

чб

Q

10

б7552Й нмо7оТзб

Изобретение относится к области определения качества кристаллов кварца, применяющихся для изготовления кварцевых резонаторов и фильтров. Целью изобретения является повышение достоверности, чувствительности и расширение диапазона измерений добротности кристаллов кварца. Кристалл подвергают гамма-облучению дозой не менее 2^.10⁷ Р и оценку его качества проводят по разности коэффициентов поглощения в полосе, наиболее чувствительной к радиационному воздействию и выбранной для контроля, и в базовой полосе 3800 см^-1. По приведенной формуле определяют добротность кристаллов. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

. 1. Способ оценки качества кристаллов кварца в основной пирамиде роста пинакоида (0001), заключающийся в 25 том, что измеряют коэффициент поглощения электромагнитного излучения в кристаллах Кварца в неосновной пирамиде роста, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверrt - 1еЛ §°°„1.12Л21 9б

Ч

где Тэ&00 и TBt% - пропускание для

волновых чисел

-)

3800 и 3196 см соответственно, - толщина образца, см.