Способ контроля программируемого постоянного запоминающего устройства Советский патент 1991 года по МПК G11C29/00 G11C11/40 

Изобрртение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении постоянных запоминающих устройств на полупроводниковой элементной базе

Цель изобретения - повышение надежности программируемого постоянного запоминающего устройства за счет выявления потенциально ненадежных ячеек памяти.

Способ контроля программируемого постоянного запоминающего устройства осуществляется следующим образом

Незапрограммированные схемы запоминающих устройств проверяются на соответствие статических и динамических параметров (напряжение питания и ток потребления время считывания информации и др ) требованиям нормативно-технической документации При отклонении от норм схемы бракуются Годные схемы с дефектными ячейками памяти (ячейки памяти, которые вышли из строя на стадии изготовления схемы) и с потенциально ненадежными ячейками памяти (например, плавкие перемычки с зауженной рабочей областью, которые могут разрушиться после многократных циклов считывания) поступают на операцию повышенного по сравнению с рецептом считывания воздействия электрического тока на ячейку памяти Эту операцию проводят в режиме программирования, но отличающуюся от него пониженным значением напряжения амплитуды импульсов программирования и равным 6 ± 0,3 В Это напряжение амплитуды импульсов было определено экспериментально Для этого микросхемы устройства подвергают режиму программирования с изменением амплитуды импульсов программирования от минимального значения до значения при котором количество потенциально ненадежных ячеек резко возрастает

Ё

О XI

ю ел

CJ

Постоянно уменьшая амплитуду им пульсов, было установлено оптимальное значение 6,0 ± 0,3 В.

При повышенном воздействии на ячейку памяти по сравнению с режимом считывания током, ячейки памяти с залуженной площадью плавкой перемычки разрушаются в отличии от ячеек памяти с нормальным, без отклонения сечением, которые сохраняют свою работоспособность.

После режима поввииенного воздействия проводят выявление дефектных ячеек памяти в режиме считывания и по результатам их разбраковывают.

Спогоб позволяет повысить надежность постоянных программируемых запоминающих устройств за счет выявления потенциально ненадежных ячеек памяти и найдет широкое применение в производст0

5

0

ве надежных ИС большой плотности компоновки

Формула изобретения Способ контроля программируемого постоянного запоминающего устройства, включающий измерение статических и динамических параметров, выявление дефектных ячеек памяти устройства в режиме считывания информации, отличающий- с я тем, что,с целью повышения надежности программируемого постоянного запоминающего устройства за счет выявления потен- циально ненадежных ячеек памяти устройства, после измерения статических и динамических параметров ячейки памяти, устройство подвергают воздействию электрического тока в режиме программирования при амплитуде импульсов программирования (6,0 ± 0,3) В.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке надежных запоминающих устройств. Цель изобретения - повышение надежности программируемого постоянного запоминающего устройства за счет выявления потенциально ненадежных ячеек памяти. Поставленная цель достигается за счет того, что после измерения статических и динамических параметров ячейки памяти устройство подвергают воздействию электрического тока в режиме программирования при амплитуде импульсов программирования, равной 6,0 ± 0,3 В.