Способ отбраковки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств Советский патент 1990 года по МПК G11C17/00 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для программирования микросхем полупроводниковых постоянных запоминающих устройств (ПЗУ) и программируемых логических матриц.

Целью изобретения является повышение надежности отбраковки микросхем за счет уменьшения числа микросхем с восстановленными перемычками.

На фиг. 1 изображена перемычка запрограммированной микросхемы, находящаяся в процессе электротермомагнитной тренировки, где а - ширина зауженной части перемычки; d - длина зоны разрушения (0,4 мкм); Я - напряженность приложенного магнитного поля; на фиг. 2 - устройство, реализующее предлагаемый способ отбраковки микросхем путем проведения их электротермомагнитной тренировки.

Устройство содержит термокамеру 1 с разъемом 2 для электрического соединения

плиты с микросхемами 3 и измерителя 4 электрических параметров (блока сравнения), электромагнит 5 с катущкой 6, создающей постоянное магнитное поле напряженностью Я, и устройство 7 управления термокамерой.

В процессе электротермотренировки микросхему нагревают до 125°С и производят опрос по адресам, т. е. прикладывают импульсы напряжения U к электродам разру- щенной части коммутирующей перемычки запоминающего элемента. Под действием электрического поля заряженные частицы, а,

находящиеся в зоне разрущения перемычки (aXd), приходят в направленное движение от одного электрода к другому со скоростью

, где т - масса заряженных час-

тиц; 4 - время, необходимое для удаления

О

00

СП 00

|

заряженных частиц из зоны разрушения перемычки; q - заряд частиц.

Вектор скорости движения заряженных частиц совпадает с направлением электрического поля, в результате перемещения заряженных частиц возможно образование электропроводящего мостика в разрушенной области перемычки и электроды замыкаются, т. е. запоминающий элемент восстанавливается.

В предлагаемом способе отбраковки микросхем путем их электромагнитной тренировки в поле постоянного магнитного поля на движущиеся между электродами пере- .мычки заряженные частицы действует симированиых запоминающих элементов (разрушенных) разрядов микросхемы сравнивают в измерителе 4 электрических параметров с контрольной суммой разрядов. 5 Результат сравнения идентифицируется на табло блока сравнения измерителя 4. После этого включают магнитное поле Я и нагреватели термокамеры, снимают напряжение с ПЗУ. Затем через промежуток времени выхода микросхемы в стационарный режим (в соответствии с техническими условиями на данную микросхему) при комнатной температуре повторно определяют суммарное количество 7(2 запоминающих элементов с вос- становивщимися плавкими перемычками.

10

па Лоренца, выводящая эти частицы из зоны -g Величину напряженности магнитного поля Н

nSQn TTI TJIJfCJ ГТЛТЛО 1 ТТ11УТ«f .fi-rel-w-rf П А П-

разрушения перемычки. Следовательно, в зоне разрущения перемычки исключается возможность создания проводящего мостика из заряженных частиц материала перемычки, т. е. исключается возможность отказа, типа «восстановление запрограммированного запоминающего элемента.

Устройство работает следующим образом.

Плату с запрограммированными микросхемами 3 помещают в термокамеру 1, соединяют со стандартным разъемом 2, включают нагреватели термокамеры для нагрева до 125°С. Включают питание электромагнита, устанавливают ток в катущках, включают питание микросхемы и последовательно на все разряды микросхем ПЗУ подают считывающие импульсы. Через обмотку электромагнита 5 пропускают постоянный ток величиной 1, создающий магнитное поле напряженностью Я. После проведения-отбраковки путем электромагнитной тренировки в течение 168 ч при 125°С определяют число запоминающих элементов /Ci с восстановившимися плавкими перемычками следующим образом. Суммарное количество запрогрампоследовательно увеличивают до тех пор, пока разность чисел K.z-K не будет равна нулю. Это значение напряженности магнитного поля Яр используют для отбраковки последующих партий микросхем ПЗУ по дан- 20 ному способу.

Значение поля Яр зависит от типа и партии микросхем и составляет 200-400 А/м.

Формула изобретения

25

Способ отбраковки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств, включающий воздействие на микросхемы считывающих импульсов при предельно допустимой температуре и отбраковку

30 микросхем при появлении тока в разрушенных перемычках, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности отбраковки, одновременно с воздействием на микросхемы считывающих импульсов прикладывают постоянное магнитное поле, силовые линии

35 которого направлены перпендикулярно плоскости микросхем, а значение напряженности достаточно для удаления заряженных частиц разрушенной перемычки.

мированиых запоминающих элементов (разрушенных) разрядов микросхемы сравнивают в измерителе 4 электрических параметров с контрольной суммой разрядов. 5 Результат сравнения идентифицируется на табло блока сравнения измерителя 4. После этого включают магнитное поле Я и нагреватели термокамеры, снимают напряжение с ПЗУ. Затем через промежуток времени выхода микросхемы в стационарный режим (в соответствии с техническими условиями на данную микросхему) при комнатной температуре повторно определяют суммарное количество 7(2 запоминающих элементов с вос- становивщимися плавкими перемычками.

0

g Величину напряженности магнитного поля Н

-g Величину напряженности магнитного поля Н

-

последовательно увеличивают до тех пор, пока разность чисел K.z-K не будет равна нулю. Это значение напряженности магнитного поля Яр используют для отбраковки последующих партий микросхем ПЗУ по дан- 20 ному способу.

Значение поля Яр зависит от типа и партии микросхем и составляет 200-400 А/м.

Формула изобретения

25

Способ отбраковки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств, включающий воздействие на микросхемы считывающих импульсов при предельно допустимой температуре и отбраковку

30 микросхем при появлении тока в разрушенных перемычках, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности отбраковки, одновременно с воздействием на микросхемы считывающих импульсов прикладывают постоянное магнитное поле, силовые линии

35 которого направлены перпендикулярно плоскости микросхем, а значение напряженности достаточно для удаления заряженных частиц разрушенной перемычки.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для программирования микросхем полупроводниковых постоянных запоминающих устройств /ПЗУ/ и программируемых логических матриц. Целью изобретения является повышение надежности отбраковки микросхем за счет уменьшения числа микросхем с восстановленными перемычками. Для этого одновременно с воздействием на микросхемы считывающих импульсов прикладывают постоянное магнитное поле, силовые линии которого направлены перпендикулярно плоскости микросхем, а значение напряженности достаточно для удаления заряженных частиц разрушенной перемычки. 2 ил.

фиг, Z