Накопитель для постоянного запоминающего устройства Советский патент 1983 года по МПК G11C17/00 G11C11/40 

О)

С

НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПСМИНАШЩГО УСТРОЙСТВА, содержащий в пересечении адресных и разрядных шин последовательно соединенные раз.делительный элемент я плавкую перемьачку, о т л и-ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повщоения вадёжности наксщителя, переье:1чка выполнена из окиси ванадия (VjOjl .

VI

00 Изобретение относится к микроэлек тронике и может быть использовано при изготовлении программируемых постоянных запоминающих устройств. Известен накопитель, в качестве материала для перемычки в котором ис пользуется сплай Ti C(W Cl-J. Недостатком накопителя с перемычками из вольфрама является трудность программирования из-за различного сопротивления перемычек. Кроме того при программировании, подобных перемычек требуется большой ток. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является На копитель, содержащий в пересечении адресных и разрядных шин последовательно соединенные разделительный элемент и плавкую перемычку 23. Недостатком известного накопителя является то, что перемычки изготовлв ны из поликремния или сплава никеля и хрома, трудно программируются и, кроме того, для нихромовых перемычек характерно явление обратного восста новления, вследствие чего снижается надежность как при програг мировании, так и при эксплуатации накопителя. Цель изобретения - повышение наяежности накопителя за счет облегчения процесса программирования и исключения восстановления при эксплуатации Поставленная цель достигается тем что плавкая перемычка вьтолняется Из окиси ванадия () . -г На чертеже представлена электрИческай схема предлагаемого накопите- ля. Накопитель содержит адресные-1 и разрядные 2 шины, в пересеченииjtorcрых расположены последовательНо соединенные разделительный элемент 3 и плавкая перемычка 4. Пленка перемычки может быть изготовлена вакуумньм распылением и иметь толщину 450-500 Я. Программирование может произво.диться .импульсами тока амплитудой от 5 до 16 мА и длительностью 25 МКС, фронт около 400 мс. Количество импульсов программирования колеблется от одного до шести. При программировании происходит следующая термохимическая реакций« Si02+V20j- 5iO + V20 Поскольку сопротивление окислов различнод, а именно: 2% 5,5, 10;5Ьм.м,ау. /V C)g. ,J,01-j O-l тоЪдно состояние може быть принято за логическую единицу, а другие за логический нуль. Предлагаемое постоянное запоминаю- щее устройство позволяет осуществлять программирование и эксплуатацию не . методом разрушения плавйой перемкгчки, а процессом перевода материала из низкоомного в . высокоомное состояние,, тем самым повышается надежность ПЗУ при программировании и эксплуатации,, поскольку высокоомное состояние вещества представляет собой устойчивое химическоесоединение и-при подаче опрашивающих импульсов потенциала не возвращается в исходное состояние, что обеспечивает высокую надежность/ при программировании и эксплуатации.