Изобретение относится к физическим методам контроля процессов вакуумной тонкопленочной технологии и может использоваться для контроля конденсации молекулярного пучка проводящего вещества на диэлектрическую подложку.
Цель изобретения - повышение чувствительности и расширение области применения на аморфные и шероховатые подложки.
На чертеже показана схема осуществления способа.
Способ осуществляют следующим образом .
Контролируемую подложку 1, покрываемую путем направления на нее молекулярного электропроводящего вещества от источника 2, под скользящим упом облучают быстрыми электро- нами от источника 3 и на люминесцентном экране 4 формируют теневое изображение края подложки 1 в некогерентно рассеянных электронах. В начальный момент перед осаждением, когда на подлодке 1 отсутствует слой сконденсировавшегося вещества молекулярного пучка, вследствие зарядки поверхности подложки J электронами теневое изображение 5 края подложки I имеет искаженную форму.
По мере конденсации вещества молекулярного пучка на подложке 1 образуется электропроводящий слой, кото01 ОЭ СО
о
сд
рый приводит к растеканию заряда поверхности подложки от электронов и теневое изображение 6 края подложки 1 с пленкой конденсата имеет не- искаженный характер. По появлению такого неискаженного теневого изображения 6 индицируют конденсацию молекулярного пучка.
Пример 1. Берут в качестве подложки свежий скол кристалла хлористого калия (КС1). с поверхностным сопротивлением р 10 Ом/а 5 помещают в колонну электронографа ЭГ-100М, которую откачивают до давле- ния 10 Па. На поверхность подложки направляют пучок быстрых электронов с энергией 80 кэВ и током в пучке 50 мкА под скользящим углом 1-3 . Лю- минесцентным экраном, ориентированным перпендикулярно направлению падающего электронного пучка, регистрируют некогерентно рассеянные подложкой электроны. При этом наблюдают теневое изображение края подложки в виде иск- ривленной линии с расположенными на ней пульсирующими пузырями1 . Включают источник молекул испаряемого вещества и направляют на поверхность подложки молекулярный пучок полупро- водникового вещества теллурида кад- мия (CdTe) плотностью 1 0 1 мол/смг-с
Через 3 с .после включения молекулярного пучка наблюдают установление теневого изображения края подложки в виде резко очерченной прямой линии индицируя конденсацию теллурида кадмия . Выключают молекулярный пучок, достают подложку с конденсатом из вакуума и измеряют поверхностное сопротивление р 10 Ом/П при расчетной средней толщине конденсата равной 0,22 нм.
Пример 2. Индикацию конденсации молекулярного пучка теллурида кадмия (CdTe) на шероховатой поверхности подложки из ситалла наблюдают при комнатной температуре. Тыльную шероховатую поверхность пластины ситалла облучают пучком быстрых электронов, направленным перпендикулярно к ней в колонне электронографа. Регистрируют некогерентно отраженные электроны люминесцентным экраном, расположенным вблизи подложки, параллельно падающему пучку электронов. Наблюдают на люминесцентном экране пульсирующие вспышки.Направляют на положку молекулярный пучок и индицируют конденсацию его на шероховатой подложке из ситалла по установлению теневого изображения края подложки на экране в виде прямой линии. Формула изобретения
Способ контроля конденсации молекулярного пучка электропроводящего вещества на диэлектрическую подложку путем облучения подложки быстрыми электронами под скользящими углами падения и регистрации рассеянных электронов перед облучением подложки молекулярным пучком и во время этого облучения, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения области применения на аморфные и шероховатые подложки, в некогерентно рассеянных электронах формируют теневое изображение края подложки, и о конденсации молекулярного пучка судят по появлению неискаженного теневого изображения края подложки.
J
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ устранения фона от некогерентно-рассеянных электронов при дифракционной электронографии | 1958 |
|
SU120949A1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИМ МЕТОДОМ | 2010 |
|
RU2442182C1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИМ МЕТОДОМ | 2004 |
|
RU2292053C2 |
ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОЕ ДИФРАКТОМЕТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО | 1997 |
|
RU2131629C1 |
Способ определения чистоты поверхности (шероховатости) | 1957 |
|
SU111923A1 |
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ОБРАБОТКИ НЕЙТРАЛЬНЫМ ПУЧКОМ, ОСНОВАННЫЕ НА ТЕХНОЛОГИИ ПУЧКА ГАЗОВЫХ КЛАСТЕРНЫХ ИОНОВ | 2011 |
|
RU2579749C2 |
Твердотельный фотогальванический элемент для преобразования энергии света в электрическую энергию | 1991 |
|
SU1806424A3 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДНЫХ НАНОСТРУКТУР | 2006 |
|
RU2319663C1 |
СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ СКРЫТОГО ИСТОЧНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ | 2006 |
|
RU2339023C2 |
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 2017 |
|
RU2741482C2 |
Изобретение относится к области физических методов контроля процессов вакуумной тонкопленочной технологии и может использоваться для контроля конденсации молекулярного пучка проводящего вещества на диэлектрическую подложку. Цель изобретения - повышение чувствительности и расширение области применения на аморфные и шероховатые подложки. Для этого перед облучением подложки молекулярным пучком и во время этого облучения на подложку направляют под скользящим углом пучок быстрых электронов и с помощью люминесцентного экрана формируют теневое изображение края подложки в некогерентно рассеянных электронах. О конденсации молекулярного пучка судят по появлению неискаженного теневого изображения края подложки. 1 ил.
Устройство для определения точки росы дымовых газов | 1985 |
|
SU1330531A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Chang L.L., et al Structures grown by molecular beam epitaxy | |||
- J | |||
Vae | |||
Sei | |||
Technol, 1973, v.10, № 5, p.655-662. |
Авторы
Даты
1990-06-07—Публикация
1988-08-01—Подача