СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ Советский патент 2012 года по МПК H01L29/76

Похожие патенты SU1586469A1

название	год	авторы	номер документа
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С КОМБИНИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ	2002	Воробьева Т.А. Гурин Н.Т. Гордеев А.И. Обмайкин Ю.Д. Андреева Е.Е.	RU2230394C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНОЙ СВЧ LDMOS СТРУКТУРЫ	2012	Бачурин Виктор Васильевич Корнеев Сергей Викторович Крымко Михаил Миронович	RU2515124C1
МОЩНЫЙ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ	2011	Бачурин Виктор Васильевич Бельков Александр Константинович Бычков Сергей Сергеевич Пекарчук Татьяна Николаевна Романовский Станислав Михайлович	RU2473150C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ	2010	Бачурин Виктор Васильевич Бычков Сергей Сергеевич Крымко Михаил Миронович Пекарчук Татьяна Николаевна Сопов Олег Вениаминович	RU2439744C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ	2013	Бачурин Виктор Васильевич Корнеев Сергей Викторович Крымко Михаил Миронович Романовский Станислав Михайлович	RU2535283C1
СВЧ LDMOS-ТРАНЗИСТОР	2007	Бачурин Виктор Васильевич Бельков Александр Константинович Бычков Сергей Сергеевич Пекарчук Татьяна Николаевна	RU2338297C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ С МОДЕРНИЗИРОВАННЫМ ЗАТВОРНЫМ УЗЛОМ ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ЯЧЕЕК	2016	Бачурин Виктор Васильевич Романовский Станислав Михайлович Семешина Ирина Петровна	RU2639579C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ	2012	Бачурин Виктор Васильевич Корнеев Сергей Викторович Крымко Михаил Миронович	RU2498448C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОГО ДМОП-ТРАНЗИСТОРА	2000	Бачурин В.В. Пекарчук Т.Н.	RU2189089C2
Способ изготовления латерального ДМОП - транзистора с увеличенным значением напряжения пробоя	2023	Шоболова Тамара Александровна Шоболов Евгений Львович Мокеев Александр Сергеевич Герасимов Владимир Александрович Серов Сергей Дмитриевич Трушин Сергей Александрович Кузнецов Сергей Николаевич Суродин Сергей Иванович Рудаков Сергей Дмитриевич	RU2803252C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ

Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов путем улучшения однородности высокоомного канала, после образования дополнительных контактов к области высокоомного канала проводят электротренировку в течение 32-66 с при заземленном затворе, положительном напряжении на истоке с напряженностью поля (1,6-2,8) МВ·см^-1 и отрицательном напряжении на стоке с напряженностью поля 0,2-1,1 МВ·см^-1.

SU 1 586 469 A1

Авторы

Румак Н.В.

Тишкевич Г.И.

Хатько В.В.

Куксо В.В.

Пекуров В.С.

Канищев А.Ф.

Даты

2012-05-27—Публикация

1987-06-11—Подача